Технология получения одномерных фотонных кристаллов с помощью фотоэлектрохимического травления кремния [Текст] / Ю. А. Жарова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 7. - С. 986-994. : ил. - Библиогр.: с. 993 (21 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): одномерные фотонные кристаллы -- 1D ФК -- фотоэлектрохимическое травление -- ФЭХТ -- кремний -- плотность тока травления -- легирование подложки -- подложки -- атомно-силовая микроскопия -- щелочные растворы -- макропоры -- шероховатость поверхностей -- затравочные канавки -- анизотропное травление -- АТ Аннотация: Анализируются условия формирования глубоких периодических щелей в процессе фотоэлектрохимического травления n-Si ориентации (100) с линейными затравками на поверхности. Сформулированы критерии для выбора периода затравочных канавок и для плотности тока травления в зависимости от уровня легирования подложки. Характерной особенностью полученных структур является гофрировка их стенок, обусловленная следами слившихся макропор. С помощью атомно-силовой микроскопии исследована неровность стенок в зависимости от режима травления и найдена плотность тока, при которой можно получить наиболее гладкие стенки. Их шероховатость в структурах с периодом 7 и 9 мкм на Si с удельным сопротивлением 15 Ом x см составила ~40 нм. Показано, что дополнительная обработка структур в щелочных растворах может уменьшить шероховатость стенок примерно в 2 раза. Доп.точки доступа: Жарова, Ю. А.; Федулова, Г. В.; Гущина, Е. В.; Анкудинов, А. В.; Астрова, Е. В.; Ермаков, В. А.; Перова, Т. С. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |