Левин, М. Н. Метод Laplace-DLTS с выбором параметра регуляризации по L-кривой [Текст] / М. Н. Левин, А. В. Татаринцев, А. Э. Ахкубеков // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 613-616
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- запрещенная зона -- глубокие уровни -- дефекты -- параметр регуляризации Аннотация: Метод DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy) является одним из основных методов, широко используемых для определения параметров дефектов, приводящх к возникновению глубоких уровней в запрещенной зоне полупроводникового материала. Предложено использовать подход L-кривой при выборе параметра регуляризации в методе Laplace-DLTS для исключения некотролируемых ошибок и повышения достоверности получаемых результатов. Возможности метода продемонстрированы численным анализом модельного релаксационного сигнала, содержащего 3 экспоненты с близкими значениями показателей и малую шумовую составляющую. Показано, что предложенный вариант Laplace-DLTS с использованием L-кривой для выбора параметра регуляризации или LL-DLTS обладает большей надежностью по сравнению с методом Laplace-DLTS с выбором параметра регуляризации по невязке. Доп.точки доступа: Татаринцев, А. В.; Ахкубеков, А. Э. |
Оптические свойства пленок GaN/Al[2]O[3], легированных кремнием [Текст] / Н. С. Заяц [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 617-620
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): кристаллические пленки -- широкозонные полупроводники -- газофазная эпитаксия -- запрещенная зона -- легирование пленок Аннотация: Проведены морфологические и оптические исследования пленок GaN, легированных кремнием (уровень легирования N[Si]=1. 5 х 10\{19\} см\{-3\}), выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений на подложках из сапфира, ориентированных по кристаллографической оси c. Для выращенных пленок GaN получены следующие физические параметры: энергия электронного перехода E[0], коэффициент поглощения альфа, показатель преломления n, частоты поперечных и продольных оптических колебаний решетки, характерные для кристаллических пленок GaN. Доп.точки доступа: Заяц, Н. С.; Генцарь, П. А.; Бойко, В. Г.; Литвин, О. С.; Вуйчик, Н. В.; Стронский, А. В.; Янчук, И. Б. |
Мамчуев, М. О. О возможной связи между оптическим пробоем и металлизацией предельно чистых прозрачных диэлектриков [Текст] / М. О. Мамчуев // Инженерная физика. - 2009. - N 7. - С. 8-12
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): диэлектрики -- запрещенная зона -- лазерное разрушение -- разрушение широкозонных диэлектриков -- оптический пробой -- щелочно-галоидный кристалл -- метод функционала плотности Аннотация: Показано, что металлизация диэлектрика в области его взаимодействия с лазерным излучением является обоснованным механизмом лазерного разрушения широкозонных диэлектриков. Расчеты радиационного давления, создаваемого мощным лазерным излучением, и давления внешнего всестороннего сжатия, при котором происходит "схлопывание" запрещенной зоны диэлектрика, вычисленного на основе самосогласованной электронно-статистической теории ионных кристаллов, показали, что эти давления совпадают по порядку величины. |
Запрещенные зоны в спектрах терагерцовых поверхностных плазмонов на металлических дифракционных решетках [Текст] / A. В. Андреев [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 90, вып. 3. - С. 195-198
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): запрещенная зона -- поверхностные плазмоны -- интерференция плазмонов -- металлические дифракционные решетки Аннотация: Экспериментально обнаружен и исследован эффект появления запрещенных зон в энергетических спектрах поверхностных терагерцовых плазмонов. Запрещенные зоны образуются в результате интерференционного взаимодействия поверхностных плазмонов, которые возбуждаются при помощи импульсного терагерцового излучения на металлических дифракционных решетках. Показано, что экспериментальные дисперсионные кривые поверхностных терагерцовых плазмонов хорошо согласуются с дисперсионными кривыми, полученными на основе численного моделирования. Доп.точки доступа: Андреев, A. В.; Назаров, М. М.; Прудников, И. Р.; Шкуринов, А. П. |
Электронная структура границы раздела Ва/n-AlGaN (0001) и формирование вырожденного 2D электронного газа [Текст] / Г. В. Бенеманская [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91. N 12. - С. 739-743
Рубрики: Физика Спектроскопия Кл.слова (ненормированные): субмонослойные покрытия -- электронная структура -- ультратонкие интерфейсы -- спектры фотоэмиссии -- спектры остовных уровней -- синхротронное возбуждение -- запрещенная зона -- фотоэмиссионные пики -- вырожденный электронный газ -- валентные зоны Аннотация: Проведены исследования электронной структуры ультратонких интерфейсов Ba/n-AlGaN (0001) в сверхвысоком вакууме in situ/ с помощью метода ультрафиолетовой фотоэлектронной спектроскопии. Изучены спектры фотоэмиссии из валентной зоны n-AlGaN и спектры остовных уровней Ga 3d, Al 2p, Ba 4d при синхротронном возбуждении с энергиями фотонов 60-400 эВ. Обнаружена модификация всех спектров в процессе формирования границы раздела Ва/n-AlGaN в режиме субмонослойных Ва покрытий. Найдено, что спад интенсивности отдельных участков спектра валентной зоны связан с взаимодействием поверхностных состояний подложки AlGaN с адатомами Ва. Обнаружено, что формирование интерфейса приводит к появлению в запрещенной зоне AlGaN на уровне Ферми нового фотоэмиссионного пика квазиметаллического характера. Доп.точки доступа: Бенеманская, Г. В.; Жмерик, В. Н.; Лапушкин, М. Н.; Тимошнев, С. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Исследование электронных свойств сверхтонких пленок BaTiO[3], полученных методом импульсного лазерного осаждения [Текст] / М. Н. Миннекаев [и др.] // Перспективные материалы. - 2013. - № 8. - С. 29-33 : 3 рис. - Библиогр.: с. 32-33 (12 назв. ) . - ISSN 1028-978Х
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): сегнетоэлектрики -- титанат бария -- запрещенная зона Аннотация: Исследованы электронные свойства сверхтонких пленок титаната бария (BaTiO[3]), выращенных на структурах Pt/MgO (100) импульсным лазерным осаждением. Двумя независимыми методами измерена ширина запрещенной зоны тонких пленок BaTiO[3] в зависимости от толщины пленки, отличная от значения ширины запрещенной зоны для объемного BaTiO[3]. Доп.точки доступа: Миннекаев, М. Н.; Неволин, В. Н.; Лебединский, Ю. Ю.; Витухновский, А. Г. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |