Фотопреобразователи на основе арсенидгаллиевых диффузионных p-n-переходов, изготовленных на микрорельефной поверхности GaAs [Текст] / А. А. Акопян [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 385-390
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотопреобразователи -- жидкофазная эпитаксия -- гетеропереходные структуры -- арсенид галлия -- селективная диффузия -- фотопоток Аннотация: С учетом анализа массопереноса легирующей примеси (Zn) через микрорельефную поверхность GaAs методом диффузии из газовой фазы изготовлены и исследованы p-n-переходы, перспективные для фотопреобразователей. В зависимости от условий диффузии (масса диффузанта, время диффузии) возможно образование как p-n-перехода в микрорельефе, так и плоского p-n-перехода в объеме GaAs с сильно легированным приповерхностным p\{+\}-слоем. Приведены фотоэлектрические характеристики приборных структур с текстурированным p-n-переходом и тонким широкозонным окном из Al[x]Ga[1-x]As, полученным жидкофазной эпитаксией. Доп.точки доступа: Акопян, А. А.; Бахронов, Х. Н.; Борковская, О. Ю.; Дмитрук, Н. Л.; Едгорова, Д. М.; Каримов, А. В.; Конакова, Р. В.; Мамонтова, И. Б. |
Солнечные элементы на основе антимонида галлия [Текст] / В. М. Андреев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 695-699
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): жидкофазная эпитаксия -- фотоэлементы -- солнечные элементы -- каскадные преобразователи -- узкозонный фотоэлемент Аннотация: Методами жидкофазной эпитаксии и диффузии из газовой фазы созданы различные варианты структур фотоэлементов на основе GaSb, предназначенных для использования в каскадных преобразователях солнечного излучения. Исследован узкозонный фотоэлемент (GaSb) в составе тандема на основе комбинации полупроводников GaAs-GaSb (два p-n-перехода) и GaInP/GaAs-GaSb (три p-n-перехода). Значения максимальной эффективности фотоэлектрического преобразования в GaSb за широкозонными элементами составляют эта=6. 5% (при кратности концентрирования солнечного излучения 275, для спектра AM1. 5D, Low AOD). Доп.точки доступа: Андреев, В. М.; Сорокина, С. В.; Тимошина, Н. Х.; Хвостиков, В. П.; Шварц, М. З. |
Температурная зависимость внутренних параметров дисковых лазерных диодов InAs/InAsSbP [Текст] / В. В. Кабанов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 522-526
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): лазерные диоды -- фононы -- дисковые гетеролазеры -- жидкофазная эпитаксия -- шаровые резонаторы Аннотация: Для дисковых лазеров на основе гетероструктуры InAs/InAsSbP (длина волны генерации 3. 03-3. 06 мкм) определены значения внутреннего квантового выхода люминесценции, а также скоростей излучательной и безызлучательной рекомбинации в интервале температур 85-120 K. Установлено, что с ростом температуры относительный вклад скорости безызлучательной рекомбинации в величину плотности порогового тока возрастает с 89. 9 до 92. 8%. Показано, что наиболее вероятными механизмами безызлучательных переходов в дисковых гетеролазерах InAs/InAsSbP могут выступать оже-процессы CHCC и CHSH с участием фононов. Определены коэффициенты полных потерь для двух наблюдаемых на опыте полос генерации, и оценен максимальный уровень внутренних оптических потерь. Добротность резонатора дискового гетеролазера InAs/InAsSbP составляет величину ~10\{4\}. Доп.точки доступа: Кабанов, В. В.; Лебедок, Е. В.; Рябцев, А. Г.; Рябцев, Г. И.; Щемелев, М. А.; Шерстнев, В. В.; Астахова, А. П.; Яковлев, Ю. П. |
Зоренко, Ю. В. Выращивание и люминесцентные свойства монокристаллических пленок перовскитов RAlO[3] (R=Lu, Lu-Y, Y, Tb) [Текст] / Ю. В. Зоренко, В. И. Горбенко // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 9. - С. 1697-1704. - Библиогр.: с. 1704 (23 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): люминесцентные свойства пленок -- монокристаллические пленки -- перовскиты -- пленки перовскитов -- механизмы кристаллизации -- условия кристаллизации пленок -- жидкофазная эпитаксия Аннотация: Анализируются условия и механизмы кристаллизации нелегированных и активированных ионами Ce3+ монокристаллических пленок (МП) RAlO3 (R=Lu, Lu-Y, Y, Tb) методом жидкофазной эпитаксии на подложках из монокристаллов YAlO3 при значительном рассогласовании постоянных решетки МП и подложки. Приводятся максимальные значения величины этого рассогласования, при которых наблюдается устойчивый рост МП. Демонстрируется наличие переходных слоев между подложкой и выращиваемой МП, в которых нивелируется разница между параметрами решетки МП и подложки. Исследованы оптические и люминесцентные характеристики нелегированных и активированных ионами Ce3+ МП RAlO3 (R=Y, Y-Lu, Lu, Tb), а также сцинтилляционные характеристики МП (Lu-Y) AlO3 : Ce при возбуждении alpha-частицами источника Pu239 (5. 15 MeV). Доп.точки доступа: Горбенко, В. И. |
Высокоэффективные фотоэлементы на основе твердых растворов In[0. 53]Ga[0. 47]As с изовалентным легированием [Текст] / Л. Б. Карлина [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 240-245 : ил. - Библиогр.: с. 244-245 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): твердые растворы -- InGaAs -- изовалентное легирование -- фотолюминесценция -- ФЛ -- спектры фотолюминесценции -- спектры пропускания -- безызлучательная рекомбинация -- солнечные излучения -- фотоэлектрические преобразования -- фосфор -- комбинационное рассеяние света -- КРС -- метод комбинационного рассеяния света -- жидкофазная эпитаксия -- одностадийная диффузия Аннотация: Влияние изовалентного легирования фосфором на поверхностные и объемные свойства слоев In[0. 53]Ga[0. 47]As (далее InGaAs) оценивалось по изменению спектров фотолюминесценции и спектров пропускания. Установлено, что изовалентное легирование уменьшает скорость безызлучательной рекомбинации в объеме и на поверхности легированных слоев. Использование дополнительного изовалентного легирования позволило улучшить параметры узкозонного солнечного элемента на основе InGaAs, предназначенного для преобразования концентрированного солнечного излучения. Значение максимальной эффективности фотоэлектрического преобразования в спектральном диапазоне 900-1840 нм составило 7. 4-7. 35% при кратности концентрирования солнечного излучения 500-1000 для спектра AM1. 5D Low AOD. Доп.точки доступа: Карлина, Л. Б.; Власов, А. С.; Кулагина, М. М.; Ракова, Е. П.; Тимошина, Н. Х.; Андреев, В. М. |
Молекулярно-пучковая эпитаксия термодинамически метастабильных твердых растворов GaInAsSb для фотодетекторов среднего ИК-диапазона [Текст] / А. Н. Семенов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 699-705 : ил. - Библиогр.: с. 704 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- твердые растворы -- GaInAsSb -- кристаллические решетки -- фотодетекторы -- жидкофазная эпитаксия -- ЖФЭ -- метод жидкофазной эпитаксии -- инфракрасный диапазон -- ИК-диапазон -- рентгеновская дифрактометрия -- РД -- метод рентгеновской дифрактометрии -- растровая электронная микроскопия -- РЭМ -- метод растровой электронной микроскопии -- фотолюминесценция -- ФЛ -- кривая дифракционного отражения -- КДО -- дифракция быстрых электронов -- ДБЭ -- оптические свойства -- спинодальный распад -- термодинамические расчеты Аннотация: Изучены особенности роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии твердых растворов GaInAsSb с содержанием индия до 25 мол%, согласованных по периоду кристаллической решетки с GaSb. Данные растворы являются перспективными для использования в качестве активной области фотодетекторных структур среднего инфракрасного диапазона. Представлены результаты исследования этих твердых растворов методами двухкристальной рентгеновской дифрактометрии, растровой электронной микроскопии и фотолюминесценции. Показано, что твердые растворы Ga[x]In[1-x]As[y]Sb[1-y] с x<0. 8, выращенные при температуре 500{o}C, демонстрируют деградацию структурных и оптических свойств по мере увеличения толщины слоя. В слоях с толщинами выше критической наблюдается спинодальный распад в полном соответствии с термодинамическими расчетами положения границ областей несмешиваемости. Обсуждаются возможности оптимизации молекулярно-пучкового роста твердых растворов Ga[x]In[1-x]As[y]Sb[1-y] (x<0. 75) с высоким оптическим и структурным совершенством, а также характеристики фотодетекторов на основе гетероструктур GaInAsSb/AlGaAsSb. Доп.точки доступа: Семенов, А. Н.; Терентьев, Я. В.; Мельцер, Б. Я.; Соловьев, В. А.; Попова, Т. В.; Нащекин, А. В.; Андреев, И. А.; Куницына, Е. В.; Усикова, А. А.; Яковлев, Ю. П.; Иванов, С. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Выращивание пленок (InSb) [1-x] (Sn2) [x] на арсенид-галлиевых подложках методом жидкофазной эпитаксии [Текст] / А. С. Саидов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 7. - С. 970-977. : ил. - Библиогр.: с. 976-977 (25 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): пленки -- выращивание пленок -- (InSb) [1-x] (Sn2) [x] -- твердые растворы -- подложки -- арсенид-галлиевые подложки -- GaAs -- жидкофазная эпитаксия -- метод жидкофазной эпитаксии -- ЖФЭ -- рентгенограммы -- спектральные характеристики -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- непрерывные твердые растворы -- НТР -- структурные исследования -- гетероструктуры -- эпитаксиальные слои -- фоточувствительность гетероструктур Аннотация: Показана возможность выращивания монокристаллического твердого раствора замещения (InSb) [1-x] (Sn2) [x] (0< x< 0. 05) на подложках GaAs методом жидкофазной эпитаксии из индиевого раствора-расплава. Исследованы рентгенограммы, спектральные и вольт-амперные характеристики полученных гетероструктур n-GaAs-p- (InSb) [1-x] (Sn2) [x] при различных температурах. Определены параметры решетки твердого раствора (InSb) [1-x] (Sn2) [x]. Обнаружено, что прямая ветвь вольт-амперной характеристики таких структур при малых напряжениях (до 0. 7 В) описывается экспоненциальной зависимостью I=I[0] exp (qV/ckT), а при больших (V>0. 9 В) имеется участок сублинейного роста тока с напряжением V~ V[0] exp (Jad). Экспериментальные результаты объясняются на основе теории эффекта инжекционного обеднения. Показано, что произведение подвижности основных носителей на концентрацию глубоких примесей уменьшается с ростом температуры. Доп.точки доступа: Саидов, А. С.; Саидов, М. С.; Усмонов, Ш. Н.; Асатова, У. П. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Усовершенствование процессов выращивания наногетероэпитаксиальных структур жидкофазной эпитаксии [Текст] / И. И. Марончук [и др.] // Инженерно-физический журнал. - 2018. - Т. 91, № 2. - С. 518-524 : 3 рис., 2 табл. - Библиогр.: с. 524 (13 назв. ) . - ISSN 0021-0285
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): жидкофазная эпитаксия -- импульсное охлаждение -- наногетероэпитаксиальные структуры -- квантовые точки -- германий -- кремний -- подложка -- солнечные элементы -- выращивание Аннотация: Выявлены недостатки в оборудовании и технологических подходах проведения процессов выращивания наногетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками методом жидкофазной эпитаксии. Разработана и изготовлена новая барабанная кассета вертикального типа, позволяющая выращивать квантовые точки и эпитаксиальные слои различных толщин в одном технологическом процессе. Проведено физико-математическое моделирование процессов выращивания квантоворазмерных структур жидкофазной эпитаксией с помощью программного продукта SolidWorks (программа FlowSimulation). Анализ позволил определить наличие негативных факторов, влияющих на процесс выращивания указанных структур. Проведена оптимизация математической модели и модернизация оборудования без дополнительных опытов и измерений. Исследована динамика потоков течения технологического газа в реакторе при различных расходах. Разработана методика проведения и осуществлена настройка теплового оборудования. Расчетные и экспериментальные распределения температур в процессе выращивания структур с высокой воспроизводимостью находятся в хорошем согласии, что подтверждает правильность проведенной модернизации. Доп.точки доступа: Марончук, И. И.; Саникович, Д. Д.; Потапков, П. В.; Вельченко, А. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Вклад механических напряжений в формирование поверхностного рельефа при лазерном облучении полупроводников [Текст] / В. Г. Средин [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2019. - Т. 62, № 6. - С. 125-128. - Библиогр.: с. 128 (14 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): жидкофазная эпитаксия -- импульсное лазерное излучение -- лазерный отжиг эпитаксиальных слоев твердых растворов -- поверхностная рекристаллизация -- полупроводниковый твердый раствор -- рекристаллизация -- термоупругие напряжения -- эпитаксиальные слои твердых растворов Аннотация: Рассмотрено влияние упругих напряжений, возникающих при импульсном лазерном облучении эпитаксиальных слоев твердых растворов Cd[x] Hg[1-x] Te, на формирование периодического рельефа на их поверхности в результате рекристаллизации расплавленного излучением материала. Доп.точки доступа: Средин, В. Г.; Войцеховский, А. В.; Сахаров, М. В.; Талипов, Н. Х. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |