Якимов, А. И. Связывающее состояние дырки в двойных квантовых точках Ge/Si [Текст] / А. И. Якимов, А. И. Никифоров, А. В. Двуреченский // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 86, вып: вып. 7. - С. 549-552
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- Ge -- Si -- эмиссия дырок из связывающего состояния -- спектроскопия комплексной проводимости Аннотация: Методом спектроскопии комплексной проводимости (адмиттанса) исследована эмиссия дырок из связывающего состояния двухатомных искусственных молекул, образованных вертикально сопряженными квантовыми точками Ge/Si (001). Обнаружено, что при толщине барьерного слоя Si между квантовыми точками Ge больше 2. 5 нм энергия связи дырки в искусственной молекуле становится меньше энергии ионизации одиночной квантовой точки, что противоречит результатам квантовомеханической модели молекулярных связей и свидетельствует об определяющей роли механических напряжений в формировании связывающей орбитали в системе упруго напряженных квантовых точек. Доп.точки доступа: Никифоров, А. И.; Двуреченский, А. В. |
Барыгин, И. А. Температурная зависимость концентрации дырок в модели p-металла с U-минус-центрами [Текст] / И. А. Барыгин, К. Д. Цэндин // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 1. - С. 28-32. - Библиогр.: с. 32 (11 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): концентрация дырок -- дырки -- дырочные металлы -- валентные зоны -- модель p-металла с U-минус-центрами -- высокотемпературные сверхпроводники Аннотация: В модели p-металла с U-минус-центрами исследована температурная зависимость концентрации дырок. Рассмотрены варианты модели с упрощенным представлением разрешенных зон и с квадратичным законом дисперсии в валентной зоне. Найдено, что зависимость концентрации дырок от температуры может иметь различный вид, определены области параметров модели, соответствующие различным видам. Полученные результаты применены для обсуждения связи нормальных и сверхпроводящих свойств высокотемпературных сверхпроводников. Доп.точки доступа: Цэндин, К. Д. |
Инжекция дырок в органические молекулярные твердые тела [Текст] / Н. С. Аверкиев [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 5. - С. 862-868. - Библиогр.: с. 868 (17 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): инжекция дырок -- органические молекулярные твердые тела -- инжекционный ток -- туннелированный переход -- инжекция носителей -- дырки Аннотация: Предложена модель для описания инжекции носителей (дырок) из металла в органические молекулярные твердые тела. Показано, что полный инжекционный ток ограничен процессом туннелирования между уровнями молекулы и состояниями в металле. Детально исследована роль фононов при туннельном переходе и оценен вклад от таких переходов в полный инжекционный ток в широком интервале температур. Доп.точки доступа: Аверкиев, Н. С.; Сударь, Н. Т.; Закревский, В. А.; Рожанский, И. В. |
Электронный спектр и рассеяние носителей тока в PbTe (Na+Te) [Текст] / Л. В. Прокофьева [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1195-1198 : ил. - Библиогр.: с. 1198 (11 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): межзонное рассеяние -- МР -- резонансное рассеяние -- спектры -- электронные спектры -- теллурид свинца -- PbTe -- дырки квазилокальных состояний -- квазилокальные состояния -- электропроводность -- термоэдс -- число Лоренца -- Лоренца число -- валентные зоны -- акцепторные примеси -- Na+Te -- температура -- эксперименталные данные -- рассеяние носителей тока Аннотация: В рамках двузонной модели с учетом межзонного рассеяния проведены расчеты концентрационных зависимостей кинетических коэффициентов в PbTe{Na + Te) в диапазоне 100-300 К. Результаты сопоставления расчетных и экспериментальных данных для температур ~ 100 К имеют противоречивый характер. Преодолеть эти трудности позволяет предположение о существовании в энергетическом спектре дырок квазилокальных состояний, связанных с введением Na + Те. Резонансное рассеяние носителей тока в эти состояния вносит как количественные (электропроводность), так и качественные (термоэдс, число Лоренца) изменения в температурное и концентрационное поведение транспортных свойств. На основании анализа результатов делается вывод, что роль резонансного рассеяния при низких температурах является основной. Предложен механизм образования квазилокальных состояний в валентной зоне материалов данной группы. Доп.точки доступа: Прокофьева, Л. В.; Пшенай-Северин, Д. А.; Константинов, П. П.; Шабалдин, А. А. |
Маслов, А. Ю. Роль интерфейсных фононов при формировании поляронных состояний в квантовых ямах [Текст] / А. Ю. Маслов, О. В. Прошина // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 200-204 : ил. - Библиогр.: с. 204 (11 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): интерфейсные фононы -- поляроны большого радиуса -- поляронные состояния -- электронные поляроны -- поляронный экситон -- квантовые ямы -- фононные спектры -- оптические фононы -- барьеры -- заряженные частицы -- электроны -- дырки Аннотация: Построена теория полярона большого радиуса в квантовой яме с учетом взаимодействия заряженных частиц с различными ветвями фононного спектра. Показано, что в узких квантовых ямах основной вклад в энергию связи полярона вносит взаимодействие с симметричными интерфейсными фононами. В результате такого взаимодействия энергия связи полярона определяется эффективной массой носителей в квантовой яме и поляризационными свойствами барьеров. Исследованы возможности возникновения поляронного экситона в квантовой яме при наличии сильного взаимодействия заряженных частиц с оптическими фононами. Найдены условия, при которых не происходит значительной компенсации поляризационных полей, созданных электроном и дыркой. Доп.точки доступа: Прошина, О. В. |
Dynamics and distribution of doped holes in the CuO[2] plane of slightly doped antiferromagnetic YBa[2] (Cu[1-z]Li[z]) [3]O[6+x] (x less 0. 1) studied by Cu (1) NQR [Text] / A. V. Savinkov [et al. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91. N 2. - С. 89-96
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): антиферромагнетик -- ядерно-квадрупольный резонанс -- примесные дырки -- распределение дырок -- сверхтекучая фаза -- магнитная разупорядоченность Доп.точки доступа: Savinkov, A. V.; Dooglav, A. V.; Alloul, H.; Mendels, P.; Bobroff, J.; Collin, G.; Blanchard, N. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Arapkina, L. V. Atomic structure of Ge quantum dots on the Si (001) surface [Text] / L. V. Arapkina, V. A. Yuryev // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91. N 6. - С. 301-305
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): квантовые дырки -- германий -- кремниевая поверхность -- кластеры -- пирамидальные кластеры -- клиновидные кластеры Доп.точки доступа: Yuryev, V. A. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Биения осцилляций Шубникова - де Гааза в двумерной дырочной системе в квантовой яме InGaAs [Текст] / С. И. Дорожкин [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91. N 6. - С. 312-317
Рубрики: Физика Квантовая механика Кл.слова (ненормированные): тяжелые дырки -- осцилляции Шубникова - де Гааза -- Шубникова - де Гааза осцилляции -- гетероструктуры -- двумерный дырочный канал -- квантование дырок Аннотация: На образце гетероструктуры InGaAs/GaAs с двумерным дырочным каналом выполнены измерения магнетосопротивления в квантующих магнитных полях. Обнаружены биения осцилляций Шубникова - де Гааза, свидетельствующие о снятии спинового вырождения в исследованной системе за счет спин-орбитального взаимодействия. Наблюдена независимость картины осцилляций от компоненты магнитного поля, параллельной двумерной системе, что характерно для подзон размерного квантования тяжелых дырок. Доп.точки доступа: Дорожкин, С. И.; Скворцова, М. О.; Кудрин, А. В.; Звонков, Б. Н.; Данилов, Ю. А.; Вихрова, О. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Легирование полупроводников A{IV}B{VI} и энергетический спектр дырок с учетом резонансных состояний [Текст] / Л. В. Прокофьева [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 6. - С. 742-748. : ил. - Библиогр.: с. 747 (11 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): легирование полупроводников -- полупроводники А{IV}В{VI} -- энергетические спектры дырок -- дырки -- акцепторное легирование -- твердые растворы -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент -- термоэдс -- электропроводность -- резонансные состояния -- PbTe -- теллурид свинца -- кинетические явления Аннотация: В широких концентрационном и температурном диапазонах проведены исследования кинетических явлений в твердом растворе Pb[0. 5]Sn[0. 5]Te при двух видах акцепторного легирования: сверхстехиометрическим теллуром и совокупностью равных количеств атомов Na и Te, в последнем случае использовались две добавки с 1. 0 и 1. 5 ат% каждого компонента; достигнутные при этом плотности дырок существенно превосходили максимум значений, соответствующих образцам Pb[0. 5]Sn[0. 5]Te Доп.точки доступа: Прокофьева, Л. В.; Равич, Ю. И.; Пшенай-Северин, Д. А.; Константинов, П. П.; Шабалдин, А. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Расчет подвижности носителей заряда в алмазе при низких температурах [Текст] / А. С. Батурин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 7. - С. 897-901. : ил. - Библиогр.: с. 901 (17 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): заряды -- подвижность зарядов -- низкие температуры -- квазиупругие приближения -- КП -- функции распределения -- кинетическое уравнение Больцмана -- Больцмана кинетическое уравнение -- монокристаллы алмаза -- алмазы -- неупругое приближение -- НП -- акустические фононы -- электроны -- дырки -- низкотемпературные электрофизические эксперименты Аннотация: Проведены численные оценки различий квазиупругого и неупругого приближений для расчета подвижности электронов и дырок в алмазе при низких температурах, когда неупругость рассеяния носителей на акустических фононах становится существенной. Вычисления показали, что подвижность, отвечающая почти равновесной функции распределения, даже при температуре 20 K в несколько раз отличается от значения, получаемого в квазиупругом приближении. Полученные результаты важны для интерпретации низкотемпературных электрофизических экспериментов в высокочистых монокристаллах алмаза. Доп.точки доступа: Батурин, А. С.; Горелкин, В. Н.; Соловьев, В. Р.; Черноусов, И. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Беляков, В. А. Миграция возбужденных носителей в ансамблях нанокристаллов кремния, легированных фосфором [Текст] / В. А. Беляков, А. А. Конаков, В. А. Бурдов // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1466-1469. : ил. - Библиогр.: с. 1469 (14 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): излучательная рекомбинация -- нанокристаллы кремния -- кремниевые нанокристаллы -- нанокристаллы -- возбужденные носители -- электроны -- дырки (физика) -- легирование фосфором -- миграция возбужденных носителей -- фосфор -- туннелирование электронов Аннотация: Выполнен расчет скороcти туннельной миграции возбужденных носителей (электронов и дырок) в ансамбле нанокристаллов кремния, легированных фосфором. Показано, что, начиная с некоторых значений концентрации фосфора, зависящих от соотношения между размерами эмиттирующего и принимающего нанокристаллов, скорость туннелирования электронов резко падает (на несколько порядков) и становится меньше скорости излучательной межзонной рекомбинации. Доп.точки доступа: Конаков, А. А.; Бурдов, В. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Циклотронный резонанс дырок в гетероструктурах InGaAs/GaAs с квантовыми ямами в квантующих магнитных полях [Текст] / А. В. Иконников [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1539-1542. : ил. - Библиогр.: с. 1541 (5 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- InGaAs/GaAs -- циклотронный резонанс -- ЦР -- квантовые ямы -- КЯ -- квантовые каскадные лазеры -- ККЛ -- магнитные поля -- уровни Ландау -- Ландау уровни -- спиновая релаксация -- время спиновой релаксации -- дырки (физика) Аннотация: Исследованы спектры циклотронного резонанса дырок в селективно-легированных гетероструктурах InGaAs/GaAs с квантовыми ямами в импульсных магнитных полях до 50 Тл при 4. 2 K. Подтвержден обнаруженный ранее эффект инвертированного (по сравнению с результатами одночастичного расчета уровней Ландау) соотношения интегральных интенсивностей двух расщепившихся компонент линии циклотронного резонанса, связываемый с эффектами обменного взаимодействия дырок. Обнаружено, что на восходящей и нисходящей ветвях импульса магнитного поля соотношения интенсивностей компонент линии циклотронного резонанса сильно различаются, что может быть связано с большим временем спиновой релаксации дырок между двумя нижними уровнями Ландау, составляющим десятки миллисекунд. Доп.точки доступа: Иконников, А. В.; Спирин, К. Е.; Гавриленко, В. И.; Козлов, Д. В.; Драченко, О.; Schneider, H.; Helm, M. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Дадамирзаев, М. Г. Разогрев носителей заряда и выпрямление тока на несимметричном p-n-переходе в сверхвысокочастотном электромагнитном поле [Текст] / М. Г. Дадамирзаев // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 299-302. : ил. - Библиогр.: с. 302 (5 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): носители заряда -- выпрямление тока -- p-n переходы -- сверхвысокочастотное электромагнитное поле -- СВЧ поле -- несимметричные p-n переходы -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- электродвижущие силы -- ЭДС -- высокотемпературные носители тока -- холостой ход -- напряжение холостого хода -- температура электронов -- дырки (физика) Аннотация: ЭДС горячих носителей заряда U[oc], генерируемая на несимметричном p-n-переходе в сверхвысокочастотном электромагнитном поле, несмотря на то, что температура электронов гораздо выше, чем дырок, определяется горячими дырками. Установлено, что напряжение холостого хода определяется температурой тех носителей, которые определяют полный ток через p-n-переход. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Спектроскопия фотоотражения электронно-дырочных состояний квантовой ямы GaAs/InGaAs/GaAs переменной ширины [Текст] / Л. П. Авакянц [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 330-334. : ил. - Библиогр.: с. 334 (19 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): спектроскопия фотоотражения -- метод спектроскопии фотоотражения -- электронно-дырочные состояния -- квантовые ямы -- GaAs/InGaAs/GaAs -- квантование электронов -- электроны -- дырки (физика) -- гетероструктуры -- экспериментальные данные -- гетропереходы -- излучения -- валентные зоны Аннотация: Методом спектроскопии фотоотражения исследован спектр электронно-дырочных состояний в квантовой яме GaAs/In[0. 5]Ga[0. 5]As переменной ширины от 1. 1 до 3. 6 нм. Произведен расчет энергий уровней размерного квантования электронов и дырок с учетом деформационно-индуцированных изменений зонной структуры квантовой ямы. Показано, что наилучшее совпадение экспериментальных данных с результатами расчета достигается при отношении разрывов зон проводимости и валентной на гетеропереходе Q=Delta E[c]/Delta E[v]=0. 62/0. 38. Обнаружен сигнал фотоотражения в области тени модулирующего излучения на расстояниях до 6 мм между пятнами зондирующего и модулирующего излучений. Доп.точки доступа: Авакянц, Л. П.; Боков, П. Ю.; Глазырин, Е. В.; Казаков, И. П.; Червяков, А. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Влияние гидрогенизации на электрофизические свойства эпитаксиальных структур Cd[x]Hg[1-x]Te [Текст] / В. С. Варавин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 408-413. : ил. - Библиогр.: с. 413 (7 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гидрогенизация пленок -- пленки -- электрофизические свойства -- гетероэпитаксиальные структуры -- ГЭС -- электрохимическая обработка -- акцепторные центры -- водород -- активация -- дырки (физика) Аннотация: Исследовано явление гидрогенизации пленок Cd[x]Hg[1-x]Te. Гидрогенизация осуществлялась путем кипячения пленок Cd[x]Hg[1-x]Te в деионизованной воде либо с помощью электрохимических обработок. Установлено, что при контакте с водными средами в пленки вводятся акцепторные центры, концентрация которых может превышать 10{17} см{-3}. Показано, что вводятся два типа акцепторов на основе водорода: быстрые и медленные, оценены их коэффициенты диффузии. Обнаружено, что часть водорода после обработок присутствует в электрически неактивном виде и может активироваться при дальнейшем хранении либо при прогревах. После активации концентрация дырок может достигать 10{18} см{-3}. Обсуждается влияние pH среды на скорость введения водорода в материал. Доп.точки доступа: Варавин, В. С.; Сидоров, Г. Ю.; Гарифуллин, М. О.; Вишняков, А. В.; Сидоров, Ю. Г. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Энергетический спектр и оптические переходы в наногетероструктурах на основе твердых растворов теллурида кадмия и ртути [Текст] / А. В. Шиляев [и др.] // Научно-технические ведомости СПбГПУ. Сер.: Физико-математические науки. - 2012. - № 2 (146). - С. 69-73 : ил., табл. - Библиогр.: с. 73 (6 назв.) . - ISSN 1994-2354
Рубрики: Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): твердые растворы -- кадмий-ртуть-теллур -- фотолюминесценция -- энергетические спектры -- непараболичность закона дисперсии -- наногетероструктуры -- оптические переходы -- квантовые ямы -- тяжелые дырки -- легкие дырки -- закон дисперсии Аннотация: Представлены результаты экспериментов по исследованию фотолюминесценции наногетероструктур CdHgTe. Проведен расчет положения уровней размерного квантования для реальных образцов CdHgTe с квантовыми ямами с учетом эффекта непараболичности закона дисперсии. Экспериментально подтверждена возможность наблюдения оптических переходов с участием электронов и легких дырок в структурах с квантовыми ямами.Experimental results of photoluminescence in CdHgTe nanoheterostructures are presented. Calculations of size-quantization levels in CdHgTe with quantum wells were performed with account for the effect of nonparabolicity of the energy-versus-wave vector dependence. Our experiments confirmed possibility of observation optical transitions involving electrons and light holes in the quantum-well structures. Доп.точки доступа: Шиляев, Артем Владимирович; Баженов, Николай Леонидович; Мынбаев, Карим Джафарович; Зегря, Георгий Георгиевич (1954-) Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Особенности структурных изменений в жаропрочном сплаве 45Х26Н33С2Б2 при температурах эксплуатации [Текст]. Сообщ. 3. Механизм и кинетика фазовых превращений / А. И. Рудской [и др.] // Научно-технические ведомости СПбГПУ. Сер.: Наука и образование. - 2012. - № 3 (154), ч. 2. - С. 143-150 : ил., табл. - Библиогр.: с. 150 (8 назв.) . - ISSN 1994-2354
Рубрики: Технология металлов Металловедение черных металлов и сплавов Кл.слова (ненормированные): жаропрочные сплавы -- фазовые превращения -- кинетика фазовых превращений -- жаростойкие сплавы -- литые сплавы -- трансформация структуры сплавов -- растворение фаз -- железо-хром-никелевые сплавы -- электронные дырки -- фазовый состав -- структурная стабильность Аннотация: На основании результатов экспериментальных исследований и расчетно-теоретического анализа объяснен механизм фазовых превращений в литом жаропрочном сплаве 45Х26Н33С2Б2 при температуре 1150 градусов Цельсия. Показано, что фактором, определяющим направленность процесса трансформации структуры (образование, рост и растворение фаз) при длительных высокотемпературных выдержках в сплавах на железо-хром-никелевой основе является концентрация электронных дырок. При этом кинетически процесс лимитируется диффузией элемента замещения с наибольшим соотношением его концентрации в новой фазе и в матрице (С[ф]/С[0]).The mechanism of phase transformations in cast heat-resistant alloy 45Х26Н33С2Б2 at the temperature of 1150 Celsius is explained based on the results of experimental studies and calculated-and-theoretical analysis. It is shown that the factor determining the direction of the transformation of the structure (formation, growth and dissolution of phases) during long exposures to high temperature in alloys on the iron-chromium-nickel-base is the concentration of electron holes. The kinetically process is limited by the diffusion of the replacing item with the highest ratio of its concentration in a new phase and in the matrix (С[ф]/С[0]). Доп.точки доступа: Рудской, Андрей Иванович (1957-); Анастасиади, Григорий Панеодович; Орыщенко, Алексей Сергеевич; Кондратьев, Сергей Юрьевич; Фукс, Михаил Дмитриевич (1987-) Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Внутризонные оптические переходы дырок в напряженных квантовых ямах SiGe [Текст] / А. И. Якимов [и др.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2013. - Т. 97, вып. 3. - С. 180-184
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- напряженные квантовые ямы -- оптические переходы дырок -- поляризованное инфракрасное излучение -- инфракрасное излучение -- тяжелые дырки -- легкие дырки Аннотация: Изучены спектры оптического поглощения поляризованного инфракрасного излучения в структурах с квантовыми ямами SiGe p-типа. Исследовались три типа структур, различающихся величиной и знаком двуосных упругих деформаций. Обнаружено, что при растяжении квантовой ямы в плоскости гетероперехода происходит двукратное увеличение коэффициента поглощения света в области межподзонных переходов. Полученные результаты объяснены сменой очередности расположения зон тяжелых и легких дырок, вызванной деформацией растяжения, и формированием основного состояния носителей заряда в зоне легких дырок. Доп.точки доступа: Якимов, А. И.; Кириенко, В. В.; Тимофеев, В. А.; Никифоров, А. И. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Васильченко, А. А. Квазидвумерная электронно-дырочная жидкость в мелких квантовых ямах SiGe/Si [Текст] / А. А. Васильченко, Г. Ф. Копытов, В. С. Кривобок // Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 2. - С. 3-7 : рис., табл. - Библиогр.: c. 7 (10 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Квантовая теория поля Математическая физика Кл.слова (ненормированные): Шредингера уравнение -- внешнее электрическое поле -- вычисление энергии ЭДЖ -- квазидвумерная электронно-дырочная жидкость -- квантовые ямы -- легкие и тяжелые дырки -- мелкие квантовые ямы -- структура SiGe/Si -- структура кремний-германий/кремний -- уравнение Шредингера -- электронно-дырочная жидкость -- электронно-дырочные пары Аннотация: Получено аналитическое выражение для энергии квазидвумерной электронно-дырочной жидкости (ЭДЖ) в мелких квантовых ямах. Показано, что в структурах Si/Si[1-x] Ge[x]/Si при малых x ЭДЖ содержит легкие и тяжелые дырки. С увеличением x происходит переход ЭДЖ в состояние с тяжелыми дырками, а равновесная плотность электронно-дырочных пар сильно уменьшается. Изучено влияние внешнего электрического поля на свойства ЭДЖ. Доп.точки доступа: Копытов, Г. Ф.; Кривобок, В. С. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Васильченко, А. А. Квазидвумерная электронно-дырочная жидкость в магнитном поле [Текст] / А. А. Васильченко, Г. Ф. Копытов // Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 5. - С. 89-93 : рис. - Библиогр.: c. 93 (9 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): квазидвумерная электронно-дырочная жидкость -- легкие и тяжелые дырки -- магнитное поле -- равновесная плотность -- электронная дырочная жидкость -- электронно-дырочная жидкость Аннотация: Получено аналитическое выражение для энергии трехкомпонентной электронно-дырочной жидкости (ЭДЖ) в магнитном поле. Приведены результаты вычислений свойств ЭДЖ в квантовых ямах Si/Si[1-x]Ge[x]/Si. Выявлено влияние магнитного поля на свойства и стабильность ЭДЖ в зависимости от концентрации германия в слое SiGe. Найдено, что равновесная плотность электронно-дырочных пар сильно возрастает с увеличением магнитного поля. Показано, что зависимости факторов заполнения уровней Ландау от магнитного поля имеют форму плато. Доп.точки доступа: Копытов, Г. Ф. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |