Цыпленков, В. В. Влияние одноосной деформации на релаксацию возбужденных состояний мелких доноров в кремнии при взаимодействии с междолинными фононами [Текст] / В. В. Цыпленков, К. А. Ковалевский, В. Н. Шастин // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1450-1455 : ил. - Библиогр.: с. 1455 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фононы -- междолинные фононы -- рассеяние -- междолинное рассеяние -- доноры (физика) -- фосфор -- сурьма -- мышьяк -- деформация -- одноосная деформация -- релаксация (физика) -- электрон-фононное взаимодействие -- кремний -- анизотропия -- электроны -- возбуждение -- оптическое возбуждение -- состояния -- возбужденные состояния -- рабочие состояния -- время жизни состояний Аннотация: Проведены расчеты скорости междолинного рассеяния возбужденных состояний 2[p±], 2[p0] и 1[s] доноров V группы (фосфор, сурьма, мышьяк) в кремнии при электрон-фононном взаимодействии. При этом учитывалась анизотропия эффективной массы и вырождение состояний электронов, связанное с шестью долинами зоны проводимости. Определена степень влияния сдвига энергии основного состояния из-за потенциала центральной ячейки на процесс релаксации различных доноров. Особое внимание уделено зависимости темпа релаксации от деформации сжатия кремния в кристаллографическом направлении [100]. Установлено, что такая деформация может значительно увеличить времена жизни рабочих состояний в лазере на внутрицентровых переходах доноров в кремнии при их оптическом возбуждении, повышая квантовую эффективность и коэффициент усиления такой активной среды. Доп.точки доступа: Ковалевский, К. А.; Шастин, В. Н. |
Орлова, Е. Е. Температурная зависимость инверсной заселенности на внутрицентровых переходах мелких примесей в полупроводниках [Текст] / Е. Е. Орлова // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1504-1510. : ил. - Библиогр.: с. 1509-1510 (13 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): температурная зависимость -- инверсия -- лазерные переходы -- примесные состояния -- термическая ионизация -- рекомбинация -- оптические фононы -- излучение фононов -- инверсная населенность -- доноры (физика) Аннотация: Проведен анализ основных факторов температурной зависимости инверсной заселенности на переходах мелких примесей в полупроводниках в рамках четырехуровневой схемы инверсии: заполнение нижнего состояния лазерного перехода при разогреве с основного состояния, уменьшение населенности долгоживущего примесного состояния из-за термической ионизации и при увеличении скорости прямой рекомбинации на основное состояние с излучением оптических фононов. Определены температуры, при которых указанные факторы становятся существенными. Показано, что термическая ионизация с долгоживущего состояния является основным фактором, определяющим температурное гашение стимулированного излучения на переходах по состояниям мелких доноров в кремнии. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |