Смирнов, О. Г. (канд. техн. наук). Проблемы молекулярной физики [Текст] / Смирнов О. Г. // Актуальные проблемы современной науки. - 2008. - N 3. - С. 162-171. - Библиогр.: с. 170-171 (9 назв. ) . - ISSN 1680-2721
Рубрики: Физика Молекулярная физика в целом Кл.слова (ненормированные): астрофизика -- молекулы -- закон Стефана-Больцмана -- Стефана-Больцмана закон -- постоянная Планка -- Планка постоянная -- Солнце -- скорость молекул -- скорость частиц материи -- длина волны -- излучение -- частицы материи -- экспериментальные исследования -- планеты -- Вселенная Аннотация: Экспериментальные исследования скорости мельчайших частиц материи. |
Влияние релаксации напряжений на формирование активной области гетероструктур InGaN/ (Al) GaN для светодиодов зеленого диапазона [Текст] / А. В. Сахаров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 841-846 : ил. - Библиогр.: с. 845-846 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): светодиоды -- светодиоды зеленого диапазона -- зеленые светодиоды -- гетероструктуры -- слои -- релаксация напряжений (физика) -- индий -- квантовые ямы -- длина волны -- излучения -- InGaN -- (Al) GaN -- GaN Аннотация: Исследованы процессы формирования активных областей для зеленых светодиодов на основе многослойных напряженных наногетероструктур InGaN/GaN. Показано, что на формирование таких структур существенное влияние оказывает релаксация упругих напряжений, приводящая к повышению встраивания индия в слои InGaN. Для структур, излучающих в синем спектральном диапазоне, увеличение числа квантовых ям от 1 до 10 не приводит к релаксации напряжений и сдвигу длины волны излучения, в то время как для структур, излучающих в зеленом диапазоне, увеличение числа квантовых ям от 1 до 5 приводит к монотонному увеличению длины волны излучения. Доп.точки доступа: Сахаров, А. В.; Лундин, В. В.; Заварин, Е. Е.; Синицын, М. А.; Николаев, А. Е.; Усов, С. О.; Сизов, В. С.; Михайловский, Г. А.; Черкашин, Н. А.; Hytch, M.; Hue, F.; Яковлев, Е. В.; Лобанова, А. В.; Цацульников, А. Ф. |
Бут, А. В. Фотоэлектрические сигнатуры кристаллов CdZnTe [Текст] / А. В. Бут, В. П. Мигаль, А. С. Фомин // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1257-1260 : ил. - Библиогр.: с. 1259-1260 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- CdZnTe -- сигнатуры -- фотоэлектрические сигнатуры -- дефекты -- фотоотклики -- твердые растворы -- фототоки -- координаты -- длина волны -- частота сигналов Аннотация: Для выявления распределения явных и скрытых электрически активных дефектов различного типа и разного масштаба, влияющих на фотоотклик твердых растворов Gd[1-x]Zn[x]Te (x = 0. 05-0. 2), предложено сопоставление локальных фотоэлектрических сигнатур U-I (y) [f, lambda] различных участков образца (U - тестирующее напряжение, I - фототок, у - координата, lambda - длина волны, f - частота тестирующего сигнала), в то время как для поиска локальных неустойчивостей фотоотклика наиболее подходят совокупности интегральных сигнатур U-I (Delta y) [f, lambda]. Впервые показано, что многомасштабность и согласованность полей дефектов и воздействующего поля порождает спектральные особенности фотоотклика (перестройку спектров, проявление скрытых полос фоточувствительности), которые наиболее полно и интегративно отображаются на сигнатурах спектров фототока I (lambda) -dI/dlambda. Доп.точки доступа: Мигаль, В. П.; Фомин, А. С. |
Мощные диодные лазеры (lambda=1. 7-1. 8 мкм) на основе асимметричных квантово-размерных гетероструктур раздельного ограничения InGaAsP/InP [Текст] / А. В. Лютецкий [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 12. - С. 1646-1649 : ил. - Библиогр.: с. 1648-1649 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): лазеры -- диодные лазеры -- квантово-размерные двойные гетероструктуры раздельного ограничения -- КР ДГС РО -- твердые растворы -- InGaAsP/InP -- МОС-гидридная эпитаксия -- метод МОС-гидридной эпитаксии -- наногетероструктуры -- оптические излучения -- длина волны -- волноводы -- расширенные волноводы -- квантово-размерные слои -- мощности -- оптические мощности -- апертура -- температура -- мощные диодные лазеры Аннотация: Экспериментально показаны преимущества концепции мощных полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур диапазона длин волн излучения 1700-1800 нм, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии в системе твердых растворов InGaAsP/InP. Установлено, что применение расширенного волновода позволяет снизить внутренние оптические потери до 2 см{-1} в квантово-размерных асимметричных двойных гетероструктурах раздельного ограничения InGaAsP/InP, излучающих на длине волны 1. 76 мкм. На основе разработанных гетероструктур созданы многомодовые лазеры, излучающие оптическую мощность 2. 5 Вт в апертуре 100 мкм при комнатной температуре в непрерывном режиме. Показано, что применение сильно напряженных квантово-размерных слоев InGaAsP в качестве активной области позволяет получать значения характеристической температуры T[0]=50-60 K. Доп.точки доступа: Лютецкий, А. В.; Пихтин, Н. А.; Фетисова, Н. В.; Лешко, А. Ю.; Слипченко, С. О.; Соколова, З. Н.; Рябоштан, Ю. А.; Мармалюк, А. А.; Тарасов, И. С. |
Диссипативные потери среднего инфракрасного излучения в диэлектрическом волноводе [Текст] / Н. С. Аверкиев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 256-259 : ил. - Библиогр.: с. 258 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): инфракрасные излучения -- диссипативные потери -- волноводы -- диэлектрические волноводы -- электромагнитные излучения -- длина волны -- потери -- волноводные слои -- длинноволновые излучения -- толщина волны Аннотация: В трехслойном планарном диэлектрическом волноводе, совмещенном с гетеролазером, теоретически исследованы диссипативные потери электромагнитного излучения с длинами волн 20-55 мкм. Показано, что зависимость потерь от толщины волноводного слоя имеет различный вид для различных длин волн в диапазоне 20-55 мкм. Наименьшие потери (несколько обратных сантиметров) испытывает излучение с длиной волны lambda=20 мкм. С увеличением длины волны потери возрастают, и для lambda=40 мкм достигают значения 150 см{-1}, которое практически не зависит от толщины волноводного слоя. Для электромагнитного излучения с lambda=50 и 55 мкм наблюдается резкое (в сотни раз) уменьшение потерь при увеличении толщины волноводного слоя. Доп.точки доступа: Аверкиев, Н. С.; Слипченко, С. О.; Соколова, З. Н.; Тарасов, И. С. |
Мощные светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSbP для спектроскопии метана (lambda~3. 3 мкм) [Текст] / А. П. Астахова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 278-284 : ил. - Библиогр.: с. 284 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): светодиоды -- двойные гетероструктуры -- InAs/InAsSbP -- газофазная эпитаксия -- ГФЭ -- метод газофазной эпитаксии -- металлоорганические соединения -- подложки -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- электролюминесцетные характеристики -- светоизлучающие кристаллы -- чипы -- эпитаксиальные слои -- спектральные характеристики -- инжекция -- квантовая характеристика -- квантовая эффективность -- излучательная рекомбинация -- квантовый выход -- длина волны -- мощные светодиоды -- светоизлучающие структуры -- оптическая мощность -- квазинепрерывный режим Аннотация: Исследованы два типа конструкций светодиодов на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs/InAsSbP, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений на подложках p- и n-InAs. Изучены вольт-амперные и электролюминесцетные характеристики созданных светодиодов. Показано, что конструкция светодиода со светоизлучающим кристаллом (чипом), смонтированным эпитаксиальным слоем к корпусу прибора и выводом излучения через подложку n-InAs, обеспечивает лучший отвод тепла и, как следствие, устойчивость спектральных характеристик при увеличении тока инжекции и более высокую квантовую эффективность излучательной рекомбинации. Внутренний квантовый выход светоизлучающих структур с длиной волны lambda=3. 3-3. 4 мкм достигал величины 22. 3%. Оптическая мощность излучения светодиодов в квазинепрерывном режиме составляла 140 мкВт при токе 1 А, а в импульсном режиме достигала значения 5. 5 мВт при токе 9 А. Доп.точки доступа: Астахова, А. П.; Головин, А. С.; Ильинская, Н. Д.; Калинина, К. В.; Кижаев, С. С.; Серебренникова, О. Ю.; Стоянов, Н. Д.; Horvath, Zs. J; Яковлев, Ю. П. |
Мамедов, А. А. Влияние дефектности структуры кристаллов gamma-La[2 (1-x) ]Nd[2x]S[3] на их спектроскопические свойства [Текст] / А. А. Мамедов // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 440-444 : ил. - Библиогр.: с. 444 (7 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- комбинационное рассеяние света -- монокристаллы -- нелегированные монокристаллы -- спектры фотолюминесценции -- спектроскопические свойства -- кристаллы -- дефектность -- халькогениды -- редкоземельные ионы -- РЗ ионы -- ионы -- длина волны -- неодим Аннотация: Приводятся результаты исследования фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света нелегированных монокристаллов gamma-Ln[2]S[3] (Ln-редкоземельный ион), а также кинетики распада уровня {4}F[3/2] ионов неодима в этих кристаллах. Дается объяснение искажения кривой распада уровня {4}F[3/2] ионов неодима при возбуждении светом с длиной волны lambda=0. 53 мкм. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Шкляев, А. А. Фотолюминесценция в области длин волн 1. 5-1. 6 мкм слоев кремния с высокой концентрацией кристаллических дефектов [Текст] / А. А. Шкляев, А. В. Латышев, М. Ичикава // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 452-457 : ил. - Библиогр.: с. 457 (23 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- ФЛ -- длина волны -- кремний -- наноструктурированный кремний -- кристаллические дефекты -- дефекты -- концентрация дефектов -- рекомбинация -- центры рекомбинации -- мощность накачки -- оптические переходы Аннотация: Исследована фотолюминесценция слоев наноструктурированного кремния, который излучает в диапазоне длин волн 1. 5-1. 6 мкм в результате оптических переходов на глубокие уровни центров рекомбинации, созданные кристаллическими дефектами. Показано, что зависимость интенсивности фотолюминесценции от плотности мощности накачки хорошо описывается моделью с глубокими уровнями одного типа. Обнаружен сдвиг пика фотолюминесценции в область коротких волн при увеличении плотности мощности накачки. Сдвиг свидетельствует об изменениях степени заполнения глубоких уровней, которые происходят в условиях переноса носителей между центрами рекомбинации. Доп.точки доступа: Латышев, А. В.; Ичикава, М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Стимулированное излучение на длине волны 2. 5 мкм, при комнатной температуре, из оптически возбужденных структур на основе Cd[x]Hg[1-x]Te [Текст] / А. А. Андронов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 476-481 : ил. - Библиогр.: с. 481 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): стимулированное излучение -- спектры стимулированного излучения -- длина волны -- комнатная температура -- оптически возбужденные структуры -- возбужденные структуры -- Cd[x]Hg[1-x]Te -- КРТ -- кадмий–ртуть–теллур -- подложки -- GaAs-подложки -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии Аннотация: Обсуждаются основные требования к оптимизации структур на основе КРТ (Cd[x]Hg[1-x]Te) для увеличения длины волны стимулированного излучения из них при оптической накачке. Экспериментально продемонстрировано возникновение стимулированного излучения в диапазоне 2-2. 5 мкм при комнатной температуре на оптимизированных КРТ-структурах, выращенных на GaAs-подложках с помощью метода молекулярно-пучковой эпитаксии. Полученные экспериментальные данные являются первыми результатами по наблюдению стимулированного излучения на этих длинах волн при комнатной температуре из КРТ-структур. Измеренные при этом значения коэффициента усиления в активной среде являются весьма большими и доходят до значений 50 см{-1}, что позволяет надеяться на возможность дальнейшего продвижения в длинноволновую область. Доп.точки доступа: Андронов, А. А.; Ноздрин, Ю. Н.; Окомельков, А. В.; Варавин, В. С.; Михайлов, Н. Н.; Сидоров, Г. Ю. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Дьяков, С. А. Особенности фотолюминесценции ионов эрбия в структурах с аморфными и кристаллическими нанокластерами кремния в матрице диоксида кремния [Текст] / С. А. Дьяков, Д. М. Жигунов, В. Ю. Тимошенко // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 486-490 : ил. - Библиогр.: с. 490 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- ФЛ -- ионы эрбия -- эрбий -- Er -- фотолюминесцентные свойства -- кремниевые нанокластеры -- аморфные нанокластеры -- нанокластеры -- нанокристаллы -- кремний -- диоксид кремния -- длина волны -- легирование -- время жизни ионов эрбия -- спектры фотолюминесценции -- кинетика фотолюминесценции -- сравнительный анализ -- кристаллические нанокластеры Аннотация: Исследованы фотолюминесцентные свойства структур аморфных и кристаллических кремниевых нанокластеров со средними размерами не более 4 нм в легированной эрбием матрице диоксида кремния. Установлено, что при увеличении концентрации ионов Er{3+} от 10{19} до 10{21} см{-3} времена жизни их фотолюминесценции на длине волны 1. 5 мкм уменьшаются от 5. 7 до 2. 0 мс в образцах с аморфными нанокластерами, в то время как для структур с нанокристаллами указанные времена лежат в диапазоне от 3. 5 до 1. 5 мс. Укорочение времен жизни эрбиевой фотолюминесценции с ростом концентрации ионов объясняется эффектами концентрационного тушения и влиянием остаточных постимплантационных дефектов, в то время как различие времен для образцов с аморфными и кристаллическими нанокластерами интерпретируется как проявление разных вероятностей обратной передачи энергии от ионов Er{3+} к твердотельной матрице в обсуждаемых типах структур. Доп.точки доступа: Жигунов, Д. М.; Тимошенко, В. Ю. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Остаточная фотопроводимость в гетероструктурах InAs/AlSb с двойными квантовыми ямами [Текст] / В. И. Гавриленко [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 642-648 : ил. - Библиогр.: с. 648 (18 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- InAs/AlSb -- остаточная фотопроводимость -- ОФП -- квантовые ямы -- КЯ -- фотопроводимость -- двойные квантовые ямы -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- Шубникова - де-Гааза осцилляции -- электроны -- длина волны -- электрические поля -- ионизованные доноры -- осцилляции Шубникова - де-Гааза Аннотация: Исследованы эффекты остаточной фотопроводимости в гетероструктурах InAs/AlSb с покрывающим слоем GaSb с двумерным электронным газом в двойных квантовых ямах InAs при T=4. 2 K. Из фурье-анализа осцилляций Шубникова-де-Гааза определены концентрации электронов в каждой из квантовых ям при различных длинах волн подсветки и прямым образом продемонстрирована сильная несимметричность структуры, вызванная встроенным электрическим полем. Выполнены самосогласованные расчеты энергетического профиля двойной квантовой ямы и определены значения концентраций ионизованных доноров с обеих сторон от ям, что позволило конкретизировать предложенный ранее механизм биполярной остаточной фотопроводимости в таких структурах. Доп.точки доступа: Гавриленко, В. И.; Иконников, А. В.; Криштопенко, С. С.; Ластовкин, А. А.; Маремьянин, К. В.; Садофьев, Ю. Г.; Спирин, К. Е. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Статистические распределения корреляционных признаков распознавания классов воздушных целей в РЛС дециметрового диапазона длин волн [Текст] / В. А. Юдин [и др. ] // Наукоемкие технологии. - 2010. - Т. 11, N 6. - С. 19-24. : ил. - Библиогр.: с. 24 (3 назв. )
Рубрики: Радиоэлектроника Радиолокация Кл.слова (ненормированные): статистические разделения -- корреляционные признаки -- распознавание целей -- воздушные цели -- дециметровый диапазон -- длина волны -- крупноразмерные цели -- среднеразмерные цели -- малоразмерные цели -- двухчастотные сигналы -- многочастотные сигналы -- пороговые значения -- математическое моделирование -- гистограммы -- РЛС -- радиолокационные системы Аннотация: Получены статистические распределения корреляционных признаков распознавания трех классов целей (крупноразмерные, сред неразмерные и малоразмерные) при обработке двух- и многочастотного сигналов, и определены пороговые значения, необходимые для принятия решений, методом математического моделирования для РЛС дециметрового диапазона длин волн. Доп.точки доступа: Юдин, В. А.; Панов, Д. В.; Васильченко, О. В.; Караваев, С. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Выращивание молекулярно-пучковой эпитаксией и характеризация квантовых каскадных лазеров на длину волны 5 мкм [Текст] / В. В. Мамутин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 7. - С. 995-1001. : ил. - Библиогр.: с. 1001 (12 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- квантовые каскадные лазеры -- ККЛ -- квантовые ямы -- КЯ -- длина волны -- сверхрешетки -- инжекция -- вертикальные переходы -- лазеры -- активные области -- время жизни -- излучение -- генерация -- температура Аннотация: Продемонстрированы квантовые каскадные лазеры, полученные молекулярно-пучковой эпитаксией, излучающие на длине волны 5. 0 мкм при 77 K и 5. 2 мкм при 300 K, основанные на четырехъямной схеме активной области с вертикальными переходами и с напряженно-компенсированными сверхрешетками с высокой эффективностью инжекции и коротким временем жизни основного состояния. Типичные пороги генерации при 300 K были в пределах 4-10 кА/см{2}. Максимальная мощность излучения достигала ~1 Вт, максимальная температура генерации ~450 K, максимальная характеристическая температура составляла T0~ 200 K. Использование модифицированного процесса постростовой обработки позволяло воспроизводимо получать высококачественные приборы. Доп.точки доступа: Мамутин, В. В.; Устинов, В. М.; Boetthcher, J.; Kuenzel, H. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Управление длиной волны излучения квантовых ям InGaAs/GaAs и лазерных структур на их основе с помощью протонного облучения [Текст] / С. А. Ахлестина [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1494-1497. : ил. - Библиогр.: с. 1497 (8 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- InGaAs/GaAs -- квантовые ямы -- КЯ -- лазерные структуры -- длина волны -- протонное облучение -- облучение протонами -- термический отжиг -- температура отжига -- лазерное излучение -- имплантация ионов -- границы раздела -- ионы Аннотация: Исследованы особенности управления длиной волны излучения лазерных гетероструктур с напряженными квантовыми ямами InGaAs/GaAs посредством облучения протонами средних энергий (до 150 кэВ). Установлено, что облучение ионами H{+} и последующий термический отжиг при температуре 700{o}C позволяют уменьшить длину волны излучения квантовых ям. С ростом дозы ионов от 10{13} до 10{16} см{-2} величина изменения длины волны увеличивается до 20 нм. При этом начиная с дозы 10{15} см{-2} наблюдается значительное уменьшение интенсивности излучения. Определены оптимальные дозы ионов H{+} (6 x 10{14} см{-2}) и температура отжига (700{o}C) для модифицирования лазерных структур InGaAs/GaAs/InGaP и показано, что в этом случае можно получить сдвиг ~8-10 нм длины волны лазерного излучения с малыми потерями интенсивности при сохранении качества поверхности лазерных структур. Наблюдаемый "синий" сдвиг обусловлен стимулированными имплантацией процессами перемешивания атомов Ga и In на границах раздела InGaAs/GaAs. Доп.точки доступа: Ахлестина, С. А.; Васильев, В. К.; Вихрова, О. В.; Данилов, Ю. А.; Звонков, Б. Н.; Некоркин, С. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Фотопроводимость структур InAs/GaAs с нанокластерами InAs в ближнем инфракрасном диапазоне [Текст] / А. В. Антонов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1511-1513. : ил. - Библиогр.: с. 1513 (8 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотопроводимость -- квантовые точки -- КТ -- нанокластеры -- гетероструктуры -- InAs/GaAs -- металл-органическая газофазная эпитаксия -- МОГФЭ -- метод металл-органической газофазной эпитаксии -- длина волны -- комнатная температура -- инфракрасный диапазон -- релаксация (физика) -- атмосферное давление -- реакторы Аннотация: Методом металл-органической газофазной эпитаксии в реакторе атмосферного давления изготовлены многослойные гетероструктуры InAs/GaAs, содержащие плотные массивы слабодефектных, частично релаксированных нанокластеров InAs, более крупных, чем бездефектные квантовые точки. Структуры имеют интенсивную фотопроводимость в диапазоне длин волн 1-2 мкм при комнатной температуре. Обнаружительная способность изготовленных макетов фотоприемников составляет D*=10{9} см x Гц{1/2} x Вт{-1}. Время релаксации фотопроводимости на длине волны 1. 5 мкм составляет менее 10 нс. Доп.точки доступа: Антонов, А. В.; Востоков, Н. В.; Дроздов, М. Н.; Молдавская, Л. Д.; Шашкин, В. И.; Хрыкин, О. И.; Яблонский, А. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Особенности механизмов возбуждения эрбиевой фотолюминесценции в эпитаксиальных структурах Si : Er/Si [Текст] / А. Н. Яблонский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1519-1522. : ил. - Библиогр.: с. 1522 (11 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- ФЛ -- эрбиевая фотолюминесценция -- межзонная фотолюминесценция -- эпитаксиальные структуры -- оптическое возбуждение -- спектры возбуждения -- длина волны -- экситоны -- свободные экситоны -- электронно-дырочная плазма -- ЭДП -- неравновесные носители заряда -- кремний -- Si -- Er/Si Аннотация: Проведено исследование спектров возбуждения и кинетики эрбиевой фотолюминесценции, а также межзонной фотолюминесценции кремния в эпитаксиальных структурах Si : Er/Si в условиях интенсивного импульсного оптического возбуждения. Показано, что в спектрах межзонной фотолюминесценции в структурах Si : Er/Si в зависимости от мощности и длины волны возбуждающего излучения может наблюдаться как люминесценция свободных экситонов, так и сигнал, связанный с образованием электронно-дырочной плазмы. Обнаружено, что возникновение пика в спектрах возбуждения эрбиевой фотолюминесценции при большой мощности излучения накачки коррелирует с наблюдением перехода Мотта "экситонный газ-электронно-дырочная плазма". Продемонстрировано существенное влияние концентрации неравновесных носителей заряда в структурах Si : Er/Si на характерные времена нарастания эрбиевой фотолюминесценции. Доп.точки доступа: Яблонский, А. Н.; Андреев, Б. А.; Красильникова, Л. В.; Крыжков, Д. И.; Кузнецов, В. П.; Красильник, З. Ф. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Особенности спектров возбуждения и кинетики фотолюминесценции структур Si[1-x]Ge[x]: Er/Si с релаксированным гетерослоем [Текст] / Л. В. Красильникова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1527-1532. : ил. - Библиогр.: с. 1531 (12 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- ФЛ -- люминесцентные свойства -- эпитаксиальные слои -- гетерослои -- длина волны -- спектры возбуждения -- кинетические характеристики -- эрбиевая люминесценция -- дефектно-примесные комплексы -- запрещенные зоны -- твердые растворы -- релаксация (физика) Аннотация: Проведено исследование люминесцентных свойств гетероэпитаксиальных структур Si[1-x]Ge[x]: Er/Si с релаксированным гетерослоем. По результатам совместных исследований спектров возбуждения и кинетики фотолюминесценции (ФЛ) выделены компоненты, вносящие преимущественный вклад в сигнал фотолюминесценции структур Si[1-x]Ge[x]: Er/Si в диапазоне длин волн 1. 54 мкм. Показано, что релаксация упругих напряжений в гетерослое Si[1-x]Ge[x]: Er слабо влияет на кинетические характеристики эрбиевой люминесценции и проявляется лишь в незначительном вкладе в люминесцентный отклик структур Si[1-x]Ge[x]: Er/Si дефектов и дефектно-примесных комплексов. В спектрах возбуждения эрбиевой ФЛ выделены особенности, связанные с возможностью возбуждения редкоземельной примеси при энергиях, меньших ширины запрещенной зоны твердого раствора Si[1-x]Ge[x]. Показано, что в спектрах возбуждения эрбиевой ФЛ в структурах Si[1-x]Ge[x]: Er/Si в области длин волн 1040-1050 нм наблюдается пик, ширина которого зависит от ширины запрещенной зоны твердого раствора и степени его релаксации. Наблюдаемые особенности объясняются вовлеченностью в процесс возбуждения иона Er{3+} промежуточных уровней в запрещенной зоне твердого раствора Si[1-x]Ge[x]: Er. Доп.точки доступа: Красильникова, Л. В.; Яблонский, А. Н.; Степихова, М. В.; Дроздов, Ю. Н.; Шенгуров, В. Г.; Красильник, З. Ф. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Переключение фотонной запрещенной зоны в трехмерных пленочных фотонных кристаллах на основе композитов опал-VO[2] в спектральной области 1. 3-1. 6 мкм [Текст] / А. Б. Певцов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 12. - С. 1585-1590. : ил. - Библиогр.: с. 1590 (26 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): запрещенные зоны -- фотонные запрещенные зоны -- ФЗЗ -- фотонные кристаллы -- ФК -- трехмерные фотонные кристаллы -- композиты -- опал -- спектральные области -- длина волны Аннотация: В актуальной для практических применений спектральной области 1. 3-1. 6 мкм (Telecom standard) выполнены численные расчеты параметров трехмерного фотонного кристалла на основе пленочного композита опал-VO[2]. Установлен диапазон степеней заполнения (0. 25-0. 6) опаловых пар, при которых исследуемый композит в этом интервале длин волн обладает свойствами трехмерного диэлектрического фотонного кристалла. Синтезированы пленочные трехмерные фотонные кристаллы на основе композитов опал-VO[2] с заданными параметрами, обеспечивающими при фазовом переходе полупроводник-металл в VO[2] максимальный сдвиг (~170 мэВ) фотонной запрещенной зоны в окрестности длин волн ~1. 5 мкм. Доп.точки доступа: Певцов, А. Б.; Грудинкин, С. А.; Поддубный, А. Н.; Каплан, С. Ф.; Курдюков, Д. А.; Голубев, В. Г. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Электролюминесценция на длине волны 1. 5 мкм в диодных структурах Si: Er/Si, легированных акцепторами Al, Ga, B [Текст] / В. П. Кузнецов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 12. - С. 1645-1648. : ил. - Библиогр.: с. 1648 (10 назв. )
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): электролюминесценция -- диодные структуры -- Si: Er/Si -- легированные акцепторы -- Al -- Ga -- B -- сублимационная эпитаксия -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- диоды -- толстые базы -- длина волны Аннотация: Слои Si: Er в диодных структурах легировались Al, Ga или B в процессе выращивания методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. Результат: в диодах с толстой базой (до 0. 8 мкм) наблюдалось резкое увеличение интенсивности электролюминесценции на длине волны 1. 5 мкм. Доп.точки доступа: Кузнецов, В. П.; Шмагин, В. Б.; Марычев, М. О.; Кудрявцев, К. Е.; Кузнецов, М. В.; Андреев, Б. А.; Карнаухов, А. В.; Горшков, О. Н.; Красильник, З. Ф. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Солнечные элементы конструкции LGCell из мультикристаллического кремния. Применение обработки атомарным водородом [Текст] / Г. Г. Унтила [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 379-386. : ил. - Библиогр.: с. 385-386 (23 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): солнечные элементы -- СЭ -- LGCell -- Laminated Grid Cell -- мультикристаллический кремний -- атомарный водород -- гидрогенизация -- холостой ход -- длина волны -- эмиттеры -- обработка водородом -- СВЧ-плазма -- энергодисперсионные спектры -- EDS Аннотация: Впервые получены солнечные элементы конструкции Laminated Grid Cell (LGCell) из мультикристаллического нетекстурированного кремния (mc-Si), эффективность которых составила 15. 9%. Исследовано влияние обработки (n{+}pp{+}) -mc-Si структур атомарным водородом, генерированным горячей нитью и СВЧ плазмой. Гидрогенизация увеличивает параметры кривых, характеризующие зависимость напряжения холостого хода от интенсивности излучения, и длинноволновую (длина волны lambda=1000 нм) чувствительность солнечного элемента на 10-20%, что свидетельствует о пассивации дефектов mc-Si. Гидрогенизация со стороны эмиттера вызывает увеличение последовательного сопротивления солнечного элемента, уменьшение коротковолновой (длина волны lambda=400 нм) чувствительности на 30-35%, а также появление пика кислорода в энергодисперсионных спектрах (EDS). Эти эффекты устраняются тонким подтравливанием эмиттера. Доп.точки доступа: Унтила, Г. Г.; Кост, Т. Н.; Чеботарева, А. Б.; Белоусов, М. Э.; Самородов, В. А.; Поройков, А. Ю.; Тимофеев, М. А.; Закс, М. Б.; Ситников, А. М.; Солодуха, О. И. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |