Скобов, В. Г. Нелинейный геликон-фононный резонанс в висмуте [Текст] / В. Г. Скобов, А. С. Чернов // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 6. - С. 1012-1014. - Библиогр.: с. 1014 (3 назв. )
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): висмут -- геликон-фононный резонанс -- максимум затухания звуковой волны -- нелинейный геликон-фононный резонанс -- резонанс Аннотация: Рассмотрено влияние нелинейности на геликон-фононный резонанс в висмуте. Показано. что в нелинейном режиме происходит расширение частотного диапазона, в котором возможен резонанс, и изменение формы резонансной кривой: нижняя граница этого диапазона понижается, а резонансный максимум затухания звуковой волны становиться выше и уже. Доп.точки доступа: Чернов, А. С. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Шеин, И. Р. Упругие параметры моно- и поликристаллических вюрцитоподобных BeO и ZnO: ab initio расчеты [Текст] / И. Р. Шеин [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 6. - С. 1015-1020. - Библиогр.: с. 1020 (46 назв. )
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): вюрцитоподобные монооксиды -- модель Фойхта-Реусса-Хилла -- модуль всестороннего сжатия -- модуль сдвига -- модуль Юнга -- монооксид бериллия -- монооксид цинка -- монооксиды -- упругие константы -- Фойхта-Реусса-Хилла модель -- Юнга модуль Аннотация: Полнопотенциальным линейным методом присоединенных плоских волн (FLAPW, код WIEN2K) выполнены расчеты структурных и упругих параметров (упругие константы, модули всестороннего сжатия, сдвига и модуль Юнга, коэффициенты Пуассона и Ламэ) идеальных вюрцитоподобных монооксидов бериллия и цинка. В рамках модели Фойхта-Реусса-Хилла проведена их аппроксимация для поликристаллических BeO и ZnO. Результаты сопоставлены с имеющимися экспериментальными данными и использованы для численных оценок скоростей звука и температур Дебая поликристаллов BeO и ZnO. Доп.точки доступа: Кийко, В. С.; Макурин, Ю. Н.; Горбунова, М. А.; Ивановский, А. Л. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Дубинин, С. Ф. Наноразмерные деформации решетки в кристалле ZnSe, легированном 3d-элементами [Текст] / С. Ф. Дубинин [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 7. - С. 1177-1182. - Библиогр.: с. 1182 (16 назв. )
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): диффузное рассеяние -- метод дифракции тепловых нейтронов -- наноразмерные деформации решетки -- наноразмерные сдвиговые смещения -- полупроводниковые кристаллы -- эффект Ян-Теллера -- Ян-Теллера эффект Аннотация: Методом дифракции тепловых нейтронов впервые исследовалось структурное состояние полупроводниковых кристаллов Zn[1-x]V{2+}[x]Se (x=0. 0018) и Zn[1-x]Cr{2+}[x]Se (x=0. 0006) при 300 и 120 K. Обнаружено, что дифракционные картины кристаллов содержат области диффузного рассеяния вблизи брэгговских отражений исходной кубической решетки. Результаты эксперимента обсуждаются во взаимосвязи с ранее полученной информацией по дифракции нейтронов и распространению ультразвука в соединениях Zn[1-x]Ni{2+}[x]Se (x=0. 0025), Zn[1-x]Cr{2+}[x]Se (x=0. 0029). Показано, что диффузное рассеяние обусловлено наноразмерными сдвиговыми деформациями решетки ZnSe, типы которых определяют ян-теллеровские 3d-ионы. Доп.точки доступа: Соколов, В. И.; Теплоухов, С. Г.; Пархоменко, В. Д.; Гудков, В. В.; Лончаков, А. Т.; Жевстовских, И. В.; Груздев, Н. Б. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Багаев, В. С. Рассеяние неравновесных акустических фононов в чистом крупнозернистом ZnSe с микродвойниковой хаотической структурой [Текст] / В. С. Багаев [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 7. - С. 1183-1188. - Библиогр.: с. 1188 (10 назв. )
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): акустические фононы -- неравновесные акустические фононы -- рассеяние акустических фононов -- свободный пробег фононов -- фононы -- фотолюминесценция Аннотация: Исследовано распространение неравновесных акустических фононов в крупнозернистом ZnSe, полученном химическим синтезом из паровой фазы как при оптической генерации фононов, так и при их генерации металлическим нагревателем. Материал характеризуется микродвойниковой структурой внутри хаотически ориентированных зерен. Исследования фононного транспорта в сочетании с низкотемпературной фотолюминесценцией, оптической и электронной микроскопией, а также рентгеноструктурным анализом позволили установить определяющую роль протяженных дефектов в процессах рассеяния высокочастотных акустических фононов в этом материале. Доп.точки доступа: Галкина, Т. И.; Шарков, А. И.; Клоков, А. Ю.; Мартовицкий, В. П.; Кривобок, В. С.; Клевков, Ю. В.; Черноок, С. Г. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Илясов, В. В. Рентгеновские спектры и электронная энергетическая структура азота в твердых растворах Al[x]Ga[1-x]N [Текст] / В. В. Илясов, Т. П. Жданова, И. Я. Никифоров // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 8. - С. . 1369-1372. - Библиогр.: с. 1372 (19 назв. )
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): азот -- рентгеновские спектры -- твердые растворы -- электронная энергетическая структура азота -- энергетический спектр электронов -- эпитаксиальные пленки Аннотация: Методом локального когерентного потенциала с использованием кластерной версии МТ-приближения в рамках теории многократного рассеяния рассчитана электронная энергетическая структура валентной полосы и области XANES азота в сплавах Al[x]Ga[1-x]N и кристаллах GaN и AlN. Рассчитанные плотности электронных состояний сопоставлены с K-спектрами эмиссии и поглощения азота. Проведено сравнение электронной энергетической структуры вершины валентной полосы и области XANES в сплавах Al[x]Ga[1-x]N и бинарных кристаллах GaN и AlN, дана интерпретация их особенностей. Приведены аналогии эволюции электронной структуры валентной полосы и области XANES данных сплавов и сплавов Al[x]B[1-x]N и B[x]Ga[1-x]N, обсуждаются их общие тенденции при изменении структуры и свойств. Доп.точки доступа: Жданова, Т. П.; Никифоров, И. Я. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Сошников, И. П. Особенности картин электронной дифракции нитевидных нанокристаллов GaAs, выращенных на подложках Si (100) и (111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии [Текст] / И. П. Сошников [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 8. - С. . 1373-1377. - Библиогр.: с. 1377 (23 назв. )
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): двойникование кристаллов -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- нитевидные нанокристаллы -- фазовые переходы -- фазовые переходы вюрцит/сфалерит -- электронная дифракция Аннотация: Методом дифракции быстрых электронов на отражение проведено исследование кристаллической структуры нитевидных нанокристаллов GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Si (111) и Si (100). Установлено, что дифракционные картины в обоих случаях содержат суперпозицию систем рефлексов, характерных для гексагональной (вюрцит и/или 4H) и кубической (сфалерит) фаз GaAs. Показано, что при росте на Si (111) формируются нитевидные нанокристаллы с гексагональной (вюрцит и/или 4H) и кубической (сфалерит) фазами с одной и двумя ориентациями соответственно. В случае роста на подложках Si (100) обнаружена система нитевидных нанокристаллов GaAs с кубической фазой и пятью различными ориентациями, а также гексагональной фазы с восемью ориентациями в плоскостях подложки типа (110). Проявление двойственной кристаллической структуры в нитевидных нанокристаллах объясняется фазовыми переходами вюрцит-сфалерит и/или двойникованием кристаллов. Доп.точки доступа: Цырлин, Г. Э.; Тонких, А. А.; Неведомский, В. Н.; Самсоненко, Ю. Б.; Устинов, В. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Шапошников, А. В. Электронная структура и эффективные массы электронов и дырок в альфа и бета фазах нитрида кремния [Текст] / А. В. Шапошников [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 9. - С. . 1554-1558. - Библиогр.: с. 1557-1558 (14 назв. )
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): альфа-фаза нитрида кремния -- бета-фаза нитрида кремния -- нитрид кремния -- эффективные массы дырок -- эффективные массы электронов Аннотация: Из первых принципов рассчитана электронная зонная структура двух основных кристаллических модификаций нитрида кремния альфа-Si[3]N[4] и бета-Si[3]N[4]. Полученные оценки для эффективных зарядов атомов Si и N и эффективных масс электронов и дырок в альфа-Si[3]N[4] хорошо согласуется с экспериментальными данными для аморфного нитрида. Расчеты предсказывают существенное отличие тензора эффективных масс для бета-Si[3]N[4] по сравнению с альфа-Si[3]N[4]. Доп.точки доступа: Петров, И. П.; Гриценко, В. А.; Kim, C. W. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Пшенай-Северин, Д. А. Влияние особенностей зонной структуры на термоэлектрические свойства полупроводника [Текст] / Д. А. Пшенай-Северин, М. И. Федоров // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 9. - С. . 1559-1562. - Библиогр.: с. 1562 (9 назв. )
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): зоны проводимости -- относительная подвижность электронов -- полупроводники -- проводимость -- термоэлектрическая эффективность -- эффективные массы носителей заряда Аннотация: Теоретически исследуется зависимость термоэлектрических параметров материала со сложной зонной структурой от энергетического положения зон и эффективных масс носителей тока. Указываются оптимальные значения параметров, приводящие к увеличению термоэлектрической добротности. Полученные результаты проиллюстрированы на примере твердых растворов Mg[2]Si-Mg[2]Sn n-типа, в которых сложная структура зоны проводимости является одной из причин повышения термоэлектрической эффективности. Доп.точки доступа: Федоров, М. И. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Ежовский, Ю. К. Характеристики границы раздела и свойства нанослоев оксидов хрома на арсениде галлия [Текст] / Ю. К. Ежовский, А. Л. Егоров // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 9. - С. . 1563-1567. - Библиогр.: с. 1567 (19 назв. )
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- атомно-слоевое осаждение -- метод молекулярного наслаивания -- оксид хрома -- оксид хрома на арсениде галлия -- ультратонкие хромоксидные слои Аннотация: Представлены результаты исследования электрофизических свойств ультратонких хромоксидных слоев (наноструктур), синтезированных на поверхности арсенида галлия (100) и (110) методом молекулярного наслаивания (атомно-слоевого осаждения). Установлено влияние технологических факторов и состава слоев на характеристики границы раздела полупроводник-диэлектрик. Доп.точки доступа: Егоров, А. Л. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Кулеев, И. Г. Анизотропия поглощения поперечного ультразвука в кубических кристаллах Ge, Si и алмаза с различным изотопическим составом [Текст] / И. Г. Кулеев, И. И. Кулеев // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 9. - С. . 1568-1575. - Библиогр.: с. 1575 (23 назв. )
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): ангармонический процесс рассеяния -- анизотропия -- изотопический процесс рассеяния -- кубические кристаллы -- Ландау-Румера механизм -- механизм Ландау-Румера -- поглощение поперечного ультразвука -- поперечный ультразвук Аннотация: Рассмотрено поглощение поперечного ультразвука в кристаллах германия, кремния и алмаза в условиях конкуренции изотопического и ангармонических процессов рассеяния. Проанализированы зависимости коэффициентов поглощения поперечного ультразвука от направления волнового вектора квазипоперечных фононов в модели анизотропного континуума. Для ангармонических процессов рассеяния рассмотрен механизм Ландау-Румера. Из известных значений упругих модулей второго и третьего порядка найдены параметры, определяющие коэффициенты поглощения ультразвука для рассмотренных кристаллов с различной степенью изотопического беспорядка. Показано, что для изотопического и ангармонических процессов рассеяния угловые зависимости коэффициентов поглощения поперечного ультразвука качественно различаются. Поэтому исследование анизотропии коэффициентов поглощения ультразвука в кубических кристаллах позволяет определить доминирующий механизм релаксации ультразвука в изотопически модифицированных кристаллах. Доп.точки доступа: Кулеев, И. И. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Торгашев, В. И. Дисперсия диэлектрических констант в висмут-стронциевом феррите (Bi, Sr) FeO[3-x] - перовскитоподобном твердом растворе с переменной валентностью [Текст] / В. И. Торгашев [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 9. - С. . 1576-1581. - Библиогр.: с. 1581 (26 назв. )
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): висмут-стронциевый феррит -- дисперсия -- диэлектрическая восприимчивость -- диэлектрическая проницаемость -- перовскитоподобные твердые растворы -- спектры отражения -- спектры пропускания Аннотация: Методами субмиллиметровой и ИК-спектроскопии впервые исследованы спектры отражения R (v) и пропускания Tr (v) поликристаллических твердых растворов Bi[0. 5]Sr[0. 5]FeO[2. 75] в области частот 7 < v < 4000 cm{-1} при температурах 10-300 K. Обнаружено большое несоответствие диэлектрических восприимчивостей, измеренных контактным (на частоте 10{3} Hz) и бесконтактным (THz-диапазон) способами. Предполагается, что на частотах ниже 100 cm{-1} ("подфононная" область) должны существовать мощные релаксационные возбуждения. Обсуждается их возможное происхождение. Доп.точки доступа: Волков, А. А.; Буш, А. А.; Жукова, Е. С.; Мигунов, С. Н.; Лобанов, А. Н.; Горшунов, Б. П. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Использование волноводных фотонных структур для измерения параметров нанометровых металлических слоев на изолирующих подложках [Текст] / Д. А. Усанов [и др. ] // Известия вузов. Электроника. - 2007. - N 6. - С. 25-32. - Библиогр.: с. 32 (10 назв. )
Рубрики: Радиоэлектроника Электроника Энергетика Электрические и магнитные измерения Кл.слова (ненормированные): фотонные кристаллы -- диэлектрики -- металлические пленки -- волноводные структуры -- измерения -- отражения Аннотация: Представлены результаты исследования возможности применения фотонных волноводных структур для измерения параметров нанометровых металлических слоев на изолирующих подложках. Доп.точки доступа: Усанов, Дмитрий Александрович; Скрипаль, Александр Владимирович; Абрамов, Антон Валерьевич; Боголюбов, Антон Сергеевич; Скворцов, Владимир Сергеевич; Мерданов, Мердан Казимагомедович |
Исследование свойств наноразмерных пленок титаната-цирконата свинца [Текст] / В. М. Рощин [и др. ] // Известия вузов. Электроника. - 2007. - N 5. - С. 3-7 : ил. - Библиогр.: с. 7 (7 назв. )
Рубрики: Энергетика Электрические и магнитные измерения Кл.слова (ненормированные): тонкие пленки -- пьезоэлектрические эффекты -- диффузионные процессы -- сплавы -- диэлектрики Аннотация: Исследованы характеристики пленок твердых растворов титанатов-цирконатов свинца толщиной 50-200 нм. Изучены морфология поверхности и состав пленок ЦТС, определены некоторые электрофизические характеристики полученных покрытий. Доп.точки доступа: Рощин, Владимир Михайлович; Яковлев, Виктор Борисович; Силибин, Максим Викторович; Ловягина, Мария Сергеевна |
Гришина, Екатерина Михайловна (аспирант). Целесообразность применения гибридных СВЧ электротехнологических установок [Текст] / Е. М. Гришина // Вестник Саратовского государственного технического университета. - 2007. - N 29. - С. 26-29. - Библиогр.: с. 29 (6 назв. )
Рубрики: Энергетика Электротехника Кл.слова (ненормированные): СВЧ-установки -- электротехнологические установки -- гибридные СВЧ-установки -- диэлектрики -- термообработка диэлектриков -- камеры лучевого типа Аннотация: Приведены соотношения для проверки целесообразности применения гибридных СВЧ электротехнологических установок для модификации диэлектриков. |
Гришина, Екатерина Михайловна (аспирант). Влияние параметров рабочей камеры лучевого типа на ее энергетическую эффективность [Текст] / Е. М. Гришина // Вестник Саратовского государственного технического университета. - 2007. - N 29. - С. 29-35. - Библиогр.: с. 35 (4 назв. )
Рубрики: Энергетика Электротехника Кл.слова (ненормированные): камеры лучевого типа -- диэлектрики -- СВЧ-генераторы -- модифицированные диэлектрики -- трансформаторы -- четвертьволновые трансформаторы Аннотация: Исследовано влияние геометрии камеры лучевого типа и диэлектрических параметров обрабатываемого диэлектрика на энергетическую эффективность рабочей камеры. |
Огурцов, Константин Николаевич (канд. техн. наук). СВЧ электротехнологические установки для высокотемпературного нагрева диэлектриков [Текст] / К. Н. Огурцов, М. В. Брюханов // Вестник Саратовского государственного технического университета. - 2007. - N 29. - С. 116-120. - Библиогр.: с. 120 (3 назв. )
Рубрики: Энергетика Электрический нагрев Кл.слова (ненормированные): СВЧ-нагрев -- СВЧ-установки -- диэлектрический нагрев -- электромагнитные поля -- электротермические установки -- диэлектрики -- высокотемпературный нагрев Аннотация: Рассмотрены возможности реализации высокотемпературных процессов нагрева диэлектриков. Проанализированы возможные методы нагрева диэлектриков до высоких температур. Предложены варианты рабочих камер для реализации высокотемпературных процессов нагрева диэлектриков в СВЧ электромагнитном поле. Доп.точки доступа: Брюханов, Михаил Владимирович (студент) |
Архангельский, Юрий Сергеевич (д-р техн. наук, проф.). К вопросу о получении максимальной удельной поглощенной мощности в камерах лучевого типа [Текст] / Ю. С. Архангельский, Е. М. Гришина // Вестник Саратовского государственного технического университета. - 2007. - N 29. - С. 136-140. - Библиогр.: с. 140 (1 назв. )
Рубрики: Энергетика Электротехника Кл.слова (ненормированные): камеры лучевого типа -- диэлектрики -- многогенераторные схемы -- энергоподводы -- свч-генераторы -- СВЧ-камеры Аннотация: Рассмотрен способ получения максимальной мощности, поглощаемой в камерах лучевого типа, с помощью многогенераторной схемы энергоподвода. Доп.точки доступа: Гришина, Екатерина Михайловна (аспирант) |
Слепцова, Салима Курмангалиевна. Исследование поликапроамидных нитей в СВЧ электромагнитном поле [Текст] / С. К. Слепцова, Д. М. Кульбацкий // Вестник Саратовского государственного технического университета. - 2007. - N 29. - С. 140-143. - Библиогр.: с. 143 (3 назв. )
Рубрики: Энергетика Электротехника Кл.слова (ненормированные): СВЧ-установки -- электромагнитные поля -- СВЧ электромагнитные поля -- поликапроамидные волокна -- СВЧ-облучения -- спектроскопия -- диэлектрики Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований ИК спектроскопии волокнистого поликапроамида в СВЧ электромагнитном поле. Доп.точки доступа: Кульбацкий, Дмитрий Михайлович (аспирант) |
Резонансные эффекты проявлений гибридизированных электронных состояний примесей железа в температурных зависимостях коэффициента поглощения и скорости распространения ультразвука в селениде ртути [Текст] / В. И. Окулов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып: вып. 11. - С. 1971-1975. - Библиогр.: с. 1975 (10 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): гибридизированные электронные состояния -- коэффициент поглощения -- селенид ртути -- селенид ртути с примесями железа -- скорость распространения ультразвука -- ультразвуковые волны -- фазовая скорость Аннотация: Исследованы температурные зависимости коэффициента поглощения и фазовой скорости ультразвуковых волн с частотой 52 MHz в кристаллах селенида ртути с примесями железа. Установлено, что влияние примесей с концентрацией порядка 10{19} cm{-3} приводит к появлению при температуре около 5 K резонансного пика в коэффициенте поглощения и к соответствующей аномалии скорости распространения медленной поперечной волны, распространяющейся вдоль направления (110). Показано, что наблюдавшиеся эффекты объясняются проявлением взаимодействия ультразвука с электронами в состояниях, возникающих при гибридизации состояний донорного энергетического уровня примесей железа с состояниями полосы проводимости кристалла. Предложены простое теоретическое описание и количественная интерпретация эффектов, в рамках которой получены данные о гибридизированных состояниях, согласующиеся с результатами развитой ранее трактовки температурных и концентрационных аномалий проводимости в изучавшихся кристаллах. Доп.точки доступа: Окулов, В. И.; Гудков, В. В.; Говоркова, Т. Е.; Жевстовских, И. В.; Лончаков, А. Т.; Паранчич, С. Ю. |
Эмиссия баллистических фотоэлектронов из p-GaN (Cs, O) с эффективным отрицательным электронным сродством [Текст] / А. А. Пахневич [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып: вып. 11. - С. 1976-1980. - Библиогр.: с. 1980 (23 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): баллистические фотоэлектроны -- отрицательное электронное сродство -- спектры квантовой эффективности -- фотоэлектроны -- фотоэмиссия -- эмиссия баллистических электронов Аннотация: Экспериментально исследована эмиссия баллистических фотоэлектронов из p-GaN (Cs, O) с эффективным отрицательным электронным сродством. При энергиях фотонов, меньших ширины запрещенной зоны GaN, когда эмиссия электронов обусловлена фотовозбуждением поверхностных и приповерхностных состояний, приращение энергии баллистических электронов равно приращению энергии возбуждающих фоонов, что подтверждает бездисперсионный характер начальных состояний. При энергиях фотонов, больших ширины запрещенной зоны, избыточная энергия света распределяется между кинетическими энергиями баллистических фотоэлектронов и дырок в зависимости от их эффективных масс. Эта закономерность была использована для определения эффективной массы дырок вдоль направления оси с кристаллической решетки GaN со структурой вюрцита. Доп.точки доступа: Пахневич, А. А.; Бакин, В. В.; Шайблер, Г. Э.; Терехов, А. С. |