Горбунов, А. В. Кинетика люминесценции диполярных экситонов в кольцевых ловушках [Текст] / А. В. Горбунов, А. В. Ларионов, В. Б. Тимофеев // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 86, вып: вып. 1. - С. 48-53
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): люминесценция -- диполярные экситоны -- кольцевые ловушки -- гетероструктуры -- кинетика спектров люминесценции -- импульсное нерезонансное лазерное фотовозбуждение -- экситонный газ Аннотация: Изучена кинетика спектров люминесценции диполярных экситонов, накапливаемых в кольцевых ловушках, при импульсном нерезонансном лазерном фотовозбуждении. Определена температура экситонного газа. Доп.точки доступа: Ларионов, А. В.; Тимофеев, В. Б. |
Двухфотонные корреляции люминесценции в условиях бозе-конденсации диполярных экситонов [Текст] / А. В. Горбунов [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 90, вып. 2. - С. 156-162
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): диполярные экситоны -- бозе-эйнштейновская конденсация -- парные фотонные корреляции -- шоттки-диод -- латеральная ловушка -- экситонный конденсат -- группировка фотонов Аннотация: Исследованы корреляции интенсивности люминесценции (коррелятор 2-го порядка g\{ (2) \} (тау), где тау - время задержки между регистрируемыми попарно фотонами) в условиях бозе-эйнштейновской конденсации диполярных экситонов в интервале температур 0. 45-4. 2 К. Фотовозбужденные диполярные экситоны накапливались в латеральной ловушке в GaAs/AlGaAs шоттки-диоде с одиночной широкой (25 нм) квантовой ямой при электрическом смещении, приложенном между гетерослоями. Измерения парных фотонных корреляций проводились с использованием двулучевого интерферометра интенсивностей с временным разрешением ~0. 4 нс по известной классической схеме Хэнбери Брауна-Твисса. В окрестности порога бозе-конденсации, который устанавливался по вырастанию в спектре люминесценции узкой линии экситонного конденсата при увеличении оптической накачки (ширина линии вблизи порога меньше примерно 200 мкВ), обнаружена группировка фотонов. Доп.точки доступа: Горбунов, А. В.; Тимофеев, В. Б.; Демин, Д. А.; Дремин, А. А. |
Фазовые переходы в двумерной системе диполярных экситонов в двухъямной гетероструктуре на основе SiGe/Si [Текст] / Т. М. Бурбаев [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2017. - Т. 81, № 3. - С. 370-373. - Библиогр.: c. 373 (8 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Техника Сопротивление материалов Кл.слова (ненормированные): гелиевые температуры -- диполярные экситоны -- квантовые ямы -- спектроскопия фотолюминесценции -- электронно-дырочная жидкость Аннотация: В двумерных слоях гетероструктуры (buffer Si[1-у]Ge[у]) /tSi/sSi[1-x]Ge[x]/tSi/ (cap Si[1-у]Ge[у]) II рода методом спектроскопии фотолюминесценции при гелиевых температурах и высоких уровнях возбуждения исследован переход от диполярной к пространственно прямой электронно-дырочной жидкости (ЭДЖ), происходящий при уменьшении толщины барьерного для электронов слоя sSi[1-x]Ge[x] (квантовой ямы (КЯ) для дырок), разделяющего электронные КЯ (слои tSi). Определены основные характеристики ЭДЖ обоих типов. Определено время жизни диполярных экситонов. Доп.точки доступа: Бурбаев, Т. М.; Акмаев, М. А.; Сибельдин, Н. Н.; Ушаков, В. В.; Новиков, А. В.; Лобанов, Д. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |