Андреев, В. Н. Электропроводимость полупроводниковой фазы в монокристаллах диоксида ванадия [Текст] / В. Н. Андреев, В. А. Климов> // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып: вып. 12. - С. 2146-2150. - Библиогр.: с. 2149-2150 (17 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): диоксид ванадия -- монокристаллы диоксида ванадия -- поляроны -- поляроны малого радиуса -- прыжковая электропроводимость -- электропроводимость Аннотация: Проведены исследования электропроводимости полупроводниковой фазы монокристаллов диоксида ванадия в широком интервале температур. Показано, что в температурном интервале 340-170 K температурная зависимость электропроводности подчиняется закону lg сигма около T, а при температурах ниже 120 K - закону lg сигма около 1/T. Экспериментальные результаты описаны моделью, в которой характер температурной зависимости прыжковой электропроводности поляронов малого радиуса определяется зависимостью резонансного интеграла от амплитуды тепловых колебаний атомов решетки. Доп.точки доступа: Климов, В. А. |
Андреев, В. Н. Влияние гидрирования на фазовый переход металл-полупроводник в тонких пленках диоксида ванадия [Текст] / В. Н. Андреев, В. М. Капралова, В. А. Климов> // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып: вып. 12. - С. 2209-2213. - Библиогр.: с. 2212-2213 (22 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): гидрирование -- диоксид ванадия -- термическое разложение -- тонкие пленки -- фазовые переходы -- фазовый переход металл-полупроводник Аннотация: Исследован процесс внедрения водорода в тонкие пленки диоксида ванадия из водных растворов одно-, двух- и трехатомных спиртов. Показано, что этот процесс обратим, носит каталитический характер и приводит к понижению температуры фазового перехода металл-полупроводник. Установлено, что фазовый переход металл-полупроводник в гидрированной пленке H[x]VO[2] полностью подавляется при x > 0. 04. Доп.точки доступа: Капралова, В. М.; Климов, В. А. |
Андреев, В. Н. Влияние фазового перехода металл-полупроводник на скорость внедрения водорода в тонкие пленки диоксида ванадия [Текст] / В. Н. Андреев, В. А. Климов> // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52. вып. 3. - С. 557-563. - Библиогр.: с. 563 (15 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фазовые переходы -- фазовый переход металл-полупроводник -- скорость внедрения водорода -- тонкие пленки -- диоксид ванадия -- металлическая фаза диоксида ванадия Аннотация: Проведено сопоставление скоростей внедрения водорода из водного раствора глицерина в тонкие пленки диоксида ванадия, находящегося в разных фазах. Установлено, что скорость проникновения водорода в металлическую фазу диоксида ванадия по крайней мере на порядок выше скорости проникновения водорода при той же температуре в полупроводниковую фазу. Доп.точки доступа: Климов, В. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Belozerov, A. S. Evidence for strong Coulomb correlations in metallic phase of vanadium dioxide [Text] / A. S. Belozerov, A. I. Poteryaev, V. I. Anisimov> // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 93, вып. 2. - С. 73-77.
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): кулоновские корреляции -- диоксид ванадия -- металлическая фаза Доп.точки доступа: Poteryaev, A. I.; Anisimov, V. I. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Квашенкина, Ольга Евгеньевна. Особенности электронного фазового перехода в диоксиде ванадия [Текст] / О. Е. Квашенкина> // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. - 2012. - № 3 (153). - С. 36-44 : ил. - Библиогр.: с. 44 (17 назв.) . - ISSN 1994-2354
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): фазовые переходы -- электронные фазовые переходы -- диоксид ванадия -- переход Мотта -- Мотта переход -- переход Пайерлса -- Пайерлса переход -- тонкие пленки -- гистерезис -- димеры Аннотация: Экспериментально изучены детали нескольких стадий термического фазового перехода металл - полупроводник в пленках диоксида ванадия. Обоснована идея совместного и взаимосвязанного протекания двух составляющих ФП: электронной и структурной.The details of several stages of the thermal metal-semiconductor phase transition (MSPT) in vanadium dioxide films are experimentally studied. The idea of a joint and coherent coexistence of the two components of MSPT - the electronic and structural components - is substantiated. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Дефекты кристаллической структуры диоксида ванадия [Текст] / В. И. Суриков [и др.]> // Известия вузов. Физика. - 2014. - Т. 57, № 8. - С. 96-99 : рис., табл. - Библиогр.: c. 99 (8 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): дефекты кристаллической структуры -- диоксид ванадия -- низкотемпературная теплоемкость -- теплоемкость -- физическое материаловедение Аннотация: Обсуждаются результаты рентгеноструктурного анализа и измерения пикнометрической плотности, а также исследования низкотемпературной теплоемкости порошкообразных образцов диоксида ванадия V_1±xO_2 в контексте формирования дефектности кристаллической структуры образцов при их синтезе. Доп.точки доступа: Суриков, В. И.; Лях, О. В.; Прокудина, Н. А.; Данилов, С. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Суриков, В. И. Влияние легирования железом на свойства диоксида ванадия [Текст] / В. И. Суриков [и др.]> // Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 10. - С. 153-156 : табл. - Библиогр.: c. 156 (8 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Физика твердого тела. Кристаллография в целом Техника Сопротивление материалов Кл.слова (ненормированные): диоксид ванадия -- концентрация дефектов -- кристаллическая решетка -- легирование железом -- пикнометрическая плотность -- рентгеновская плотность -- рентгеноструктурные параметры кристаллической решетки Аннотация: Сообщаются результаты исследований рентгеноструктурных параметров кристаллической решетки и их температурных зависимостей в окрестностях фазового перехода металл - диэлектрик твердых растворов V[1-x]F[x]O[2], а также сравнений рентгеновской и пикнометрической плотности этих материалов. Проводится оценка концентрации дефектов в изученных материалах при комнатной температуре. Доп.точки доступа: Семенюк, Н. А.; Прокудина, Н. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |