Экспериментальные диоды Шоттки- (p-n) (JBS-диоды) на основе 4H-Sic [Текст] / П. А. Иванов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1249-1252 : ил. - Библиогр.: с. 1252 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): диоды Шоткки -- Шоттки диоды -- p-n переходы -- JBS-диоды -- 4H-Sic -- диффузия -- неравновесная диффузия -- бор -- статистические характеристики -- динамические характеристики Аннотация: Изготовлены интегрированные диоды Шоттки- (p-n) (JBS-диоды) на основе 4H-SiC, в которых локальные р-n-переходы под контактом Шоттки сформированы с помощью неравновесной диффузии бора. Статические и динамические характеристики изготовленных JBS-диодов сравниваются с характеристиками аналогичных диодов Шоттки на 4H-SiC. Показано, что по сравнению с обычными диодами Шоттки токи утечки в JBS-диодах при одном и том же обратном напряжении уменьшаются в среднем в 200 раз. Заряд обратного восстановления для обоих типов диодов одинаков и равен заряду основных носителей, выносимых из базовой n-области при переключении. Доп.точки доступа: Иванов, П. А.; Грехов, И. В.; Потапов, А. С.; Ильинская, Н. Д.; Самсонова, Т. П.; Коньков, О. И. |