Кудимов, Максим Александрович (аспирант). Влияние азимутально-неоднородного магнитного поля на характер движения зарядов в магнетронном диоде [Текст] / М. А. Кудимов, Н. Ю. Хороводова, В. Б. Байбурин // Вестник Саратовского государственного технического университета. - 2007. - N 21. - С. . 111-115. - Библиогр.: с. 115 (5 назв. )
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): магнитное поле -- магнетронные диоды -- траектории заряженных частиц -- хаотичность движения зарядов -- неоднородности магнитного поля -- азимутальные изменения магнитного поля Аннотация: Проведен анализ влияния магнитного поля на характер движения заряженных частиц в магнетронном диоде. Определены изменения областей хаотичности для различных видов неоднородностей магнитного поля. Доп.точки доступа: Хороводова, Наталия Юрьевна (аспирантка); Байбурин, Вил Бариевич (д-р техн. наук, проф.) Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Пазухина, Татьяна Гавриловна (инженер). Проектирование волноводных фазовращателей с p-i-n диодами и планарными петлями связи [Текст] / Т. Г. Пазухина, Б. К. Сивяков // Вестник Саратовского государственного технического университета. - 2008. - N 31. - С. 246-255. - Библиогр.: с. 255 (10 назв. )
Рубрики: Энергетика Электротехника в целом Кл.слова (ненормированные): фазовращатели -- волноводные фазовращатели -- волноводы -- диоды напряжения -- p-i-n диоды -- планарные петли связи -- СВЧ-сигналы Аннотация: Рассматриваются вопросы технического проектирования проходных и отражательных волноводных фазовращателей с p-i-n диодами и планарными петлями связи. Представлены эквивалентные схемы фазовращателей, даны расчетные формулы, проведено сравнение с экспериментальными данными. Доп.точки доступа: Сивяков, Борис Константинович (д-р техн. наук, проф.) |
Бекбергенов, С. Е. Эффект немонотонного изменения функциональных параметров арсенид-галлиевых диодов Шоттки при лазерной обработке [Текст] / С. Е. Бекбергенов, А. Б. Камалов // Физика и химия обработки материалов. - 2008. - N 3. - С. 15-18 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): лазерная обработка -- арсенид-галлиевые диоды -- полупроводниковые диоды -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- облучение лазерными импульсами Аннотация: Исследовано влияние лазерной обработки на электрофизические характеристики арсенид-галлиевых диодных структур с барьером Шоттки. Показана возможность управления параметрами диодов при облучении лазерными импульсами небольшой интенсивности. Доп.точки доступа: Камалов, А. Б. |
Бородовский, П. А. Аномальная релаксация фотопроводимости в кремнии при высоких уровнях инжекции [Текст] / П. А. Бородовский, А. Ф. Булдыгин, С. В. Голод // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 329-311
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): неравновесные носители -- кремний -- лазерные диоды -- импульсный свет -- инжекция -- релаксация фотопроводимости -- экситоны Аннотация: Исследуется аномальный эффект релаксации неравновесных носителей заряда в образцах кремния при их возбуждении импульсным светом лазерного диода (1060 нм / 500 мВт). Эксперименты проводились при высоких уровнях инжекции как с использованием СВЧ-измерений проводимости, так и обычной методики измерения релаксации фотопроводимости. Необычное явление наблюдалось в начальной области релаксации фотопроводимости после окончания импульса света. Предлагается упрощенная модель для объяснения аномального эффекта, включающая экситоны при высоких уровнях возбуждения. Доп.точки доступа: Булдыгин, А. Ф.; Голод, С. В. |
Тер-Мартиросян, А. Л. (генеральный директор ЗАО "Полупроводниковые приборы"; кандидат технических наук). Полупроводниковые приборы [Текст] / А. Л. Тер-Мартиросян // Инновации. - 2008. - N 6. - С. 101-104 : фот.
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Экономика Экономика промышленности в целом--Россия--Санкт-Петербург Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- полупроводниковые приборы -- полупроводниковые лазеры -- лазеры -- лазерные диоды -- диоды -- лазерные излучатели -- излучатели -- медицинские изделия -- ЗАО -- закрытые акционерные общества Аннотация: О продукции ЗАО "Полупроводниковые приборы". Доп.точки доступа: ЗАО "Полупроводниковые приборы"; Полупроводниковые приборы, ЗАО; "Полупроводниковые приборы", ЗАО |
Самхарадзе, Т. Г. Определение оптимального строения гетероструктуры InGaN [Текст] / Т. Г. Самхарадзе, О. И. Рабинович, В. П. Сушков // Инженерная физика. - 2008. - N 5. - С. 20-21
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): многокомпонентные гетероструктуры -- гетероструктуры -- InGaN -- светоизлучающие диоды Аннотация: Проведено моделирование многокомпонентных гетероструктур (МКГ) InGaN для использования в светоизлучающих диодах (СИД). Результаты представлены в виде графиков рабочих характеристик СИД, основанных на исследованных МКГ, например, вольт-амперные характеристики, зависимость внутреннего квантового выхода от количества квантово-размерных ям и спектральная характеристика. Доп.точки доступа: Рабинович, О. И.; Сушков, В. П. |
Рабинович, О. И. Исследование зависимости внешнего квантового выхода излучающих диодов от плотности тока [Текст] / О. И. Рабинович, В. П. Сушков // Инженерная физика. - 2008. - N 5. - С. 22-23
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): многокомпонентные гетероструктуры -- гетероструктуры -- AlGaInN -- излучающие диоды -- внешний квантовый выход -- плотность тока Аннотация: Проведено исследование зависимости внешнего квантового выхода излучающих диодов (ИД) (в видимой области спектра - СИД, в УФ области - УФИД) от плотности тока на основе многокомпонетной гетероструктуры AlGaInN с помощью компьютерного моделирования. Предложена модель, объясняющая уменьшение квантового выхода с увеличением плотности тока. Доп.точки доступа: Сушков, В. П. |
Гуреев, Д. М. К вопросу о безызлучательной рекомбинации в лазерных диодах Pb[1-х] Sn[х]Se [Текст] / Д. М. Гуреев // Вестник Самарского государственного технического университета. Сер.: Физико-математические науки. - 2008. - N 1. - С. 178-179 . - ISSN 1991-8615
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): лазерные диоды -- безызлучательная рекомбинация -- инжекционные лазеры -- оптическая связь -- контроль загрязнения атмосферы -- загрязнение атмосферы Аннотация: На основе анализа экспериментальных температурных зависимостей "сопротивления в нуле" для лазерных диодов выявлены каналы безызлучательной рекомбинации в интервале температур 77-250К. |
Аппаратно-программный комплекс для исследования шумовых процессов в светоизлучающих диодах [Текст] / В. Н. Рогов [и др. ] // Вестник Ульяновского государственного технического университета. - 2009. - N 1. - С. 43-46 : 3 рис. - Библиогр.: с. 46 (4 назв. ) . - ISSN 1674-7016
Рубрики: Радиоэлектроника Кибернетика Кл.слова (ненормированные): аппаратно-программные комплексы -- диоды светоизлучающие -- комплексы аппаратно-программные -- корреляционные функции -- оптические шумы -- светодиоды -- светоизлучающие диоды -- функции корреляционные -- шумы оптические -- шумы электрические -- электрические шумы Аннотация: Описана структурная схема, рассмотрен алгоритм работы и приведены основные характеристики аппаратно-программного измерительного комплекса, позволяющего исследовать связь электрических и оптических шумов светоизлучающих диодов. Доп.точки доступа: Рогов, В. Н.; Сергеев, В. А.; Щербатюк, Ю. А.; Фролов, И. В. |
Перевозникова, Я. В. Откачка электровакуумных приборов через короткий штенгель [Текст] / Я. В. Перевозникова, В. И. Воронин // Вестник Саратовского государственного технического университета. - 2009. - N 38. - С. 159-163 : ил. - Библиогр.: с. 162-163 (5 назв. ) . - ISSN 1999-8341
Рубрики: Радиоэлектроника Электровакуумные приборы Кл.слова (ненормированные): камерная откачка -- электровакуумные приборы -- штенгели -- экспериментальные диоды Аннотация: Показано, что изменение диаметра штенгеля и расстояния между штенгелем и заглушкой привело к снижению давления в приборе. Доп.точки доступа: Воронин, В. И. |
Махний, В. П. Механизмы прохождения прямого тока в фотодиодах Au-CdTe с модифицированной поверхностью [Текст] / В. П. Махний, Ю. Н. Бойко, Н. В. Скрипник // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 630-631
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): вольт-амперные характеристики -- диоды -- надбарьерное прохождение -- выпрямляющие структуры -- фотоэдс Аннотация: Исследованы вольт-амперные характеристики поверхностно-барьерных диодов на базе подложек n-CdTe, прошедших обработку в водной суспензии солей щелочных металлов. Установлено, что прямой ток определяется рекомбинационными процессами в области пространственного заряда и надбарьерным прохождением носителей. Доп.точки доступа: Бойко, Ю. Н.; Скрипник, Н. В. |
Потапов, А. С. Влияние отжига на эффективную высоту барьера и фактор неидеальности никелевых контактов Шоттки к 4H-SiC [Текст] / А. С. Потапов, П. А. Иванов, Т. П. Самсонова // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 640-644
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): контакты Шоттки -- Шоттки контакты -- гетерограницы -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды Аннотация: Исследовано влияние отжига на электрические свойства 50 никелевых контактов Шоттки, сформированных на одной пластине 4H-SiC. Показано, что отжиг при температуре 200 градусов C в течение 1 ч способствует гомогенизации гетерограницы металл-полупроводник, что приводит к уменьшению разброса параметров контактов - фактора неидеальности и эффективной высоты барьера. При более высоких температурах отжига (350-450 градусов C) разброс этих параметров вновь увеличивается, по-видимому, из-за локального химического взаимодействия никеля с карбидом кремния. Доп.точки доступа: Иванов, П. А.; Самсонова, Т. П. |
Оптические и структурные характеристики пленок оксида цинка, легированных галлием [Текст] / О. А. Новодворский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 439-444
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): лазерное осаждение -- монокристаллические подложки -- примеси галлия -- рентгеноструктурные исследования -- широкозонные полупроводники -- лазерные диоды Аннотация: Методом импульсного лазерного осаждения на монокристаллических подложках сапфира (0001) получены пленки ZnO n-типа проводимости, легированные галлием до 2. 5 ат%. Определены зависимости пропускания пленок ZnO в спектральном диапазоне от 200 до 3200 нм от концентрации примеси галлия. Установлено, что увеличение концентрации примеси галлия смещает границу фундаментальной полосы поглощения в синюю область, но снижает прозрачность пленок ZnO в инфракрасной области спектра. Определена зависимость ширины запрещенной зоны ZnO от уровня легирования галлием. Получены спектры фотолюминесценции пленок ZnO с различным уровнем легирования. Установлена немонотонная зависимость интенсивности и положения максимума фотолюминесценции от уровня легирования. Проведены рентгеноструктурные исследования пленок. Установлена зависимость кристаллографических параметров (постоянной решетки c) пленки ZnO от концентрации примеси галлия и условий процесса напыления. Доп.точки доступа: Новодворский, О. А.; Горбатенко, Л. С.; Панченко, В. Я.; Храмова, О. Д.; Черебыло, Е. А.; Венцель, К.; Барта, Й. В.; Бублик, В. Т.; Щербачев, К. Д. |
Абсолютное отрицательное сопротивление и многозначности на вольт-амперных характеристиках туннельных диодов [Текст] / К. М. Алиев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 517-521
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): туннельные диоды -- высокочастотные сигналы -- нелинейные системы -- двухбарьерные гетероструктуры -- лазерные поля Аннотация: Экспериментально исследовано влияние внешних возмущений большой амплитуды в виде когерентного или шумового сигнала на поведение динамических и статических вольт-амперных характеристик туннельных диодов. Показано, что при подборе соответствующей частоты с ростом амплитуды внешнего когерентного сигнала на вольт-амперных характеристиках туннельных диодов появляются многозначности и абсолютное отрицательное сопротивление. Шумовое воздействие приводит к подавлению отрицательного дифференциального сопротивления N-типа на вольт-амперных характеристиках туннельных диодов и сильной деформации самих характеристик. Предложен возможный механизм появления абсолютного отрицательного сопротивления. Доп.точки доступа: Алиев, К. М.; Камилов, И. К.; Ибрагимов, Х. О.; Абакарова, Н. С. |
Температурная зависимость внутренних параметров дисковых лазерных диодов InAs/InAsSbP [Текст] / В. В. Кабанов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 522-526
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): лазерные диоды -- фононы -- дисковые гетеролазеры -- жидкофазная эпитаксия -- шаровые резонаторы Аннотация: Для дисковых лазеров на основе гетероструктуры InAs/InAsSbP (длина волны генерации 3. 03-3. 06 мкм) определены значения внутреннего квантового выхода люминесценции, а также скоростей излучательной и безызлучательной рекомбинации в интервале температур 85-120 K. Установлено, что с ростом температуры относительный вклад скорости безызлучательной рекомбинации в величину плотности порогового тока возрастает с 89. 9 до 92. 8%. Показано, что наиболее вероятными механизмами безызлучательных переходов в дисковых гетеролазерах InAs/InAsSbP могут выступать оже-процессы CHCC и CHSH с участием фононов. Определены коэффициенты полных потерь для двух наблюдаемых на опыте полос генерации, и оценен максимальный уровень внутренних оптических потерь. Добротность резонатора дискового гетеролазера InAs/InAsSbP составляет величину ~10\{4\}. Доп.точки доступа: Кабанов, В. В.; Лебедок, Е. В.; Рябцев, А. Г.; Рябцев, Г. И.; Щемелев, М. А.; Шерстнев, В. В.; Астахова, А. П.; Яковлев, Ю. П. |
Высоковольтные (1800 В) планарные p-n-переходы на основе 4H-SiC с плавающими охранными кольцами [Текст] / П. А. Иванов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 527-530
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): охранные кольца -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- планарные p-n переходы Аннотация: Изготовлены планарные p-n-переходы на основе 4H-SiC с плавающими охранными кольцами. Основной переход и кольца формировались имплантацией бора при комнатной температуре с последующим высокотемпературным отжигом. Напряжение пробоя изготовленных p-n-переходов составляет 1800 В, что вдвое больше по сравнению с напряжением пробоя аналогичных переходов без охраны и достигает 72% от расчетного напряжения пробоя плоскопараллельного p-n-перехода с такими же параметрами эпитаксиального слоя. Доп.точки доступа: Иванов, П. А.; Грехов, И. В.; Ильинская, Н. Д.; Самсонова, Т. П.; Потапов, А. С. |
Мощные лазеры (lambda=808 нм) на основе гетероструктур раздельного ограничения AlGaAs/GaAs [Текст] / А. Ю. Андреев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 543-547
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): лазерные диоды -- волноводы -- волоконные усилители -- твердотельные лазеры -- твердые растворы Аннотация: Исследованы лазерные диоды с длиной волны излучения 808 нм, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии в системе твердых растворов AlGaAs. Проведено сравнение параметров лазерных диодов с симметричным узким и асимметричным широким волноводами. Показано, что максимальная оптическая мощность в данных лазерных диодах ограничена катастрофической оптической деградацией зеркал SiO[2]/Si. В лазерных диодах с симметричным узким волноводом максимальная мощность составила 3 Вт, а c асимметричным широким волноводом - 6 Вт. Показано, что повысить максимальную оптическую мощность можно за счет использования барьерного слоя Si[3]N[4], который вводится между сколами лазерного диода и диэлектрическими покрытиями SiO[2]/Si. Мощность при использовании барьерного слоя Si[3]N[4] в лазерном диоде с асимметричным широким волноводом составила 8. 5 Вт. Доп.точки доступа: Андреев, А. Ю.; Зорина, С. А.; Лешко, А. Ю.; Лютецкий, А. В.; Мармалюк, А. А.; Мурашова, А. В.; Налет, Т. А.; Падалица, А. А.; Пихтин, Н. А.; Сабитов, Д. Р.; Симаков, В. А.; Слипченко, С. О.; Телегин, К. Ю.; Шамахов, В. В.; Тарасов, И. С. |
Рабинович, О. И. Исследование особенностей рабочих характеристик многокомпонентных гетероструктур и светоизлучающих диодов на основе AlInGaN [Текст] / О. И. Рабинович, В. П. Сушков // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 548-551
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): светоизлучающие диоды -- многокомпонентные гетероструктуры -- квантоворазмерные ямы -- компьютерное моделирование -- параметры слоев кристаллов -- спектры излучения Аннотация: Проведено моделирование многокомпонентных гетероструктур на основе AlInGaN для использования их в светоизлучающих диодах. Определено влияние неоднородного распределения атомов индия в светоизлучающих " нанодиодах" на рабочие характеристики приборов в целом. Разработана модель, описывающая строение многокомпонентных AlInGaN-гетероструктур для излучающих диодов. Доп.точки доступа: Сушков, В. П. |
Резонансное детектирование терагерцового излучения в субмикронных полевых транзисторах GaAs/AlGaAs с двумерным электронным газом [Текст] / А. В. Антонов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 552-555
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): электромагнитые волны -- терагерцевое излучение -- приемники излучения -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- спектральный анализ -- дифракционные решетки Аннотация: Исследовано резонансное детектирование терагерцового излучения субмикронными полевыми транзисторами GaAs/AlGaAs (длина затвора L=250 нм) с двумерным электронным газом в канале при T=4. 2 K. Для таких транзисторов впервые продемонстрировано смещение максимума отклика (фотоэдс сток-исток) с ростом частоты в область больших напряжений на затворе в соответствии с моделью Дьяконова-Шура. Показано, что при повышении температуры до 77 K зависимость фотоэдс от напряжения на затворе становится нерезонансной, что связано с уменьшением подвижности. Доп.точки доступа: Антонов, А. В.; Гавриленко, В. И.; Маремьянин, К. В.; Морозов, С. В.; Teppe, F.; Knap, W. |
GaInAsP/GaInP/AlGaInP-лазеры, излучающие на длине волны 808 нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии [Текст] / А. В. Алуев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 556-560
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): лазерные гетероструктуры -- диэлектрические зеркала -- резонатор Фабри-Перо -- Фабри-Перо резонатор -- лазерные диоды -- ассиметричные волноводы Аннотация: Методом МОС-гидридной эпитаксии выращены лазерные гетероструктуры GaInAsP/GaInP/AlGaInP с узким симметричным волноводом и широким асимметричным волноводом. Изготовлены мезаполосковые лазерные диоды с апертурой 100 мкм, излучающие на длине волны 808 нм. Показано, что нанесение диэлектрических зеркал (SiO[2]/Si) на грани резонатора Фабри-Перо полупроводниковых лазеров, не содержащих алюминий, не приводит к оптической катастрофической деградации зеркал. Установлено, что максимально достижимая мощность излучения в лазерах, не содержащих алюминий, ограничена катастрофической оптической деградацией лазерной структуры. В лазерных диодах с узким симметричным волноводом достигнута максимальная оптическая мощность 5. 1 Вт, а для широких с асимметричным волноводом - 9. 9 Вт. Доп.точки доступа: Алуев, А. В.; Лешко, А. Ю.; Лютецкий, А. В.; Пихтин, Н. А.; Слипченко, С. О.; Фетисова, Н. В.; Чельный, А. А.; Шамахов, В. В.; Симаков, В. А.; Тарасов, И. С. |