Замкова, Н. Г. Влияние катионного замещения на динамику решетки и сегнетоэлектрическую неустойчивость в кубических BaTiO[3] и BaZrO[3], допированных ионами Bi, La{1} [Текст] / Н. Г. Замкова, В. И. Зиненко // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 5. - С. 923-931. - Библиогр.: с. 931 (10 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): катионное замещение -- сегнетоэлектрическая неустойчивость -- динамика решетки -- модель Гордона-Кима -- Гордона-Кима модель -- твердые растворы Аннотация: В рамках обобщенной модели Гордона--Кима с учетом дипольных и квадрупольных поляризуемостей рассчитаны спектры частот колебаний кристаллической решетки твердых растворов Ba[1-x]Bi2[x/3] [x/3]Ti (Zr) O[3] и Ba[1-x]La[x]Ti (Zr) [1-x/4] [x/4]O[3]. Вычисленные фононные спектры при всех концентрациях содержат сегнетоэлектрическую мягкую моду. Исследовано влияние различных взаимодействий на сегнетоэлектрическую неустойчивость в данных твердых растворах. Показано, что характер сегнетоэлектрической неустойчивости в большей степени определяется механизмом зарядовой компенсации. Доп.точки доступа: Зиненко, В. И. |
Исследование динамики решетки оксифторида Rb[2]KMoO[3]F[3] методом комбинационного рассеяния света [Текст] / А. С. Крылов [и др.] // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 6. - С. 1191-1196. - Библиогр.: с. 1196 (24 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): динамика решетки -- оксифториды -- метод комбинационного рассеяния света -- температуры -- решеточные моды -- моды Аннотация: Методом спектроскопии комбинационного рассеяния (КР) выполнены исследования оксифторида Rb[2]KMoO[3]F[3] в температурном диапазоне 7-400 K. Обнаружен фазовый переход при T~ 185 K в режиме понижения температуры. Проанализированы аномалии частот и полуширин линий КР. Конденсации мягких решеточных мод не обнаружено. Характер изменений спектров КР оксифторида Rb[2]KMoO[3]F[3] показывает, что данный фазовый переход связан с изменениями в молекулярном октаэдре [MoO[3]F[3]]{3-}. Доп.точки доступа: Крылов, А. С.; Меркушова, Е. М.; Втюрин, А. Н.; Исаенко, Л. И. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Квадрупольная деформация электронных оболочек в динамике решетки сжатых кристаллов инертных газов [Текст] / Е. П. Троицкая [и др.] // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 6. - С. 1172-1179. - Библиогр.: с. 1178-1179 (39 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): динамика решетки -- сжатые кристаллы -- инертные газы -- электронные оболочки -- кристаллы инертных газов -- соотношения Коши -- Коши соотношения Аннотация: Динамика решетки кристаллов инертных газов строится с учетом деформации электронных оболочек атомов дипольного и квадрупольного типов в зависимости от смещения ядер. Полученные уравнения колебаний исследованы в длинноволновом приближении. Обсуждается роль трехчастичного взаимодействия и квадрупольной деформации электронных оболочек в нарушении соотношения Коши. Рассчитанные для Xe модули упругости Бирча и отклонения от соотношения Коши хорошо согласуются с имеющимся экспериментом в широком интервале давлений. Доп.точки доступа: Троицкая, Е. П.; Чабаненко, Вал. В.; Жихарев, И. В.; Горбенко, Е. Е.; Пилипенко, Е. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Жандун, В. С. Динамика решетки, сегнетоэлектрическая и антиферродисторсионная неустойчивость в объемном кристалле и тонких пленках SrZrO[3] [Текст] / В. С. Жандун, В. И. Зиненко // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 7. - С. 1309-1316. - Библиогр.: с. 1316 (9 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): динамика решетки -- сегнетоэлектрическая неустойчивость -- антиферродисторсионная неустойчивость -- объемные кристаллы -- тонкие пленки Аннотация: В рамках неэмпирической модели ионного кристалла были рассчитаны динамика решетки и энергетика фаз, связанных с антиферродисторсионными и сегнетоэлектрическими искажениями объемных кристаллов и тонких пленок кристалла SrZrO[3]. В случае объемного кристалла получены наиболее выгодные по энергии фазы, которые оказались связанными с антиферродисторсионными искажениями решетки. Сегнетоэлектричество в кристалле SrZrO[3] подавляется структурными искажениями решетки. В случае тонких пленок получено, что сегнетоэлектрическая нестабильность сохраняется после "поворота" кислородного октаэдра и пленка остается полярной как в случае свободной поверхности, так и при учете подложки SrTiO[3]. Рассчитана величина спонтанной поляризации тонких пленок разной толщины в сегнетоэлектрической фазе. Доп.точки доступа: Зиненко, В. И. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |