Структуры GaAs с квантовыми точками InAs и As, полученные в едином процессе молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / В. Н. Неведомский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 12. - С. 1662-1666 : ил. - Библиогр.: с. 1665-1666 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- полупроводниковые квантовые точки -- ПКТ -- InAs -- As -- металлические квантовые точки -- МКТ -- эпитаксиальные слои -- GaAs -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- механизм Странского-Крастанова -- Странского-Крастанова механизм -- выращивание квантовых точек -- мышьяк -- просвечивающая электронная микроскопия -- метод просвечивающей электронной микроскопии -- поля -- деформационные поля -- V-образные дефекты -- дефекты упаковки -- заращивание квантовых точек -- арсенид галлий -- отжиг -- высокотемпературный отжиг -- самоорганизация квантовых точек -- коалесценция -- оствальдовское созревание -- диффузия -- ускоренная диффузия -- деформации -- локальные деформации Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены эпитаксиальные слои GaAs, содержащие полупроводниковые квантовые точки InAs, сформированные по механизму Странского-Крастанова, и металлические квантовые точки As, сформированные путем самоорганизации в слое GaAs, выращенном при низкой температуре и содержащем большой избыток мышьяка. Методом просвечивающей электронной микроскопии проведены исследования микроструктуры полученных образцов. Установлено, что металлические квантовые точки As, формирующиеся в непосредственной близости от полупроводниковых квантовых точек InAs, имеют большие размеры, чем находящиеся на удалении. Это явление, по-видимому, есть результат воздействия деформационных полей квантовых точек InAs на процессы самоорганизации квантовых точек As. Другим явлением, вероятно, связанным с локальными деформациями вокруг квантовых точек InAs, оказывается формирование V-образных дефектов (дефектов упаковки) при заращивании квантовых точек InAs слоем арсенида галлия при низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии. Такие дефекты оказывают сильное воздействие на процессы самоорганизации квантовых точек As. В частности, при высокотемпературном отжиге, необходимом для формирования крупных квантовых точек As путем коалесценции (оствальдовского созревания), наличие V-образных дефектов приводит к растворению квантовых точек As в их окрестности. При этом избыточный мышьяк, скорее всего, диффундирует на открытую поверхность образца за счет каналов ускоренной диффузии по плоскостям дефектов упаковки. Доп.точки доступа: Неведомский, В. Н.; Берт, Н. А.; Чалдышев, В. В.; Преображенский, В. В.; Путято, М. А.; Семягин, Б. Р. |
Инновационная технология диагностики геодинамической активности геологической среды и оценки безопасности объектов недропользования [Текст] / А. Д. Сашурин [и др.] // Горный журнал. - 2017. - № 12. - С. 16-20. - Библиогр.: с. 20 (15 назв.) . - ISSN 0017-2278
Рубрики: Горное дело Техника безопасности в горном деле Сдвижение горных пород. Горное давление Кл.слова (ненормированные): инновационные технологии -- напряженно-деформированное состояние массива -- геодинамическая активность -- диагностика геодинамической активности -- деформационные поля -- деформационные процессы -- геомеханическое моделирование -- безопасность горных работ -- карьеры Аннотация: Рассмотрена роль деформационных процессов, протекающих в массиве горных пород, в обеспечении безопасности и сохранении эксплуатационной надежности объектов недропользования в условиях Джетыгаринского карьера. Предложена технология диагностики геодинамической активности геологической среды, позволяющая определить структуру и параметры формирующихся полей деформаций и напряжений в области недропользования и оценить их роль в обеспечении безопасности объектов. Доп.точки доступа: Сашурин, А. Д.; Балек, А. Е.; Панжин, А. А.; Усанов, С. В.; Джетыгаринский карьер Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |