Влияние легирования Eu на сенсибилизацию излучения в структурах с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs и InGaN/GaN [Текст] / В. В. Криволапчук [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 2. - С. 365-371. - Библиогр.: с. 371 (10 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): сенсибилизация излучения -- квантовые ямы -- спектры люминесценции -- люминесценция -- редкоземельные ионы -- деформационная решетка -- квантово-размерные структуры Аннотация: Определена корреляция между спектрами фотолюминесценции и структурными параметрами наноструктур с квантовыми ямами InGaN/GaN и GaAs/AlGaAs, легированных Eu. Показано, что внедрение редкоземельных ионов приводит к появлению деформаций решетки (как правило сжатия). В достаточно совершенных структурах в процессе миграции возбуждения происходит перенос неравновесных носителей на атомные уровни {5}D[2] - {5}D[0] иона Eu. В менее совершенных структурах внедрение редкоземельных ионов приводит к образованию изовалентных ловушек в слоях GaN, которые эффективно захватывают неравновесные носители, в результате чего интенсивность фотолюминесценции структуры возрастает на порядок. Доп.точки доступа: Криволапчук, В. В.; Мездрогина, М. М.; Кузьмин, Р. В.; Даниловский, Э. Ю. |