Саидов, М. С. Зависимость концентрации дивакансий от содержания германия в сплаве Si[1-x]Ge[x] при облучении быстрыми и медленными нейтронами [Текст] / М. С. Саидов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 9. - С. . 1582-1584. - Библиогр.: с. 1584 (13 назв. )
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): германий -- дивакансии -- концентрация дивакансий -- монокристаллы твердых растворов -- облучение -- первичные радиационные дефекты -- радиационное дефектообразование Аннотация: Представлены результаты исследования зависимости концентрации дивакансий в монокристаллах твердых растворов Si[1-x]Ge[x], введенных облучением медленными и быстрыми нейтронами от содержания германия. Показано, что в указанных составах при облучении быстрыми и медленными нейтронами роль аннигиляции первичных первичных радиационных дефектов на атомах германия снижается. Доп.точки доступа: Лутпуллаев, С. Л.; Юсупов, А.; Хироненко, Л. И.; Матчанов, Н. А.; Саидов, Д.; Хажиев, М. У. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Пагава, Т. А. Влияние энергии фотовозбуждения в процессе электронного облучения на дефектообразование в кристаллах n-Si [Текст] / Т. А. Пагава, Н. И. Майсурадзе // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 750-754 : ил. - Библиогр.: с. 754 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- электронное облучение -- дефектообразование -- радиационные дефекты -- РД -- метод Холла -- Холла метод -- изохронный отжиг -- n-Si Аннотация: Исследовано влияние подсветки кристаллов n-Si в процессе облучения электронами на природу радиационных дефектов. Образцы, облученные электронами с энергией 2 МэВ, подвергались изохронному отжигу в интервале температур 200-600oC. После каждого цикла 20-минутного отжига методом Холла измерялась концентрация электронов в интервале температур 77-300 K. Показано, что при возбуждении в процессе облучения E-центров квантами с энергией hnu=0. 44 эВ (длина волны lambda=2. 8 мкм) в кристаллах n-Si образуются двухвакансионные фосфорсодержащие дефекты типа PV[2], что приводит к увеличению радиационной стойкости исследуемых кристаллов. При возбуждении отрицательных вакансий V- квантами с hnu=0. 28 эВ (lambda=4. 4 мкм) общее количество радиационных дефектов растет в 1. 2 раза. Доп.точки доступа: Майсурадзе, Н. И. |
Особенности механизма дефектообразования в монокристаллах CdS при облучении большими дозами быстрых реакторных нейтронов [Текст] / Г. Е. Давидюк [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1441-1446 : ил. - Библиогр.: с. 1445-1446 (26 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- CdS -- нейтроны -- реакторные нейтроны -- дефектообразование -- кластеры дефектов -- КД -- кадмий -- отжиг -- температура -- кулоновское выталкивание -- облучение -- нейтронное облучение -- облучение реакторными нейтронами -- коэффициент поглощения -- КП -- электрические свойства -- оптические свойства Аннотация: Исследовались электрические и оптические свойства облученных быстрыми реакторными нейтронами дозой >=10{18} см{-2} монокристаллов CdS. Было установлено, что в облученном материале образуются кластеры дефектов, в которых доминирующими являются вакансии кадмия. При распаде кластеров дефектов в процессе радиационно стимулированного отжига или отжига в температурном интервале ~200-400oC решетка кристалла обогащается вакансиями Cd. Предполагается, что в образовании кластеров дефектов существенную роль играют подпороговые эффекты, связанные с преимущественным возбуждением K-оболочек атомов Cd и их кулоновским выталкиванием с ядра кластера. Доп.точки доступа: Давидюк, Г. Е.; Кевшин, А. Г.; Божко, В. В.; Галян, В. В. |
Светоизлучающие наноструктуры Si, формирующиеся в SiO[2] при облучении быстрыми тяжелыми ионам [Текст] / Г. А. Качурин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 544-549 : ил. - Библиогр.: с. 548 (23 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): светоизлучающие наноструктуры -- наноструктуры -- ионы -- тяжелые ионы -- облучение ионами -- ионное облучение -- фотолюминесценция -- ФЛ -- спектры фотолюминесценции -- электронная микроскопия -- нанокристаллы -- кремниевые нанокристаллы -- пассивация -- кремний -- ионизационные потери -- треки -- дефектообразование -- ксенон -- Xe Аннотация: Слои SiO[2] с избыточным имплантированным Si облучали ионами Xe, 130 МэВ дозами 3x10{12}-10{14} см{-2}. После 3x10{12} см{-2} электронная микроскопия выявила ~10{12} см{-2} выделений размерами 3-4 нм. С ростом дозы их размеры и число возрастали. В спектрах фотолюминесценции обнаружена полоса 660-680 нм, интенсивность которой зависела от дозы. После пассивации водородом при 500 гр. C полоса исчезала, но появлялась новая вблизи 780 нм, характерная для нанокристаллов Si. На основании совокупности всех данных сделан вывод, что полоса 660-680 нм обусловлена несовершенными кремниевыми нанокристаллами, растущими в треках ионов Xe благодаря высоким ионизационным потерям. Немонотонная зависимость интенсивности фотолюминесценции от дозы объясняется различием между диаметрами треков и каскадов смещений, ответственных за дефектообразование. Доп.точки доступа: Качурин, Г. А.; Черкова, С. Г.; Скуратов, С. А.; Марин, Д. В.; Черков, А. Г. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Особенности подпорогового дефектообразования в монокристаллах CdS и CdS : Cu при рентгеновском облучении [Текст] / Г. Л. Мирончук [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 694-698 : ил. - Библиогр.: с. 697 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): рентгеновское облучение -- монокристаллы -- CdS -- сульфид кадмия -- дефектообразование -- электронная радиация -- рекомбинация -- легирование -- оптическое гашение фотопроводимости -- ОГФ -- кластеры дефектов -- КФ -- медь -- Cu -- подпороговая энергия -- крупные структурные повреждения -- КСП -- экспериментальные исследования -- r-центры -- неравновесные носители заряда Аннотация: Представлены экспериментальные результаты исследования влияния электронной радиации с энергией электронов 230 кэВ, рентгеновских квантов в энергиями 8. 06, 17. 5 кэВ и закалки образцов на образование и перестройку центров медленной рекомбинации неравновесных носителей заряда (так называемых r-центров) в специально не легированных и легированных медью (N[Cu]~10{18} см{-3}) монокристаллах CdS. Показано, что за r-центры ответственны дефекты в кадмиевой подрешетке кристалла, а именно вакансии VCd и близкие к ним по параметрам дефекты Cu[Cd]. При рентгеновском облучении как нелегированных, так и легированных Cu монокристаллов CdS имеет место подпороговое дефектообразование вакансий кадмия и Cu[Cd] в местах искаженных и ослабленных межатомных связей - "слабых местах" возле крупных структурных повреждений решетки технологического или иного происхождения. Начиная с температуры закалки 170{o}C заметное влияние на спектр центров медленной рекомбинации оказывают термообразованные V[Cu] и вторичные дефекты Cu[Cd]. При температурах закалки больших 250{o}C заметный вклад в спектр оптического гашения фотопроводимости вносят термовведенные свободные (вдали от структурных повреждений) r-центры-V[Cd] и Cu[Cd]. Доп.точки доступа: Мирончук, Г. Л.; Давидюк, Г. Е.; Божко, В. В.; Кажукаускас, В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Марьин, Сергей Сергеевич. Исследование дефектообразования и внутренних механических напряжений в межвитковой изоляции низковольтных электрических машин [Текст] / С. С. Марьин, С. Н. Шуликин, И. Н. Шуликин // Известия Томского политехнического университета. - 2011. - Т. 318, N 4 : Энергетика. - С. 141-144. : ил. - Библиогр.: с. 144 (7 назв. )
Рубрики: Энергетика Электротехнические материалы и изделия в целом Кл.слова (ненормированные): дефектообразование -- внутренние механические напряжения -- межвитковая изоляция -- низковольтные электрические машины -- пропиточные составы -- МЛ-92 -- КО-916К -- вязкость -- скорость образования дефектов -- эмальпровод Аннотация: Исследованы возможные причины разрушения межвитковой изоляции с использованием образцов имитирующих обмотку низковольтных электрических машин. Установлено влияние вязкости пропиточных составов МЛ-92 и КО-916К на уровень внутренних механических напряжений и скорость образования дефектов в межвитковой изоляции низковольтных электрических машин. Доп.точки доступа: Шуликин, Сергей Николаевич; Шуликин, Иван Николаевич Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Марьин, Сергей Сергеевич. Метод оценки долговечности низковольтной межвитковой изоляции [Текст] / С. С. Марьин, С. Н. Шуликин, И. Н. Шуликин // Известия Томского политехнического университета. - 2011. - Т. 318, N 4 : Энергетика. - С. 144-148. : ил. - Библиогр.: с. 148 (5 назв. )
Рубрики: Энергетика Электротехнические материалы и изделия в целом Кл.слова (ненормированные): долговечность изоляции -- пробивное напряжение -- прочность изоляции -- изоляционные материалы -- эмальпровод -- дефектообразование -- изоляционные свойства -- теория прочности твердых тел Аннотация: Установлена зависимость пробивного напряжения межвитковой изоляции от механической прочности изоляционных материалов. Показано, что избыточное появление трещин в межвитковой изоляции является причиной потери материалом изоляционных свойств. На основе теории прочности твердых тел создан метод расчета долговечности низковольтной межвитковой изоляции. Доп.точки доступа: Шуликин, Сергей Николаевич; Шуликин, Иван Николаевич Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Термодеструкция и дефектообразование в полимерных фуллеренсодержащих нанокомпозитах [Текст] / А. Л. Пушкарчук [и др.] // Инженерно-физический журнал. - 2012. - Т. 85, № 4. - С. 735-737 : 2 рис. - Библиогр.: с. 737 (6 назв. ) . - ISSN 0021-0285
Рубрики: Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): полиметилметакрилат -- фуллерены -- термодеструкция -- дефектообразование -- фотолюминесцентные свойства Аннотация: Изучено влияние кислорода, входящего в состав комплексов с фуллереном или в состав карбонильной кислородсодержащей группы полиметилметакрилата, и несвязанного О[2] на процессы термоиндуцированного дефектообразования в системе полиметилметакрилат-фуллерен и на фотолюминесцентные свойства композита. Доп.точки доступа: Пушкарчук, А. Л.; Поздняков, А. О.; Кончиц, А. А.; Янчук, И. Б. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Дефектообразование в керамике фторида лития под действием фемтосекундных лазерных импульсов [Текст] / М. А. Моисеева [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2016. - Т. 80, № 1. - С. 67-70 : рис. - Библиогр.: c. 70 (7 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): дефектообразование -- оптические керамики -- фемтосекундные лазерные импульсы -- фторид лития Аннотация: Экспериментально исследовано взаимодействие оптических керамик на основе фторида лития с фемтосекундным лазерным излучением в режиме филаментации. Показано, что под действием фемтосекундного лазерного излучения ближней инфракрасной области спектра в оптических керамиках на основе фторида лития эффективно создаются центры люминесценции, характерные для радиационно окрашенных монокристаллов. Доп.точки доступа: Моисеева, M. A.; Алексеев, С. В.; Дресвянский, В. П.; Лосев, В. Ф.; Мартынович, Е. Ф. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Талипов, Н. Х. Ионная имплантация в узкозонные твердые растворы Cd[x]Hg[1- x]Te [Текст] / Н. Х. Талипов, А. В. Войцеховский // Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 6. - С. 3-20 : рис., табл. - Библиогр.: с. 18-20 (104 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): варизонные структуры -- гетероэпитаксиальные слои -- ионная имплантация кристаллов -- радиационное дефектообразование -- радиационные дефекты -- фотодиоды -- электрофизические свойства Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований процессов радиационного дефектообразования в узкозонных твердых растворах Cd[x]Hg[1- x] (КРТ) при ионной имплантации. Рассмотрены процессы формирования структурных нарушений кристалла и их влияние на электрофизические свойства ионно-имплантированных объемных кристаллов и гетероэпитаксиальных структур КРТ р-типа, выращенных методами жидкофазной и молекулярно-лучевой эпитаксии. Приведены результаты по пространственному распределению в данных материалах внедренных атомов бора, а также радиационных донорных центров в зависимости от массы, дозы и энергии внедряемых ионов, температуры имплантации. Рассмотрены процессы и модели формирования n{+} - n{-} - p-структур при ионной имплантации бора в КРТ р-типа и их экспериментальное доказательство. Доп.точки доступа: Войцеховский, А. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |