Фазообразование, инициированное облучением интенсивным импульсным электронным пучком системы "пленка (Si) - (ст. 3) подложка" [Текст] / Ю. Ф. Иванов [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2019. - Т. 62, № 4. - С. 102-108 : рис. - Библиогр.: с. 108 (20 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Электронные и ионные явления. Физика плазмы Сопротивление материалов Техника Кл.слова (ненормированные): дефектные субструктуры -- микротвердость материала -- облучение импульсным электронным пучком -- поверхностные сплавы -- система пленка - подложка -- слабоустойчивые состояния -- фазовый состав -- электронные пучки Аннотация: Установлены физические закономерности формирования фазового состава и дефектной субструктуры находящегося в слабоустойчивом состоянии поверхностного сплава, сформированного в результате облучения интенсивным импульсным электронным пучком системы пленка (Si) - (Ст. 3) подложка. Выявлено формирование многофазного субмикро- и нанокристаллического слоя. Показано, что облучение металлов и сплавов интенсивным импульсным электронным пучком в режиме плавления поверхностного слоя и последующей высокоскоростной кристаллизации часто приводит к образованию локальных слабоустойчивых областей, в которых проявляется тенденция к образованию метастабильных наноструктурных состояний вплоть до аморфизации материала. Выявлен режим обработки, позволяющий повысить микротвердость материала примерно в 3 раза и увеличить износостойкость в 7. 5 раз. Доп.точки доступа: Иванов, Ю. Ф.; Потекаев, А. И.; Тересов, А. Д.; Петрикова, Е. А.; Клопотов, А. А.; Иванова, О. В.; Шубин, А. Ю. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |