Сосуществование коллективных и одночастичных эффектов в фотоотклике двумерного электронного газа на СВЧ облучение [Текст] / С. И. Дорожкин [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 85, вып: вып. 11. - С. 705-709
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): двумерный электронный газ -- СВЧ облучение -- фотоотклик -- осцилляции Шубникова-де Гааза -- Шубникова-де Гааза осцилляции -- осцилляции магнетосопротивления Аннотация: Исследован фотоотклик в магнетосопротивлении двумерной электронной системы с высокой плотностью электронов на электромагнитное излучение субмиллиметрового диапазона. Обнаружены эффект подавления осцилляций Шубникова-де Гааза излучением, имеющий сложную зависимость от магнитного поля, и индуцированные излучением осцилляции магнетосопротивления. Доп.точки доступа: Дорожкин, С. И.; Быков, А. А.; Печенежский, И. В.; Бакаров, А. К. |
Козлов, Д. А. Квазиклассический и квантовый транспорты в двумерном электронном газе с решеткой антиточек, имеющих резкие границы [Текст] / Д. А. Козлов, З. Д. Квон, А. Е. Плотников // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып. 2. - С. 89-93
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): двумерный электронный газ -- осцилляции Шубникова-де Гааза -- Шубникова-де Гааза осцилляции -- осцилляции Ааронова-Бома -- Ааронова-Бома осцилляции -- решетки антиточек Аннотация: Экспериментально исследованы соизмеримые пики магнитосопротивления, осцилляции Шубникова - де Гааза и Ааронова - Бома в двумерном электронном газе (ДЭГ) с решеткой антиточек, имеющих резкие потенциальные границы. Показано, что поведение как квазиклассических пиков магнитосопротивления, так и квантовых осцилляций принципиальным образом зависит не только от периода решетки и размера антиточек, но также от плавности потенциала на границе ДЭГ - антиточка. Полученный результат свидетельствует о необходимости пересмотра интерпретации всех многочисленных экспериментов по решеткам антиточек, так как в них влиянием указанного фактора явно или неявно пренебрегалось. Доп.точки доступа: Квон, З. Д.; Плотников, А. Е. |
Влияние продольного магнитного поля на гистерезис магнетосопротивления двумерного электронного газа в режиме квантового эффекта Холла [Текст] / М. В. Буданцев [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып. 2. - С. 103-106
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): двумерный электронный газ -- квантовый эффект Холла -- Холла квантовый эффект -- гистерезис магнетосопротивления -- магнетосопротивление -- продольное магнитное поле Аннотация: Изучено влияние продольного магнитного поля на особенности магнетосопротивления узкого проводящего канала, помещенного в бассейн с макроскопическим двумерным электронным газом, выражающиеся в гистерезисном поведении магнетосопротивления в режиме квантового эффекта Холла. Установлено, что петли гистерезиса, наблюдаемые в различных диапазонах факторов заполнения, можно разделить на две группы, отличающиеся как откликом на продольное магнитное поле, так и температурной зависимостью. Доп.точки доступа: Буданцев, М. В.; Погосов, А. Г.; Бакаров, А. К.; Торопов, А. И.; Порталь, Ж. К. |
Неравновесное состояние двумерного электронного газа в режиме целочисленного квантового эффекта Холла [Текст] / М. В. Буданцев [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып. 1. - С. 49-53 . - ISSN 0370-274Х
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): двумерный электронный газ -- неравновесное состояние газа -- квантовый эффект Холла -- Холла квантовый эффект Аннотация: Проведено сравнение свойств неравновесного состояния двумерного электронного газа в режиме квантового эффекта Холла при целочисленных факторах заполнения n, наблюдаемых с помощью магнитотранспортных измерений и измерений намагниченности в образцах различных типов. Установлено, что диапазон факторов заполнения, соответствующих неравновесным состояниям, универсален для различных типов образцов и методик измерения и изменяется от 0. 1 до 0. 3 при изменении n от 1 до 4. На основании проведенного сравнения сделан вывод о том, что наблюдаемое неравновесное состояние не обусловлено непосредственно возникновением вихревых токов и диэлектрической фазы в двумерном электронном газе и, возможно, связано с фазовым переходом, индуцированным магнитным полем. Доп.точки доступа: Буданцев, М. В.; Погосов, А. Г.; Плотников, А. Е.; Бакаров, А. К.; Торопов, А. И.; Порталь, Ж. К. |
Быков, А. А. Микроволновое фотосопротивление двумерного электронного газа в баллистическом микромостике [Текст] / А. А. Быков // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып. 11. - С. 676-680
Рубрики: Физика Квантовая механика Кл.слова (ненормированные): микроволновое излучение -- микроволновое фотосопротивление -- двумерный электронный газ -- баллистические микромостики -- одиночные квантовые ямы -- холловские мостики -- мостики холловские -- макроскопические мостики Аннотация: Исследовано влияние микроволнового излучения миллиметрового диапазона на электронный транспорт в двумерных (2D) баллистических микромостиках на основе одиночных GaAs квантовых ям при температуре T=4. 2 К в магнитных полях B меньше 0. 6 Тл. Обнаружено различие в магнетополевых зависимостях микроволнового фотосопротивления 2D электронного газа в холловских мостиках длиной L и шириной W в условиях, когда L, W больше l[p] и L, W[p], где l[p] - длина свободного пробега электрона по импульсу. В макроскопических мостиках (L, W больше l[p]) микроволновое фотосопротивление является знакопеременной периодической функцией обратного магнитного поля, а в микромостиках (L, W меньше l[p]) - положительной периодической функцией 1/B. Полученные экспериментальные результаты указывают на различие механизмов возникновения микроволнового фотосопротивления 2D электронного газа в макроскопических и микроскопических мостиках. |
Царик, Константин Анатольевич. Формирование и исследование наногетероструктур AlGaN/GaN с применением атомно-силовой микроскопии [Текст] / К. А. Царик, В. К. Неволин // Известия вузов. Электроника. - 2009. - N 80. - С. 44-49. - Библиогр.: с. 49 (6 назв. ) . - ISSN 1561-5405
Рубрики: Радиоэлектроника Электроника в целом Кл.слова (ненормированные): микроскопия -- атомно-силовая микроскопия -- эпитаксия -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- двумерный электронный газ Аннотация: Разработана методика получения слоев нитридов третьей группы с пониженным количеством дефектов. Установлено, что структурное совершенство слоев, оцениваемое по числу поверхностных дефектов, напрямую связано с характеристиками двумерного электронного газа в полученных гетероструктурах. Рассмотрено влияние легирования барьерного слоя AlGaN донорной примесью на характеристики двумерного электронного газа. Доп.точки доступа: Неволин, Владимир Кириллович |
Царик, Константин Анатольевич. Формирование и исследование наногетероструктур AlGaN/GaN с применением атомно-силовой микроскопии [Текст] / К. А. Царик, В. К. Неволин // Известия вузов. Электроника. - 2009. - N 6. - С. 44-49 : рис. - Библиогр.: с. 49 (6 назв. )
Рубрики: Техника Обработка материалов Кл.слова (ненормированные): атомно-силовая микроскопия -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- двумерный электронный газ -- легирование -- сканирующая зондовая микроскопия Аннотация: Разработана методика получения слоев нитридов третьей группы с пониженным количеством дефектов, основанная на молекулярно-лучевой эпитаксии, при контроле поверхности с помощью сканирующей зондовой микроскопии. Доп.точки доступа: Неволин, Владимир Кириллович |
InGaP/InGaAs Doped-Channel Direct-Coupled Field-Effect Transistors Logic with Low Supply Voltage [Text] / Jung-HuiTsai [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - P235-239 : ил. - Библиогр.: с. 239 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- логические схемы -- полевые транзисторы -- электрическое напряжение -- двумерный анализ -- режим обеднения -- двумерный электронный газ -- напряжение насыщения -- оптоэлектронные интегральные схемы -- напряжение включения -- крутизна -- перепады напряжений -- затворы -- высокочастотные характеристики -- помехоустойчивость Аннотация: InGaP/InGaAs doped-channel direct-coupled field-effect transistor logic (DCFL) with relatively low supple voltage is demonstrated by two-dimensional analysis. In the integrated enhancement/depletion-mode transistors, subband and two-dimensional electron gas (2DEG) are formed in the InGaAs strain channels, which substantially increase the channel concentration and decrease the drain-to-source saturation voltage. The integrated devices show high turn-on voltage, high transconductance, broad gate voltage swing, and excellent high frequency performance, simultaneously. Furthermore, the integrated devices exhibit large noise margins for DCFL application with low supply voltage of 1. 5 V attributed from the relatively small saturation voltages of the studied integrated devices. Доп.точки доступа: Jung-Hui Tsai; Wen-Shiung Lour; Tzu-Yen Weng; Chien-Ming Li |
Мехрабова, М. А. Термодинамические и электронные свойства двумерного электронного газа с разогревом [Текст] = Thermodynamic and electronic properties of two-dimensional electron gas with heating / М. А. Мехрабова // Альтернативная энергетика и экология. - 2010. - N 6 (86). - С. 130-135. : граф. - Библиогр.: с. 135 (7 назв. )
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): двумерный электронный газ -- электронный газ с разогревом -- термоЭДС -- ДЭГ Аннотация: Расчет концентрации, химического потенциала, теплоемкости и термоЭДС горячего двумерного электронного газа в гетероконтакте с использованием конкретной функции распределения. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Громов, Д. В. Влияние радиации на характеристики элементов на нитриде галлия [Текст] / Д. В. Громов, Ю. А. Матвеев, Ю. В. Федоров // Нано- и микросистемная техника. - 2011. - N 5. - С. 39-48. . - Библиогр.: с. 48 (13 назв. )
Рубрики: Радиоэлектроника Электроника в целом Кл.слова (ненормированные): нитрид галлия -- ионизирующее излучение -- наногетероструктуры -- двумерный электронный газ -- СВЧ-элементная база -- барьер Шоттки -- Шоттки барьер Аннотация: Проведен анализ радиационных эффектов в СВЧ-полупроводниковых приборах на основе нитрида галлия при воздействии ионизирующего излучения. Исследовались характеристики диодов с барьером Шоттки, а также полевых транзисторных структур. Установлены физические механизмы радиационного изменения характеристик рассматриваемых GaN элементов. Доп.точки доступа: Матвеев, Ю. А.; Федоров, Ю. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Меньщикова, Т. В. О происхождении состояний двумерного электронного газа на поверхности топологических изоляторов [Текст] / Т. В. Меньщикова, С. В. Еремеев, Е. В. Чулков // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 94, вып. 2. - С. 110-115.
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): топологические изоляторы -- узкозонные полупроводники -- двумерный электронный газ -- ван-дер-ваальсовский промежуток -- трехмерные топологические изоляторы Аннотация: Представлены результаты первопринципных расчетов электронной структуры объема и поверхности (0001) узкозонных полупроводников Bi[2]Se[3], Sb[2]Te[3], Sb[2]STe[2] и Sb[2]SeTe[2]. Показано, что так же, как известные ранее Bi[2]Se[3] и Sb[2]Te[3], тройные соединения Sb[2]STe[2] и Sb[2]SeTe[2] являются трехмерными топологическими изоляторами. Проведен анализ влияния уширения подповерхностного ван-дер-ваальсовского промежутка на электронную структуру поверхности рассматриваемых соединений. Показано, что это уширение приводит к появлению новых (тривиальных) поверхностных состояний: параболического состояния и состояния М-образной формы в зоне проводимости и валентной зоне соответственно. Полученные результаты позволяют объяснить эффекты, обнаруженные в недавних фотоэмиссионных экспериментах, и выяснить причину происхождения новых состояний, возникающих благодаря адсорбции атомов на поверхности слоистых топологических изоляторов. Доп.точки доступа: Еремеев, С. В.; Чулков, Е. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Стандартизированное производство гетероструктур III-N для твердотельной СВЧ-электроники [Текст] / Д. Красовицкий [и др. ] // Наноиндустрия. - 2011. - N 5. - С. 14-16. : ил.: 4 рис. - Библиогр.: с. 16 (3 назв. ). - Окончание. Начало: N 4, 2011
Рубрики: Радиоэлектроника--Россия--Санкт-Петербург Электроника в целом Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): твердотельная СВЧ-электроника -- СВЧ-приборы -- многослойные гетероструктуры -- GaN -- ДЭС -- двумерный электронный газ -- нанотехнология Аннотация: Для получения двумерного электронного газа (ДЭС) с каналом GaN, имеющим двойное электронное ограничение и электрофизические параметры, сравнимые со структурой с "толстым" слоем GaN, необходимо создание оптимальной конструции буферного слоя и определение толщины релаксации GaN для нее. Доп.точки доступа: Красовицкий, Д.; Алексеев, А.; Петров, С.; Чалый, В.; Светлана-Рост Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Dolgopolov, V. T. Thermoelectric properties of the interacting two dimensional electron gas in the diffusion regime [Text] / V. T. Dolgopolov, A. Gold // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 94, вып. 6. - С. 481-485.
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): двумерный электронный газ -- термоэлектрические свойства -- электрон-электронное взаимодействие Доп.точки доступа: Gold, A. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Ab initio study of 2DEG at the surface of topological insulator Bi[2]Te[3] [Text] / M. G. Vergniory [et al.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 95, вып. 4. - С. 230-235
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): топологические изоляторы -- поверхность (физика) -- двумерный электронный газ Доп.точки доступа: Vergniory, M. G.; Menshchikova, T. V.; Eremeev, S. V.; Chulkov, E. V. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Краснопевцев, Е. А. Формулы Снелля и Френеля для электрона в полупроводниковой гетероструктуре [Текст] / Е. А. Краснопевцев // Доклады Академии наук высшей школы России. - 2012. - № 2 (19). - С. 34-41 : граф. - Библиогр.: с. 41 (7 назв.). - Аннот. на англ. яз.: с. 41 . - ISSN 1811-0916
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): двумерный электронный газ -- Формулы Снелля -- Формулы Френеля -- Френеля формулы -- Снелля формулы Аннотация: Рассматривается преломление электронной волны в баллистическом режиме на линейной границе в гетероструктуре с двумерным электронным газом. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Транспортное время релаксации и квантовое время жизни в селективно-легированных гетероструктурах GaAs/AlAs [Текст] / Д. В. Дмитриев [и др.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 95, вып. 8. - С. 467-471
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): селективно-легированные гетероструктуры -- гетероструктуры -- квантовые ямы -- двумерный электронный газ -- транспортное время релаксации -- квантовое время жизни -- Х-электроны Аннотация: Исследованы низкотемпературные зависимости транспортного времени релаксации (тау[tr]) и квантового времени жизни (тау[q]) от концентрации двумерного электронного газа (n[e]) в квантовых ямах GaAs с боковыми сверхрешеточными барьерами AlAs/GaAs. Обнаружено экспоненциальное возрастание квантового времени жизни с увеличением электронной концентрации. Показано, что резкое увеличение квантового времени жизни коррелирует с появлением Х-электронов в боковых сверхрешеточных барьерах AlAs/GaAs. Установлено, что в исследуемых структурах отношение транспортного времени релаксации к квантовому времени жизни зависит от концентрации немонотонно: вначале с ростом n[e] отношение тау[tr] / тау[q] линейно увеличивается, а затем падает. Обнаруженное поведение не описывается существующими теориями. Доп.точки доступа: Дмитриев, Д. В.; Стрыгин, И. С.; Быков, А. А.; Дитрих, С.; Виткалов, С. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Зверев, М. В. Микроскопическая теория сильно коррелированного двумерного электронного газа [Текст] / М. В. Зверев, В. А. Ходель, С. С. Панкратов // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 96, вып. 3. - С. 205-216
Рубрики: Физика Ядерная физика в целом Кл.слова (ненормированные): двумерный электронный газ -- ферми-жидкость Ландау -- Ландау ферми-жидкость -- ферми-поверхность -- непертурбативный функциональный метод Аннотация: В рамках подхода, основанного на теории ферми-жидкости Ландау и непертурбативном функциональном методе, изучается перестройка ферми-поверхности в разреженном двумерном электронном газе за топологической квантовой критической точкой. Доп.точки доступа: Ходель, В. А.; Панкратов, С. С. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Индуцированные терагерцовым излучением осцилляции магнитосопротивления двумерного электронного газа с высокой концентрацией и подвижностью [Текст] / З. Д. Квон [и др.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2013. - Т. 97, вып. 1. - С. 45-48
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): двумерный электронный газ -- терагерцовое излучение -- квантовые ямы -- GaAs -- магнитосопротивление -- циклотронный резонанс -- гармоники циклотронного резонанса Аннотация: Изучен терагерцовый отклик двумерного электронного газа с высокой концентрацией и подвижностью в GaAs квантовых ямах шириной 13 нм на частотах 0. 7 и 1. 63 ТГц. Обнаружены индуцированные терагерцовым излучением осцилляции магнитосопротивления, положение максимумов которых совпадает с положением гармоник циклотронного резонанса (ЦР). Показано, что при воздействии излучения с частотой 0. 7 ТГц наблюдается большое число гармоник (вплоть до девятой). В этом случае эффект является аналогом осцилляций, индуцированных микроволновым излучением. При более высокой частоте амплитуда осцилляций резко уменьшается с возрастанием номера гармоник. Это свидетельствует о переходе к режиму ординарных гармоник ЦР. Доп.точки доступа: Квон, З. Д.; Козлов, Д. А.; Данилов, С. Н.; Цот, С.; Вирлинг, П.; Стэчел, С.; Бельков, В. В.; Бакаров, А. К.; Дмитриев, Д. В.; Торопов, А. И.; Ганичев, С. Д. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Ларионов, А. В. Когерентная спиновая динамика высокоподвижного двумерного электронного газа разной плотности в GaAs квантовой яме [Текст] / А. В. Ларионов, А. С. Журавлев // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2013. - Т. 97, вып. 3. - С. 156-160
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): двумерный электронный газ -- квантовые ямы -- GaAs -- полупроводниковые наноструктуры -- квазидвумерные электронные системы -- электронная спиновая дефазировка -- времяразрешенный магнито-оптический эффект вращения Керра -- Керра времяразрешенный магнито-оптический эффект вращения Аннотация: Исследована зависимость времени спиновой дефазировки квазидвумерных электронов от плотности электронного газа в 17-нанометровой GaAs квантовой яме с помощью методики времяразрешенного магнито-оптического эффекта вращения Керра. Обнаружен сверхлинейный рост времени электронной дефазировки с уменьшением электронной плотности. Измерена степень анизотропии спиновой релаксации электронов и получена зависимость спин-орбитального расщепления от плотности электронного газа. Доп.точки доступа: Журавлев, А. С. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Андреев, П. А. Слаборелятивистские квантовые эффекты в двумерном электронном газе: дисперсия ленгмюровских волн [Текст] / П. А. Андреев, А. Ю. Иванов // Известия вузов. Физика. - 2014. - Т. 57, № 9. - С. 54-62. - Библиогр.: c. 61-62 (19 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Газы и жидкости Квантовая теория поля Кл.слова (ненормированные): дарвиновский член -- двумерный электронный газ -- динамика линейных возмущений -- квантовая гидродинамика -- квантовая плазма -- ленгмюровские волны -- слаборелятивистская квантовая гидродинамика -- слаборелятивистские эффекты Аннотация: Подробно описана слаборелятивистская квантово-гидродинамическая модель для заряженных бесспиновых частиц в применении к низкоразмерным системам. Уравнения представлены в приближении самосогласованного поля. Дарвиновский член, ток-токовое взаимодействие и слаборелятивистская поправка к кинетической энергии, описываемые гамильтонианом Брейта, рассмотрены наряду с кулоновским взаимодействием. Вычислен вклад описанных эффектов, а также релятивистско-температурных эффектов в дисперсию ленгмюровских волн в двумерном электронном газе. Представлено сравнение с соответствующей формулой для трехмерной системы частиц. Доп.точки доступа: Иванов, А. Ю. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |