Сошников, И. П. Особенности картин электронной дифракции нитевидных нанокристаллов GaAs, выращенных на подложках Si (100) и (111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии [Текст] / И. П. Сошников [и др. ]> // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 8. - С. . 1373-1377. - Библиогр.: с. 1377 (23 назв. )
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): двойникование кристаллов -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- нитевидные нанокристаллы -- фазовые переходы -- фазовые переходы вюрцит/сфалерит -- электронная дифракция Аннотация: Методом дифракции быстрых электронов на отражение проведено исследование кристаллической структуры нитевидных нанокристаллов GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Si (111) и Si (100). Установлено, что дифракционные картины в обоих случаях содержат суперпозицию систем рефлексов, характерных для гексагональной (вюрцит и/или 4H) и кубической (сфалерит) фаз GaAs. Показано, что при росте на Si (111) формируются нитевидные нанокристаллы с гексагональной (вюрцит и/или 4H) и кубической (сфалерит) фазами с одной и двумя ориентациями соответственно. В случае роста на подложках Si (100) обнаружена система нитевидных нанокристаллов GaAs с кубической фазой и пятью различными ориентациями, а также гексагональной фазы с восемью ориентациями в плоскостях подложки типа (110). Проявление двойственной кристаллической структуры в нитевидных нанокристаллах объясняется фазовыми переходами вюрцит-сфалерит и/или двойникованием кристаллов. Доп.точки доступа: Цырлин, Г. Э.; Тонких, А. А.; Неведомский, В. Н.; Самсоненко, Ю. Б.; Устинов, В. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Остриков, О. М. Дислокационная модель нанодвойника [Текст] / О. М. Остриков> // Известия РАН. Механика твердого тела. - 2008. - N 5 : Сентябрь-октябрь. - С. 124-129. - Библиогр.: с. 129 . - ISSN 1684-2634
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): кристаллография -- нанодвойник -- нанотехнологии -- монокристаллы -- деформирование монокристаллов -- двойникование кристаллов Аннотация: В статье предложена дислокационная модель нанодвойника. На основании данной модели рассчитаны поля напряжений у нанодвойника. Рассмотрена роль данных напряжений в процессах междислокационного взаимодействия и роста нанодвойника. |