Музафарова, С. А. Механизм переноса тока в гетеропереходах nCdS/pCdTe [Текст] / С. А. Музафарова, Ш. А. Мирсагатов, Ж. Жанабергенов // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 6. - С. 1111-1116. - Библиогр.: с. 1116 (22 назв. )
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): волт-амперные характеристики -- вольт-фарадные характеристики -- гетеропереходы -- гетеросистемы -- диффузия атомов -- перенос тока -- твердые растворы Аннотация: Исследованы вольт-фарадные и вольт-амперные характеристики гетеросистемы pCdTe/nCdS. Данные вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик показывают, что твердый раствор CdTe[1-x]S[x] на гетерогранице pCdTe/nCdS является неоднородным не только по проводимости, но и по составу. По данным вольт-амперных характеристик оценены толщины твердых растворов. Показано, что при плотностях тока 10{-8} - 10{-5} A*cm{-2} вольт-амперная характеристика в гетеросистеме pCdTe/nCdS описывается термоэлектронной эмиссией, а в диапазоне 10{-4} - 10{-2} A*cm{-2} ток в гетероструктуре ограничивается рекомбинацией в электронейтральной части высокоомного твердого раствора CdTe[1-x]S[x]. Определены время жизни и длина диффузии неосновных носителей тока в твердом растворе CdTe[1-x]S[x], а также скорость поверхностной рекомбинации на границе раздела CdS и твердого раствора CdTe[1-x]S[x]. Показано, что гетероструктура CdTe[1-x]S[x] работает как p-i-n-структура, где p-слоем является CdTe, i-слоем - CdTe[1-x]S[x], n-слоем - CdS. Доп.точки доступа: Мирсагатов, Ш. А.; Жанабергенов, Ж. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Музафарова, С. А. Механизм переноса тока в гетеропереходах nCdS/pCdTe [Текст] / С. А. Музафарова, Ш. А. Мирсагатов, Ж. Жанабергенов // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 6. - С. 1111-1116. - Библиогр.: с. 1116 (22 назв. )
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): волт-амперные характеристики -- вольт-фарадные характеристики -- гетеропереходы -- гетеросистемы -- диффузия атомов -- перенос тока -- твердые растворы Аннотация: Исследованы вольт-фарадные и вольт-амперные характеристики гетеросистемы pCdTe/nCdS. Данные вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик показывают, что твердый раствор CdTe[1-x]S[x] на гетерогранице pCdTe/nCdS является неоднородным не только по проводимости, но и по составу. По данным вольт-амперных характеристик оценены толщины твердых растворов. Показано, что при плотностях тока 10{-8} - 10{-5} A*cm{-2} вольт-амперная характеристика в гетеросистеме pCdTe/nCdS описывается термоэлектронной эмиссией, а в диапазоне 10{-4} - 10{-2} A*cm{-2} ток в гетероструктуре ограничивается рекомбинацией в электронейтральной части высокоомного твердого раствора CdTe[1-x]S[x]. Определены время жизни и длина диффузии неосновных носителей тока в твердом растворе CdTe[1-x]S[x], а также скорость поверхностной рекомбинации на границе раздела CdS и твердого раствора CdTe[1-x]S[x]. Показано, что гетероструктура CdTe[1-x]S[x] работает как p-i-n-структура, где p-слоем является CdTe, i-слоем - CdTe[1-x]S[x], n-слоем - CdS. Доп.точки доступа: Мирсагатов, Ш. А.; Жанабергенов, Ж. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Изменение собственного шума усилителя на биполярном транзисторе с гетеропереходом в нелинейном режиме [Текст] / А. М. Бобрешов [и др. ] // Известия вузов. Электроника. - 2007. - N 4. - С. 15-20 : ил. - Библиогр.: с. 19-20 (6 назв. )
Рубрики: Энергетика Электрические системы Кл.слова (ненормированные): биполярные транзисторы -- транзисторы -- шумы -- собственные шумы -- помехи -- интенсивные помехи -- гетеропереходы -- нелинейные режимы Аннотация: Проанализировано изменение уровня собственных шумов усилителя на биполярном транзисторе с гетеропереходом при воздействии на его вход интенсивной помехи. Доп.точки доступа: Бобрешов, Анатолий Михайлович; Аверина, Лариса Ивановна; Хрипушин, Андрей Владимирович; Макаренко, Дмитрий Андреевич |
Петросянц, Константин Орестович. Особенности моделирования SiGe: C гетеропереходного биполярного транзистора [Текст] / К. О Петросянц, Р. А. Торговников // Известия вузов. Электроника. - 2009. - N 2 (76). - С. 30-34 : рис. . - ISSN 1561-5405
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): моделирование -- транзисторы -- биполярные транзисторы -- гетеропереходы Аннотация: Рассмотрены особенности моделирования SiGe: C гетеропереходных биполярных транзисторов. Доп.точки доступа: Торговников, Ростислав Александрович |
High-performance InGaP/GaAs pnp delta -doped heterojunction bipolar transistor [Текст] / Jung-Hui Tsai [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 971-974 : ил. - Библиогр.: с. 973-974 (11назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- биполярные транзисторы -- гетеропереходы -- арселид галия -- валентные зоны -- разрывы -- разделительные слои -- эммитерный переход -- электроны -- коэффициент усиления -- напряжение смещения -- усилители -- микросхемы -- GaAs Аннотация: In this article, a novel InGaP/GaAs pnp delta-doped heterojunction bipolar transistor is first demonstrated. Though the valence band discontinuity at InGaP/GaAs heterojunction is relatively large, the addition of a delta-doped sheet between two spacer layers at the emitter-base (E-B) junction effectively eliminates the potential spike and increases the confined barrier for electrons, simultaneously. Experimentally, a high current gain of 25 and a relatively low E-B offset voltage of 60 mV are achieved. The offset voltage is much smaller than the conventional InGaP/GaAs pnp HBT. The proposed device could be used for linear amplifiers and low-power complementary integrated circuit applications. Доп.точки доступа: Jung-Hui Tsai; Shao-Yen Chiu; Wen-Shiung Lour; Der-Feng Guo |
Поликристаллический тонкопленочный гетеропереход n-ZnO/p-CuO [Текст] / О. Л. Лисицкий [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 794-796 : ил. - Библиогр.: с. 796 (6 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): пленки -- получение пленок -- рентгеноструктурные исследования -- спектрально-оптические исследования -- поликристаллические гетеропереходы -- тонкопленочные гетеропереходы -- напыления -- отжиг -- n-ZnO/p-CuO Аннотация: Приводятся результаты рентгеноструктурных и спектрально-оптических исследований пленок n-ZnO и p-CuO, полученных методами напыления в газовом разряде и последующего отжига. Показано, что, несмотря на различие в сингониях, поликристалличность пленок n-ZnO и p-CuO позволяет реализовать в этой паре гетеропереход. Доп.точки доступа: Лисицкий, О. Л.; Кумеков, М. Е.; Кумеков, С. Е.; Теруков, Е. И.; Лебедев, С. П.; Нельсон, Д. К.; Середова, Н. В.; Смирнов, А. Н.; Трегубова, А. С. |
Эффективные фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения на основе ZnS и CdS с низкоомными поверхностными слоями [Текст] / Ю. Н. Бобренко [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1114-1117. : ил. - Библиогр.: с. 1117 (14 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фотоэлектрические преобразователи -- фотопреобразователи -- ФП -- поверхностно-барьерные фотопреобразователи -- ультрафиолетовое излучение -- УФ излучение -- низкоомные поверхностные слои -- область пространственного заряда -- ОПЗ -- туннельно-комбинированные токи -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- гетеропереходы -- p-n переходы -- фоточувствительность Аннотация: Формирование в области пространственного заряда поверхностно-барьерных фотопреобразователей Cu[1. 8]S-CdS и Cu[1. 8]S-ZnS тонких высокоомного и низкоомного слоев приводит к существенному увеличению фоточувствительности и снижению темновых туннельно-рекомбинационных токов. Получены высокоэффективные и стабильные фотопреобразователи ультрафиолетового излучения на основе CdS и ZnS. Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства и приведены основные эксплуатационные параметры фотопреобразователей ультрафиолетового излучения. Доп.точки доступа: Бобренко, Ю. Н.; Павелец, С. Ю.; Павелец, А. М.; Киселюк, М. П.; Ярошенко, Н. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
InP/GaAsSb type-II DHBTs with GaAsSb/InGaAs superlattice-base and GaAsSb bulk-base structures [Text] / Jung-Hui Tsai [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1130-1134. : ил. - Библиогр.: с. 1133-1134 (10 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): биполярные транзисторы -- туннелирование -- неосновные носители заряда -- эмитттеры смещения -- гетеропереходы -- структуры -- GaAsSb/InGaAs Аннотация: High-performance InP/GaAsSb double heterojunction bipolar transistor (DHBT) employing GaAsSb/InGaAs superlattice-base structure is demonstrated and compared with GaAsSb bulk-base structure by two-dimensional simulation analysis. The proposed device exhibits a higher current gain of 257 than the conventional InP/GaAsSb type-II DHBT with a lower current gain of 180, attributed to the tynneling behavior of minority carriers in the GaAsSb/InGaAs superlattice-base region under large forward base-emitter bias. In addition, a larger unity gain cutoff frequency of 19. 1 GHz is botained for the superlattice-base device than that of 17. 2 GHz for the bulk-base device. Доп.точки доступа: Jung-Hui Tsai; Wen-Shiung Lour; Der-Feng Guo; Wen-Chau Liu; Yi-Zhen Wu; Ying-Feng Dai Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Сушков, В. П. (доктор технических наук). Полупроводниковые знакосинтезирующие индикаторы [Текст] / В. П. Сушков // История науки и техники. - 2011. - N 8. - С. 65-71. : 3 рис. - Библиогр.: с. 71 (9 назв. )
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): НПП -- научно-производственные предприятия -- диоды -- светодиоды -- буквенно-цифровые индикаторы -- полупроводниковые приборы -- гетеропереходы Аннотация: История разработок материалов, конструкций и технологий изготовления полупроводниковых знакосинтезирующих индикаторов в НПП "Сапфир". Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Импедансная спектроскопия допированного полититаната калия [Текст] / В. Г. Гоффман [и др.] // Вестник Саратовского государственного технического университета. - 2011. - № 60. - С. 121-126 : ил. - Библиогр.: с. 126 (8 назв.) . - ISSN 1999-8341
Рубрики: Химическая технология Электрохимические производства Кл.слова (ненормированные): спектроскопия -- калий -- полититанаты калия -- гетеропереходы -- серебро -- резистивные датчики -- нанокомпозиты -- электрохимические свойства Аннотация: Работа посвящена исследованию электрохимических свойств полититаната калия допированного серебром. Предложена эквивалентная схема необратимого гетероперехода, определены температурные зависимости емкостных и резистивных параметров. Доп.точки доступа: Гоффман, Владимир Георгиевич (доктор химических наук; профессор); Гороховский, Александр Владиленович (доктор химических наук; профессор); Горшков, Николай Вячеславович (кандидат технических наук); Телегина, Оксана Станиславовна (аспирант); Третьяченко, Елена Васильевна (кандидат химических наук; доцент); Ковнев, Алексей Владимирович (аспирант) Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Особенности и механизмы роста пленок кубического карбида кремния на кремнии [Текст] / Л. К. Орлов [и др.] // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 4. - С. 666-672. - Библиогр.: с. 672 (20 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): карбид кремния -- метод вакуумной химической эпитаксии -- пленки кубического карбида кремния -- гетеропереходы Аннотация: Рассматриваются механизмы и особенности роста слоев карбида кремния в методе вакуумной химической эпитаксии в интервале ростовых температур от 1000 до 700 градусов C. На основании проведенных исследований спектров фотолюминесценции в ближнем инфракрасном диапазоне длин волн и данных масс-спектрометрического анализа изучена структура формируемого гетероперехода. Обнаружено значительное возрастание концентрации точечных дефектов и отсутствие выраженной дислокационной структуры в слое кремния, прилегающего к гетеропереходу 3С-SiC/Si. По данным морфологических исследований поверхности растущей пленки по аналогии с теорией термического окисления кремния построена теория карбидизации поверхностных слоев кремния. Отличительной особенностью рассмотренной модели является включение в нее встречных, от подложки к поверхности структуры, диффузионных потоков атомов кремния. Проведены оценки скорости роста пленок и энергии активации диффузионных процессов. Проведенные эксперименты в совокупности с разработанной моделью роста, объясняют наблюдаемые на практике образования пустот под формируемым карбидным слоем в матрице кремния и возможность формирования развитой морфологии поверхности (островковый рост пленки) даже в условиях использования в реакторе только одного потока углеводорода. Доп.точки доступа: Орлов, Л. К.; Штейнман, Э. А.; Смыслова, Т. Н.; Ивина, Н. Л.; Терещенко, А. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Зиминов, Виктор Михайлович. Выпрямляющие свойства структур на основе фуллерена C[60] [Текст] / В. М. Зиминов, И. Б. Захарова // Научно-технические ведомости СПбГПУ. Сер.: Физико-математические науки. - 2012. - № 2 (146). - С. 18-21 : ил. - Библиогр.: с. 21 (10 назв.) . - ISSN 1994-2354
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): фуллерены -- тонкие пленки -- гетеропереходы -- электрические свойства -- электрофизические свойства пленок -- вакуумное напыление -- донорные полупроводники -- неорганические полупроводники -- композитные структуры -- коэффициент выпрямления Аннотация: Исследованы структура, состав и электрофизические свойства пленок, полученных методом вакуумного напыления из смеси фуллерена C[60] с органическим или неорганическим донорным полупроводником. Установлен диодный характер вольтамперных характеристик с коэффициентом выпрямления, зависящим от состава и структуры пленки. Проведен сравнительный анализ указанных композитных структур.The structure, composition and electrical propreties of the films produced by the vacuum evaporation method from a mixture of C[60] with organic donor semiconductor were investigated. Diode current-voltage characteristics with a rectification ratio, depending on the composition and structure of the films were found. A comparative study of the composite structures was carried out, conclusions about the prospects of using a mixture of inorganic semiconductor with a fullerene to make a bulk heterojunction-based diode with a high retification ratio were done. Доп.точки доступа: Захарова, Ирина Борисовна (1959-) Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Нанотехнологии и Солнце [Текст] // Электроэнергетика: сегодня и завтра. - 2013. - № 5. - С. 77-78
Рубрики: Энергетика Гелиоэнергетика Кл.слова (ненормированные): солнечные батареи -- фотопреобразователи -- наноматериалы -- каскадные преобразователи -- монокристаллический кремний -- фотоэлементы -- соединения преобразователей -- прямозонные соединения -- АЗВ5 -- гетеропереходы -- германий-кремний Аннотация: Разработка каскадных преобразователей на основе прямозонных соединений типа АЗВ5 и гетеропереходов "германий-кремний". Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Электрические и фотоэлектрические характеристики гетеропереходов с-Si/пористый - Si/CdS [Текст] / Г. М. Мамедов [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 9. - С. 96-101 : рис., табл. - Библиогр.: с. 101 (21 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Радиоэлектроника Фотоэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): анодирование -- гетеропереходы -- монокристаллы p-CdS -- пористый кремний -- фотоэлектрическое преобразование -- электрохимические осаждения Аннотация: В зависимости от размеров кристаллитов CdS и пор кремния изучены электрические и фотоэлектрические характеристики гетеропереходов c -Si/пористые - Si/CdS, полученных методами электрохимического осаждения и анодирования соответственно. Определен оптимальный размер пор (10-16 нм), который обеспечивает максимальную эффективность фотоэлектрического преобразования (7. 71 %) гетеропереходов. Доп.точки доступа: Мамедов, Г. М.; Кукевеч, А.; Коня, З.; Кордаш, К.; Шах, С. И.; Мамедов, В. У.; Ахмедова, Х. М.; Мамедова, В. Д.; Рзаев, Р. М.; Шамилова, Ш. А.; Ханмамедова, Э. А.; Агазаде, Л. Э. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |