Саидов, М. С. Зависимость концентрации дивакансий от содержания германия в сплаве Si[1-x]Ge[x] при облучении быстрыми и медленными нейтронами [Текст] / М. С. Саидов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 9. - С. . 1582-1584. - Библиогр.: с. 1584 (13 назв. )
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): германий -- дивакансии -- концентрация дивакансий -- монокристаллы твердых растворов -- облучение -- первичные радиационные дефекты -- радиационное дефектообразование Аннотация: Представлены результаты исследования зависимости концентрации дивакансий в монокристаллах твердых растворов Si[1-x]Ge[x], введенных облучением медленными и быстрыми нейтронами от содержания германия. Показано, что в указанных составах при облучении быстрыми и медленными нейтронами роль аннигиляции первичных первичных радиационных дефектов на атомах германия снижается. Доп.точки доступа: Лутпуллаев, С. Л.; Юсупов, А.; Хироненко, Л. И.; Матчанов, Н. А.; Саидов, Д.; Хажиев, М. У. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Абсолютная интенсивность и фаза резонансного рассеяния рентгеновских лучей в кристалле германия [Текст] / Э. Х. Мехумеджанов [и др. ] // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 86, вып: вып. 12. - С. 896-900
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): рентгеновские лучи -- абсолютная интенсивность -- фаза резонансного рассеяния -- германий -- кристаллы германия -- синхротронное излучение -- энергетические спекиры рефлексов Аннотация: На Курчатовском источнике синхротронного излучения исследованы рефлексы 222 и 600 вблизи K-края поглощения в германии. Энергетический спектр рефлекса 222 обусловлен интерференцией слабого нерезонансного и чисто резонансного вкладов в тензорный атомный фактор, тогда как рефлекс 600 является чисто резонансным. Из интерференционной зависимости определено изменение с энергией абсолютной величины и фазы резонансного вклада в амплитуду рассеяния. Проведенное численное моделирование энергетических спектров рефлексов с учетом диполь-квадрупольного и термоиндуцированного вкладов указывает на преобладание последнего при комнатной температуре. Доп.точки доступа: Мехумеджанов, Э. Х.; Борисов, М. М.; Морковин, А. Н.; Антонеко, А. А.; Орешко, А. П.; Овчинникова, Е. Н.; Дмитриенко, В. Е. |
Смирнов, Ю. М. Нанотехнология кристаллических поверхностей [Текст] / Ю. М. Смирнов, Ю. В. Кузнецова // Вестник Тверского государственного университета. - 2007. - N 6 (Физика). - С. 76-79. - Библиогр.: с. 79 (3 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): физика наноструктур -- нанотехнологии -- германий -- кремний -- кристаллизация Аннотация: Синтезированы и методами атомно-силовой микроскопии изучены некоторые наноструктуры на основе германия и кремния. Доп.точки доступа: Кузнецова, Ю. В. |
Ферромагнетизм в разбавленных магнитных полупроводниках Pb[1-x-y]Ge[x]Cr[y]Te [Текст] / Е. П. Скипетров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 316-323
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): магнитные полупроводники -- ферромагнетизм -- парамагнитные центры -- германий -- хром Аннотация: Исследованы магнитные свойства твердых растворов Pb[1-x-y]Ge[x]Cr[y]Te (x=0. 02-0. 20, y=0. 01-0. 08). Обнаружено, что магнитная восприимчивость сплавов состоит из двух вкладов: парамагнитного кюри-вейссовского (область температур T меньше 50 K), связанного, по-видимому, с парамагнетизмом ионов Cr\{3+\}, и высокотемпературного ферромагнитного (T меньше 300 K). По величинам парамагнитного и ферромагнитного вкладов получены зависимости концентраций магнитных центров от состава матрицы. Показано, что уменьшение концентрации парамагнитных центров может быть, по крайней мере качественно, объяснено перестройкой электронной структуры при увеличении концентрации германия. Предложена феноменологическая модель, объясняющая характер изменения магнитных свойств при увеличении содержания хрома, и обсуждаются возможные механизмы ферромагнитного упорядочения в исследованных сплавах. Доп.точки доступа: Скипетров, Е. П.; Михеев, М. Г.; Пакпур, Ф. А.; Скипетрова, Л. А.; Пичугин, Н. А.; Слынько, Е. И.; Слынько, В. Е. |
Quasi-direct optical transitions in Ge nanocrystals embedded in GeO[2] matrix [Text] / V. A. Volodin [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып. 2. - С. 84-88
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): нанокристаллы -- германий -- GeO[2] -- оптические переходы -- квазипрямые оптические переходы Доп.точки доступа: Volodin, V. A.; Gorokhov, E. B.; Marin, D. V.; Rinnert, H.; Miska, P.; Vergnat, M. |
Исследование самоорганизации высокоупорядоченных нанокластеров германия при осаждении пленок поликристаллического кремния, легированного германием [Текст] / А. А. Ковалевский [и др. ] // Нано- и микросистемная техника. - 2009. - N 4. - С. 14-19. - Библиогр.: с. 18-19 (12 назв. ) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: Радиоэлектроника Электроника в целом Кл.слова (ненормированные): нанокластеры -- поликристаллический кремний -- германий -- твердый раствор -- самоорганизация Аннотация: Исследованы особенности образования самоорганизованных кластеров германия и твердого раствора SiGe в режиме осаждения субтонких пленок поликристаллического кремния, легированного Ge, на поверхность наноразмерных пленок диэлектриков. Доп.точки доступа: Ковалевский, А. А. (канд. техн. наук); Строгова, А. С.; Плякин, Д. В.; Борисевич, В. М. |
Давыдов, С. Ю. Об адсорбции атомов натрия на грани (111) германия [Текст] / С. Ю. Давыдов // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 865-868 : ил. - Библиогр.: с. 867 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): адсорбция -- адсорбция атомов натрия -- адсорбционная система -- Na/Si (111) -- натрий -- атомы натрия -- германий -- поверхность германия (111) -- модель Андерсона-Ньюнса -- Андерсона-Ньюнса модель -- диполь-дипольные отталкивания -- обменные взаимодействия -- экспериментальные данные Аннотация: В рамках модели Андерсона-Ньюнса с учетом диполь-дипольного отталкивания и обменного взаимодействия проведен расчет изменения работы выхода поверхности (111) германия, вызванного адсорбцией атомов натрия. Полученные результаты хорошо согласуются с данными эксперимента. Предложенная модель не может, однако, адекватно описать адсорбционную систему Na/Si (111). |
Оптически активные центры в гетероструктурах Si/Si[1-x]Ge[x] : Er, связанные с ионами Er{3+} [Текст] / Л. В. Красильникова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 909-916 : ил. - Библиогр.: с. 915-916 (18 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): эрбий -- оптически активные центры -- гетероструктуры -- фотолюминесценция -- ФЛ -- Er-центры -- ионы эрбия -- германий -- примеси кислорода Аннотация: Проведен детальный анализ основных типов оптически активных эрбиевых центров, вносящих преимущественный вклад в сигнал фотолюминесценции гетероструктур Si/Si[1-x]Ge[x] : Er с содержанием германия от 10 до 30%. Показана взаимосвязь природы формирующихся оптически активных центров, содержащих ионы Er{3+}, с молярным составом и концентрацией примеси кислорода в слое Si[1-x]Ge[x] : Er. Преимущественный вклад в сигнал фотолюминесценции гетероструктур Si/Si[1-x]Ge[x] : Er с содержанием германия менее 25% вносят известные кислородсодержащие оптически активные Er-центры. Увеличение содержания германия в слое Si/Si[1-x]Ge[x] : Er (x>=q25%) приводит к формированию нового типа центров - германийсодержащих оптически активных эрбиевых центров, не наблюдавшихся ранее в структурах на основе кремния. Доп.точки доступа: Красильникова, Л. В.; Степихова, М. В.; Байдакова, Н. А.; Дроздов, Ю. Н.; Красильник, З. Ф.; Чалков, В. Ю.; Шенгуров, В. Г. |
Филиппов, Владимир Владимирович. Моделирование электрических параметров каналов кремниевых МОП-транзисторов на деформированной подложке [Текст] / В. В. Филиппов, Б. К. Петров, Ю. М. Мяснянкин // Известия вузов. Электроника. - 2009. - N 80. - С. 21-27. - Библиогр.: с. 27 (13 назв. ) . - ISSN 1561-5405
Рубрики: Радиоэлектроника Электроника в целом Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- транзисторы -- кремний -- германий -- подвижность -- деформации Аннотация: Рассмотрено влияние деформации на электрофизические параметры кремниевых слоистых структур. Учтено влияние отношения толщин пленки кремния и подложки германия на смещение энергетических зон и изменение подвижности свободных носителей зарядов. Получено и проанализировано распределение потенциала в области анизотропного канала МОП-транзистора. Показано, что сопротивление напряженного кремниевого канала полевого транзистора в открытом состоянии определяется не только его размерами и электрофизическими параметрами, но и толщиной деформированной подложки, а также размерами токовых контактов. Доп.точки доступа: Петров, Борис Константинович; Мяснянкин, Юрий Михайлович |
Локальная структура стеклообразных сплавов германий-сера, германий-селен и германий-теллур [Текст] / Г. А. Бордовский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1232-1236 : ил. - Библиогр.: с. 1236 (5 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): сплавы -- стеклообразные сплавы -- германий -- селен -- теллур -- мессбауэровская спектроскопия -- изотопы -- стекла -- халькогены -- локальная структура Аннотация: Методом мессбауэровской спектроскопии на изотопах {119}Sn и {129}Te ({129}I) показано, что стекла Ge[100-y]X[y] (X = S, Se, Те), обогащенные халькогеном, построены из структурных единиц, включающих 2-координированные атомы халькогена в цепочках типа - Ge-X-Ge- и - Ge-X-X-Ge-. Германий в этих стеклах только четырехвалентен и 4-координирован, причем в локальном окружении атомов германия находятся только атомы халькогена. Стекла, обедненные халькогеном, построены из структурных единиц, включающих 2-координированные (в цепочках типа - Ge-X-Ge-) и 3-координированные атомы халькогена (в цепочках типа - Ge-X-Ge-). Германий в этих стеклах стабилизируется как в четырехвалентном и 4-координированном состоянии, так и в двухвалентном и 3-координированном состоянии, причем в локальном окружении атомов германия находятся только атомы халькогена. Доп.точки доступа: Бордовский, Г. А.; Теруков, Е. И.; Анисимова, Н. И.; Марченко, А. В.; Серегин, П. П. |
Филиппов, Владимир Владимирович. Моделирование электрических параметров каналов кремниевых МОП-транзисторов на деформированной подложке [Текст] / В. В. Филиппов, Б. К. Петров, Ю. М. Мяснянкин // Известия вузов. Электроника. - 2009. - N 6. - С. 21-27 : рис. - Библиогр.: с. 27 (13 назв. )
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- кремний -- германий -- подвижность -- деформация Аннотация: Рассмотрено влияние деформации на электрофизические параметры кремниевых слоистых структур. Доп.точки доступа: Петров, Борис Константинович; Мяснянкин, Юрий Михайлович |
Магунов, Р. Л. Гидроксидные способы извлечения германия из надсмольных вод коксохимии [Текст] / Р. Л. Магунов, И. Р. Магунов // Энерготехнологии и ресурсосбережение. - 2009. - N 1. - С. 52-57 . - ISSN 0235-3482
Рубрики: Химическая технология Основные процессы и аппараты химической технологии Кл.слова (ненормированные): надсмольная вода -- германий -- извлечение германия -- гидроксиды металлов -- коксохимия -- алюминий -- железо -- магний -- титан -- цирконий Аннотация: Проведены исследования по извлечению германия из надсмольных вод коксохимии с осаждением его с гидроксидами алюминия, железа, магния, титана и циркония. Доп.точки доступа: Магунов, И. Р. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Непосредственное наблюдение аномальных линий Косселя [Текст] / М. А. Чуев [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91. N 4. - С. 204-209
Рубрики: Физика Рентгеновские лучи. Гамма-лучи Кл.слова (ненормированные): линии Косселя -- Косселя линии -- рентгеновское излучение кристаллов -- германий -- асимметричная дифракция -- кристаллы-анализаторы -- рентгеновская голография Аннотация: Аномальные линии Косселя, соответствующие выходу рентгеновского излучения из кристалла германия в условиях резко асимметричной дифракции, наблюдены в рамках простейшей экспериментальной схемы с использованием характеристического MoK[альфа] излучения и кристалла-анализатора германия. В соответствии с результатами ранее проведенного теоретического анализа такие линии представляют собой узко коллимированный пучок излучения в виде хребта в узком угловом диапазоне в окрестности заданного направления с превышением интенсивности излучения над фоном в несколько десятков раз и расходимостью в плоскости дифракции порядка нескольких угловых секунд, а вдоль линии Косселя - порядка десяти угловых минут. Обсуждаются возможные приложения этого эффекта, в частности, для решения проблем рентгеновской голографии. Доп.точки доступа: Чуев, М. А.; Ковальчук, М. В.; Квардаков, В. В.; Медведев, П. Г.; Пашаев, Э. М.; Субботин, И. А.; Якунин, С. С. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Arapkina, L. V. Atomic structure of Ge quantum dots on the Si (001) surface [Text] / L. V. Arapkina, V. A. Yuryev // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91. N 6. - С. 301-305
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): квантовые дырки -- германий -- кремниевая поверхность -- кластеры -- пирамидальные кластеры -- клиновидные кластеры Доп.точки доступа: Yuryev, V. A. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Влияние различных химических обработок поверхности на высоту барьеров Al-p-SiGe, Au-n-SiGe [Текст] / И. Г. Атабаев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 631-635 : ил. - Библиогр.: с. 634-635 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- поверхностные состояния -- твердые растворы -- химическая обработка -- травление -- золото -- алюминий -- германий -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- вольт-фарадные характеристики -- ВФХ -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- МЛЭ -- Al-p-SiGe -- Au-n-SiGe Аннотация: Исследовано влияние различной химической обработки на свойства барьеров Шоттки Au-n-SiGe и Al-p-SiGe. Травление в различных режимах использовалось для формирования поверхности с различной плотностью поверхностных состояний (D[ss]). Показано, что высота барьеров исследованных структур коррелирует с плотностью поверхностных состояний D[ss] и содержанием германия в твердом растворе Si[1-x]Ge[x]. Доп.точки доступа: Атабаев, И. Г.; Матчанов, Н. А.; Хажиев, М. У.; Пак, В.; Салиев, Т. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Абраменкова, О. И. Экспресс-определение Ti (IV) и Ge (IV) в сточных и природных водах [Текст] / О. И. Абраменкова, В. Г. Амелин // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2010. - Т.76, N 4. - С. 18-21. - Библиогр.: с. 21 (10 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Химия Физико-химические методы анализа Кл.слова (ненормированные): определение титана (IV) -- определение германия (IV) -- сточные воды -- природные воды -- тест-методики -- определение микропримесей -- тонкослойные матрицы -- титан (IV) -- германий (IV) -- целлюлозные матрицы -- реагентные матрицы Аннотация: Описан метод экспрессной идентификации и определения титана (IV) и германия (IV) в сточных и природных водах, основанный на визуальной оценке интенсивности окраски или длины окрашенной зоны реагентных матриц. Доп.точки доступа: Амелин, В. Г. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Золошлаковые отходы тепловых электростанций - ценный сырьевой ресурс для черной и цветной металлургии [Текст] = Ash-slag waste from power ststion as valuable resources of raw material for ferrous and nonferrous metallurgy / Н. Н. Ежова [и др. ] // Экология промышленного производства. - 2010. - N 2. - С. 45-52. : 3 рис., 3 табл. - Библиогр.: с. 51-52 (24 назв. )
Рубрики: Экология Управление отходами Кл.слова (ненормированные): железный концентрат -- зола-уноса -- золошлаковые отходы -- магний -- магнитная сепарация -- галлий -- глинозем -- германий -- тепловые электростанции Аннотация: Описана технология получения из золы железного концентарата, соединений алюминия, магния и некоторых редких металлов. Доп.точки доступа: Ежова, Наталья Николаевна (канд. хим. наук); Сударева, Светлана Валентиновна; Власов, Анатолий Сергеевич (канд. техн. наук); Делицын, Леонид Михайлович (д-р геол. -мин. наук) Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Тимошенков, Валерий Петрович. Интегральный эквалайзер гигагерцового диапазона на гетеропереходных биполярных транзисторах [Текст] / В. П. Тимошенков // Известия вузов. Электроника. - 2010. - N 4. - С. 20-27. : рис. - Библиогр.: с. 27 (5 назв. )
Рубрики: Радиоэлектроника Электровакуумные приборы Радиоэлектроника в целом Кл.слова (ненормированные): кремний -- германий -- высокоскоростной эквалайзер -- компьютерное моделирование -- прохождение сигнала Аннотация: Рассмотрены вопросы проектирования интегральной схемы эквалайзера на основе гетеропереходных кремний-германиевых транзисторов. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Варисторный эффект в композитах полимер-проводник [Текст] / М. К. Керимов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 7. - С. 934-942. : ил. - Библиогр.: с. 941 (15 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): варисторный эффект -- композиты -- полимер-проводник -- полиэтилен высокой плотности -- ПЭВП -- полипропилен -- ПП -- поливинилденфторид -- ПВДФ -- кремний -- германий -- туннельные переносы -- варисторы -- композитные варисторы -- гетерогенные системы Аннотация: Определен механизм формирования варисторного эффекта в композитах на основе полярных (поливинилиденфторид), неполярных (полиэтилен, полипропилен) полимеров и полупроводников: кремния и германия. Показано, что варисторный эффект в композитах полимер-полупроводник обусловлен туннельным переносом носителей заряда через барьер на границе раздела фаз, параметры которого зависят от напряжения, температуры, объемного содержания и дисперсности частиц полупроводника и диэлектрической проницаемости компонентов композита. Доп.точки доступа: Керимов, М. К.; Курбанов, М. А.; Султанахмедова, И. С.; Фараджзаде, И. А.; Татардар, Ф. Н.; Алиев, Х. С.; Яхъяев, Ф. Ф.; Юсифова, У. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Германиевые субэлементы для многопереходных фотоэлектрических преобразователей GaInP/GaInAs/Ge [Текст] / Н. А. Калюжный [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1568-1576. : ил. - Библиогр.: с. 1575-1576 (26 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотоэлектрические преобразователи -- ФЭП -- германий -- GaInP/GaInAs/Ge -- гетероструктуры -- МОС-гидридная эпитаксия -- метод МОС-гидридной эпитаксии -- p-n переходы -- солнечные элементы -- СЭ -- спектральные характеристики -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- многопереходные солнечные элементы -- МП СЭ -- германиевые субэлементы Аннотация: Исследованы фотоэлектрические преобразователи на основе гетероструктур n-GaInP/n-p-Ge, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии при различных условиях формирования p-n-перехода. Гетероструктуры предназначены для использования в качестве узкозонных субэлементов трехпереходных солнечных фотопреобразователей GaInP/GaInAs/Ge. Показано, что в германиевых p-n-переходах наряду с диффузионным существует туннельный механизм протекания тока, поэтому использована двухдиодная электрическая эквивалентная схема германиевого p-n-перехода. Определены значения диодных параметров для обоих механизмов из анализа как темновых, так и световых зависимостей ток-напряжение. Показано, что устранение компоненты туннельного тока позволяет повысить кпд Ge-субэлемента на ~1% при преобразовании неконцентрированного излучения. За счет использования концентрированного излучения влияние туннельного тока на кпд приборов на основе германия можно практически свести к нулю при значениях плотности фотогенерированного тока ~1. 5 А/см{2}. Доп.точки доступа: Калюжный, Н. А.; Гудовских, А. С.; Евстропов, В. В.; Лантратов, В. М.; Минтаиров, С. А.; Тимошина, Н. Х.; Шварц, М. З.; Андреев, В. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |