Определение состава твердого раствора In[x]Ga[1-x]Sb рентгенодифрактометрическим методом [Текст] / Ю. Н. Пархоменко [и др. ] // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2009. - Т. 75, N 1. - С. 29-31 . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Физика Экспериментальные методы и аппаратура молекулярной физики Химия Химия твердого тела Кл.слова (ненормированные): определение состава твердых растворов -- твердые растворы -- In[x]Ga[1-x]Sb -- рентгенодифрактометрический метод -- индий -- галлий -- сурьма -- эпитаксиальные структуры -- рентгеновский дифрактометрический метод -- дифрактометрический метод -- методы контроля состава твердых растворов -- контроль состава твердых растворов -- растворы-расплавы Аннотация: Описана методика определения состава твердого раствора In[x]Ga[1-x]Sb рентгенодифрактометрическим методом. Доп.точки доступа: Пархоменко, Ю. Н.; Шленский, А. А.; Павлов, В. Ф.; Шепекина, Г. В.; Югова, Т. Г. |
Демидова, М. Г. Атомно-абсорбционный метод определения галлия и цинка в алюминатных растворах [Текст] / М. Г. Демидова, Н. Ф. Бейзель // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2009. - Т. 75, N 5. - С. 8-10. - Библиогр.: с. 10 (5 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Химия Химические элементы и их соединения Физико-химические методы анализа Кл.слова (ненормированные): атомно-абсорбционный анализ -- галлий -- цинк -- определение галлия -- определение цинка -- алюминатные растворы -- концентрированные растворы Аннотация: Описана методика атомно-абсорбционного определения галлия и цинка в алюминатных растворах. Доп.точки доступа: Бейзель, Н. Ф. |
Влияние самокомпенсации на время жизни электрона в теллуриде кадмия, легированном галлием [Текст] / Е. В. Рабенок [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 878-883 : ил. - Библиогр.: с. 882 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): самокомпенсация -- электроны -- время жизни электронов -- теллурид кадмия -- легирование -- галлий -- фотопроводимость -- сверхвыкокочастотная фотопроводимость -- катодолюминесценция -- элементарные процессы -- заряженные частицы -- твердые растворы -- поликристаллические твердые растворы -- датчики интроскопии -- фотоотклик -- амплитуда -- характеристическое время -- фотогенерированные электроны -- энергетические ловушки Аннотация: Методами сверхвысокочастотной фотопроводимости и катодолюминесценции исследованы элементарные процессы с участием заряженных частиц в поликристаллических твердых растворах на основе теллурида кадмия CdTe-GaTe и CdTe-Ga[2]Te[3] - перспективных активных средах датчиков интроскопии человека с низкой дозовой нагрузкой. Экспериментально установлено, что амплитуда, характеристическое время и форма спада фотоотклика зависели от уровня легирования, причем характеристическое время спада увеличивалось с ростом уровня легирования. Показано, что изменение кинетики гибели фотогенерированных электронов в легированном теллуриде кадмия (по сравнению с исходным) обусловлено эффектом самокомпенсации, приводящим к перераспределению ловушек по энергиям. Доп.точки доступа: Рабенок, Е. В.; Гапанович, М. В.; Новиков, Г. Ф.; Один, И. Н. |
Структуры GaAs с квантовыми точками InAs и As, полученные в едином процессе молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / В. Н. Неведомский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 12. - С. 1662-1666 : ил. - Библиогр.: с. 1665-1666 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- полупроводниковые квантовые точки -- ПКТ -- InAs -- As -- металлические квантовые точки -- МКТ -- эпитаксиальные слои -- GaAs -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- механизм Странского-Крастанова -- Странского-Крастанова механизм -- выращивание квантовых точек -- мышьяк -- просвечивающая электронная микроскопия -- метод просвечивающей электронной микроскопии -- поля -- деформационные поля -- V-образные дефекты -- дефекты упаковки -- заращивание квантовых точек -- арсенид галлий -- отжиг -- высокотемпературный отжиг -- самоорганизация квантовых точек -- коалесценция -- оствальдовское созревание -- диффузия -- ускоренная диффузия -- деформации -- локальные деформации Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены эпитаксиальные слои GaAs, содержащие полупроводниковые квантовые точки InAs, сформированные по механизму Странского-Крастанова, и металлические квантовые точки As, сформированные путем самоорганизации в слое GaAs, выращенном при низкой температуре и содержащем большой избыток мышьяка. Методом просвечивающей электронной микроскопии проведены исследования микроструктуры полученных образцов. Установлено, что металлические квантовые точки As, формирующиеся в непосредственной близости от полупроводниковых квантовых точек InAs, имеют большие размеры, чем находящиеся на удалении. Это явление, по-видимому, есть результат воздействия деформационных полей квантовых точек InAs на процессы самоорганизации квантовых точек As. Другим явлением, вероятно, связанным с локальными деформациями вокруг квантовых точек InAs, оказывается формирование V-образных дефектов (дефектов упаковки) при заращивании квантовых точек InAs слоем арсенида галлия при низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии. Такие дефекты оказывают сильное воздействие на процессы самоорганизации квантовых точек As. В частности, при высокотемпературном отжиге, необходимом для формирования крупных квантовых точек As путем коалесценции (оствальдовского созревания), наличие V-образных дефектов приводит к растворению квантовых точек As в их окрестности. При этом избыточный мышьяк, скорее всего, диффундирует на открытую поверхность образца за счет каналов ускоренной диффузии по плоскостям дефектов упаковки. Доп.точки доступа: Неведомский, В. Н.; Берт, Н. А.; Чалдышев, В. В.; Преображенский, В. В.; Путято, М. А.; Семягин, Б. Р. |
Золошлаковые отходы тепловых электростанций - ценный сырьевой ресурс для черной и цветной металлургии [Текст] = Ash-slag waste from power ststion as valuable resources of raw material for ferrous and nonferrous metallurgy / Н. Н. Ежова [и др. ] // Экология промышленного производства. - 2010. - N 2. - С. 45-52. : 3 рис., 3 табл. - Библиогр.: с. 51-52 (24 назв. )
Рубрики: Экология Управление отходами Кл.слова (ненормированные): железный концентрат -- зола-уноса -- золошлаковые отходы -- магний -- магнитная сепарация -- галлий -- глинозем -- германий -- тепловые электростанции Аннотация: Описана технология получения из золы железного концентарата, соединений алюминия, магния и некоторых редких металлов. Доп.точки доступа: Ежова, Наталья Николаевна (канд. хим. наук); Сударева, Светлана Валентиновна; Власов, Анатолий Сергеевич (канд. техн. наук); Делицын, Леонид Михайлович (д-р геол. -мин. наук) Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Одринский, А. П. Фотоэлектрическая релаксационная спектроскопия слоистых кристаллов высокоомного GaSe [Текст] / А. П. Одринский // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 7. - С. 883-885. : ил. - Библиогр.: с. 885 (17 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фотоэлектрическая релаксационная спектроскопия -- PICTS -- метод фотоэлектрической релаксационной спектроскопии -- слоистые кристаллы -- кристаллы -- высокоомные монокристаллы -- p-GaSe -- дефекты -- протяженные дефекты -- ловушки -- энергия термоактивации -- галлий Аннотация: Методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии исследованы дефекты в высокоомном монокристалле p-GaSe. Результаты показали присутствие ловушек, соответствующих вакансии галлия и протяженным дефектам. Обнаружены также ловушки с энергией термоактивации 0. 13, 0. 39 и 0. 53 эВ. Проводится обсуждение их природы. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Создание и стабилизация наносостояния вещества посредством предшествующей химической реакции [Текст] / В. И. Вигдорович [и др. ] // Наукоемкие технологии. - 2010. - Т. 11, N 12. - С. 73-82. : ил. - Библиогр.: с. 82 (21 назв. )
Рубрики: Химия Химическая связь и строение молекул Кл.слова (ненормированные): наносостояние веществ -- химические реакции -- активные компоненты -- алюминий -- галлий -- интерметаллические соединения -- твердое тело/раствор -- тело/раствор -- твердое тело/пар -- тело/пар -- положительные связи -- отрицательные связи -- обратные связи -- наноматериалы -- реакционноспособные кластеры -- схемы процессов -- предшествующие реакции Аннотация: Рассмотрена возможность создания и поддержания наносостояния вещества посредством предшествующей химической реакции. Интерпретированы примеры подобных процессов, протекающих при предварительном избирательном окислении более активного компонента (алюминий, галлий) из интерметаллических соединений на границах твердое тело/раствор, твердое тело/пар. Предложены некоторые схемы процессов формирования наносостояния вещества посредством предшествующих химических реакций, в том числе при наличии положительных и отрицательных обратных связей. Доп.точки доступа: Вигдорович, В. И.; Цыганкова, Л. Е.; Мищенко, С. В.; Шель, Н. В.; Осетров, А. Ю. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Влияние легирования сурьмой и галлием на оптическое пропускание монокристаллов германия [Текст] / Д. Ю. Воронович [и др. ] // Вестник Тверского государственного университета. - 2010. - N 25 (Физика). - С. 64-71. . - Библиогр.: с. 71 (5 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): коэффициент пропускания -- германий -- коэффициент ослабления -- монокристаллы -- легирование сурьмой -- легирование галлием -- сурьма -- галлий Аннотация: Экспериментально исследовано оптическое пропускание монокристаллов чистых и легированных образцов германия. Доп.точки доступа: Воронович, Д. Ю.; Шелопаев, А. В.; Залетов, А. Б.; Каплунов, И. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Лукиша, Т. В. Сорбционное извлечение галлия из солянокислых растворов хелатной смолой Purolite S-930 [Текст] / Т. В. Лукиша, Л. Н. Адеева, В. Ф. Борбат // Вестник Тюменского государственного университета. - 2011. - N 5. - С. 85-89. : табл., граф. - Библиогр.: с. 89 (7 назв. )
Рубрики: Химия Физическая химия поверхностных явлений Кл.слова (ненормированные): галлий -- ионы галия -- хелатные смолы -- солянокислые растворы -- сорбция -- сорбирование ионов галлия -- сорбционные ионы галия Аннотация: Изучены сорбционные характеристики хелатной смолы Purolite S-930. Показан возможный механизм и характер связи сорбционных ионов галлия с функциональными группами хелатной смолы. Доп.точки доступа: Адеева, Л. Н.; Борбат, В. Ф. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Relaxation of the shallow acceptor center in germanium [Text] / T. N. Mamedov [et al.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 95, вып. 12. - С. 744-747
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): германий -- полупроводники -- акцепторные центры -- поверхностные акцепторные центры -- галлий Доп.точки доступа: Mamedov, T. N.; Baturin, A. S.; Duginov, V. N.; Gritsaj, K. I.; Khasanov, R.; Maisuradze, A.; Stoykov, A. V. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Электронная структура и магнитные свойства соединений класса PuMGa[5] в рамках метода LDA+U+SO [Текст] / А. В. Лукоянов [и др.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 96, вып. 7. - С. 499-503
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): сверхпроводимость -- 5f-электроны -- d-состояния -- соединения плутония -- плутоний -- галлий -- переходные металлы Аннотация: Проведено исследование электронной структуры и магнитных свойств соединений PuMGa[5] (M = Co, Fe, Ni, Rh, Ir) в рамках метода LDA+U+SO, учитывающего как сильные электрон-электронные корреляции, так и спин-орбитальное взаимодействие в 5f-оболочке актиноидного металла. Рассмотрены особенности электронной структуры, типа связи, электронной конфигурации и магнитного состояния иона плутония в зависимости от типа переходного металла в PuMGa[5]. Полученные оценки эффективного магнитного момента иона плутония хорошо согласуются с известными экспериментальными значениями. Показано, что заселенность d-состояний переходного металла коррелирует с появлением сверхпроводимости в соединениях данного класса, обеспечивая режим оптимального легирования в электронной подсистеме. Доп.точки доступа: Лукоянов, А. В.; Шориков, А. О.; Анисимов, В. И.; Дремов, В. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Исследование состава пересыщенных по кремнию слоев нитрида кремния с помощью вторично-ионной масс-спектрометрии [Текст] / Д. В. Журавский [и др.] // Вестник Тюменского государственного университета. - 2013. - № 7. - С. 78-82 : граф. - Библиогр.: с. 81-82 (10 назв.). - полный текст статьи см. на сайте Научной электронной библиотеки http://elibrary.ru
Рубрики: Химия Физико-химические методы анализа Кл.слова (ненормированные): нитрид кремния -- кремний -- галлий -- масс-спектрометрия -- источники света -- растворы -- пересыщенные растворы -- катоды -- кремниевый катод -- магнетронное распыление -- ионная имплантация Аннотация: Приведены предварительные исследования однородности состава полученных пленок нитрида-кремния при их послойном распылении пучком ионов галлия. Доп.точки доступа: Журавский, Дмитрий Валерьевич; Ласкин, Геннадий Павлович; Мисиюк, Кирилл Валерьевич; Удовиченко, Сергей Юрьевич Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Об эффективности солнечных батарей на арсениде галлия [Текст] // Электроэнергетика: сегодня и завтра. - 2013. - № 5. - С. 39
Рубрики: Энергетика Гелиоэнергетика--США Кл.слова (ненормированные): солнечная энергия -- конверсия энергии -- фотоэлектрические элементы -- солнечные батареи -- ячейки батарей -- фотогальванические ячейки -- галлий-арсенидные ячейки -- электричество -- нанотехнологии Аннотация: Достижение США - фотоэлектрические элементы, обладающие рекордной эффективностью конверсии солнечной энергии в электричество. Доп.точки доступа: Компания "Alta Devices"; "Alta Devices", компания Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Спектры электролюминесценции "красных" светодиодов AlGaInP/GaAs [Текст] / А. А. Мармалюк [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 8. - С. 40-43 : рис. - Библиогр.: c. 43 (3 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Электрическое освещение. Светотехника Кл.слова (ненормированные): алюминий-галлий-индий-фосфор -- квантовая яма -- красная область спектра -- красные светодиоды -- металлорганическая эпитаксия -- светодиодные структуры -- светодиоды AlGaInP -- спектры электролюминесценции "красных" светодиодов Аннотация: Представлены результаты исследований спектров электролюминесценции «красных» светодиодных структур AlGalnP/GaAs, выращенных с использованием технологии МОСГФЭ. Выявлена высокая однородность состава твердого раствора в квантовых ямах GaInP исследованных структур. Доп.точки доступа: Мармалюк, А. А.; Горлачук, П. В.; Рябоштан, Ю. Л.; Брудный, В. Н.; Прудаев, И. А.; Романов, И. С.; Леликов, М. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Новые технологии повысят конкурентоспособность солнечной энергетики [Текст] // Электроэнергетика: сегодня и завтра. - 2014. - № 6. - С. 89-90
Рубрики: Энергетика Гелиоэнергетика Кл.слова (ненормированные): солнечная энергия -- солнечные батареи -- тонкопленочные батареи -- производство пленочных батарей -- наночастицы -- медь -- индий -- галлий -- селен -- теллурид кадмия Аннотация: Производство тонкопленочных солнечных батарей, в которых слой пленки состоит из теллурида кадмия. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Растекание галлия по поверхности контактной прослойки переменного состава системы Pb–Bi [Текст] / А. А. Ахкубеков [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2016. - Т. 80, № 6. - С. 701-704 : рис. - Библиогр.: c. 704 (7 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Механика Гидромеханика и аэромеханика Кл.слова (ненормированные): галлий -- контактные прослойки -- металлические системы -- метод контактного плавления Аннотация: Предложен подход получения подложек переменного состава металлических систем. Изучено растекание капель галлия одинакового размера по поверхности зон переменного состава, полученных методом контактного плавления, системы Bi-Pb. Обнаружено изменение диаметра пятна в зависимости от положения капли на поверхности подложки. Наблюдается изменение формы пятна в зависимости от состава вдоль переходной зоны. Подтверждением смачиваемости при растекании является необходимость приложения усилия для отрыва закристаллизованных капель от поверхности подложки, которое зависит от местоположения капель галлия, т. е. состава подложки. Доп.точки доступа: Ахкубеков, А. А.; Ахкубекова, С. Н.; Багов, А. М.; Зубхаджиев, М. -А. В.; Тамаев, Т. Х. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Фотоиндуцированное поглощение терагерцевого излучения в полуизолирующем кристалле GaAs [Текст] / А. С. Курдюбов [и др.] // Физика твердого тела. - 2017. - Т. 59, вып. 7. - С. 1274-1277 : 3 рис. - Библиогр. в конце ст. (16 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): GaAs -- арсенид галлия -- галлий -- кристаллы -- полуизолирующие кристаллы -- терагерцевое излучение Аннотация: Экспериментально изучено влияние оптической подсветки на прохождение терагерцевого излучения через объемный кристалл полуизолирующего GaAs. Доп.точки доступа: Курдюбов, А. С.; Трифонов, А. В.; Герловин, И. Я.; Игнатьев, И. В.; Кавокин, А. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Малышкина, О. В. Анализ тепловых характеристик монокристаллов германия p-типа [Текст] / О. В. Малышкина, И. А. Каплунов, В. Ю. Фокина // Известия РАН. Серия физическая. - 2018. - Т. 82, № 5. - С. 650-652. - Библиогр.: c. 652 (3 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Геология Минералогия Кл.слова (ненормированные): галлий -- монокристаллы германия p-типа -- пироэлектрический метод -- температуропроводность -- теплопроводность Аннотация: С использованием пироэлектрического метода (TSWM) исследована зависимость коэффициентов теплопроводности и температуропроводности монокристаллов германия р-типа от концентрации примеси галлия (1 · 10{14}, 3 · 10{14}, 4. 5 · 10{14}, 9 · 10{14}, 3. 5 · 10{15} см{-3}) в кристаллографических направлениях [111], [110] и [100]. Установлено, что погрешность определения коэффициента температуропроводности не превышает 9%, теплопроводности - 10%. Измерения проводились в температурном интервале 20-80 °С. Доп.точки доступа: Каплунов, И. А.; Фокина, В. Ю. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |