Александров, О. В. Перераспределение Al в имплантированных слоях SiC в процессе термического отжига [Текст] / О. В. Александров, Е. В. Калинина // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 584-589
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): высокотемпературный отжиг -- примеси AL -- карбид кремния -- полупроводники -- ионы -- кристаллические решетки Аннотация: Проведен анализ экспериментальных профилей концентрации Al при его имплантации в SiC при комнатной температуре и последующем высокотемпературном отжиге. Показано, что при дозах, превышающих порог аморфизации, на профилях наблюдается ряд особенностей: смещение максимума распределения, накопление примеси на поверхности, образование прямоугольных ("box-shaped") профилей. Для количественного описания перераспределения примеси Al в слоях SiC, имплантированных с высокими дозами, впервые предложена сегрегационно-диффузионная модель, учитывающая сегрегацию примеси между альфa- и c-фазами в процессе твердофазной эпитаксиальной кристаллизации и последующую диффузию примеси с ее испарением с поверхности. Формирование прямоугольных профилей Al при быстром термическом отжиге объясняется образованием в рекристаллизованной области монокристаллического высокодефектного и поликристаллического слоев SiC с высоким коэффициентом диффузии примеси, а также подавлением переходной ускоренной диффузии в оставшейся монокристаллической части имплантированного слоя. Доп.точки доступа: Калинина, Е. В. |
Использование имплантации ионов водорода и последующего высокотемпературного отжига для уменьшения дефектности эпитаксиального кремния на сапфире [Текст] / П. А. Александров [и др. ] // Нано- и микросистемная техника. - 2009. - N 9. - С. 30-32. - Библиогр.: с. 32 (11 назв. ) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): имплантация -- кремний-на-сапфире -- высокотемпературный отжиг -- имплантация ионов водорода -- эпитаксиальный кремниевый слой -- ионы водорода -- метод двукристальной брегговской дифракции Аннотация: Низкодефектные кремниевые пленки на сапфире получены с использованием имплантации водорода и последующей термической обработки. Метод двухкристальной брегговской дифракции показал, что ширина рентгеновской кривой качания (FWHM) уменьшилась на 40 %. Доп.точки доступа: Александров, П. А. (д-р физ. -мат. наук); Демаков, К. Д. (канд. техн. наук); Шемардов, С. Г.; Кузнецов, Ю. Ю. |
Радиационные эффекты в многослойных омических контактах Au-Ti-Al-Ti-n-GaN [Текст] / А. Е. Беляев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 904-908 : ил. - Библиогр.: с. 908 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): радиационные эффекты -- омические контакты -- высокотемпературный отжиг -- структурные контакты -- металлизация -- примесные атомы кислорода -- радиационно-термическая обработка -- массоперенос -- многослойная металлизация -- контактная металлизация -- радиационные воздействия -- радиационно-термическая обработка Аннотация: Рассмотрены радиационные эффекты в многослойной металлизации Au-Ti-Al-Ti-n-GaN при воздействии gamma-квантов {60}Co в диапазоне доз 4х10[6]-2х10[7] Гр на исходные и подвергнутые кратковременному высокотемпературному отжигу в атмосфере азота контактные структуры. Радиационные воздействия не оказывают существенного влияния на свойства структур, не подвергнутых термообработкам. Кратковременный отжиг при 700{o}C приводит к разрушению слоевой структуры контактов. Морфологические и структурные трансформации в контактной металлизации, вызванные термоотжигом, усиливаются при радиационных воздействиях. Комбинированная радиационно-термическая обработка способствует усилению массопереноса между контактирующими слоями. Кроме того, после облучения до дозы 2х10[7] Гр примесные атомы кислорода пронизывают всю контактную структуру и в значительном количестве наблюдаются в приконтактной области GaN. Доп.точки доступа: Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Капитанчук, Л. М.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Литвин, П. М.; Миленин, В. В.; Шеремет, В. Н.; Свешников, Ю. Н. |
Русских, Д. В. Релаксация оптически стимулированного электросопротивления тонких пленок SnO[2] [Текст] / Д. В. Русских, С. И. Рембеза // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 811-815 : ил. - Библиогр.: с. 815 (7 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): сопротивление -- электросопротивление -- релаксация (физика) -- тонкие пленки -- светодиоды -- фиолетовые светодиоды -- ультрафиолетовый свет -- УФ -- датчики -- датчики газа -- высокотемпературный отжиг -- результаты исследований -- SnO[2] Аннотация: Приведены результаты исследования влияния облучения фиолетовым светодиодом L5013VC с длиной волны 400 нм и мощностью 76 мВт на сопротивление чувствительного слоя тестовых структур датчиков газов на основе SnO[2] на воздухе до и после высокотемпературного стабилизирующего отжига. Установлены особенности процессов изменения сопротивления слоя SnO[2] от времени при включении и выключении светодиода. Доп.точки доступа: Рембеза, С. И. |
Структуры GaAs с квантовыми точками InAs и As, полученные в едином процессе молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / В. Н. Неведомский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 12. - С. 1662-1666 : ил. - Библиогр.: с. 1665-1666 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- полупроводниковые квантовые точки -- ПКТ -- InAs -- As -- металлические квантовые точки -- МКТ -- эпитаксиальные слои -- GaAs -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- механизм Странского-Крастанова -- Странского-Крастанова механизм -- выращивание квантовых точек -- мышьяк -- просвечивающая электронная микроскопия -- метод просвечивающей электронной микроскопии -- поля -- деформационные поля -- V-образные дефекты -- дефекты упаковки -- заращивание квантовых точек -- арсенид галлий -- отжиг -- высокотемпературный отжиг -- самоорганизация квантовых точек -- коалесценция -- оствальдовское созревание -- диффузия -- ускоренная диффузия -- деформации -- локальные деформации Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены эпитаксиальные слои GaAs, содержащие полупроводниковые квантовые точки InAs, сформированные по механизму Странского-Крастанова, и металлические квантовые точки As, сформированные путем самоорганизации в слое GaAs, выращенном при низкой температуре и содержащем большой избыток мышьяка. Методом просвечивающей электронной микроскопии проведены исследования микроструктуры полученных образцов. Установлено, что металлические квантовые точки As, формирующиеся в непосредственной близости от полупроводниковых квантовых точек InAs, имеют большие размеры, чем находящиеся на удалении. Это явление, по-видимому, есть результат воздействия деформационных полей квантовых точек InAs на процессы самоорганизации квантовых точек As. Другим явлением, вероятно, связанным с локальными деформациями вокруг квантовых точек InAs, оказывается формирование V-образных дефектов (дефектов упаковки) при заращивании квантовых точек InAs слоем арсенида галлия при низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии. Такие дефекты оказывают сильное воздействие на процессы самоорганизации квантовых точек As. В частности, при высокотемпературном отжиге, необходимом для формирования крупных квантовых точек As путем коалесценции (оствальдовского созревания), наличие V-образных дефектов приводит к растворению квантовых точек As в их окрестности. При этом избыточный мышьяк, скорее всего, диффундирует на открытую поверхность образца за счет каналов ускоренной диффузии по плоскостям дефектов упаковки. Доп.точки доступа: Неведомский, В. Н.; Берт, Н. А.; Чалдышев, В. В.; Преображенский, В. В.; Путято, М. А.; Семягин, Б. Р. |
Исследование сверхтонких пленок силицида железа, выращенных твердофазной эпитаксией на поверхности Si (001) [Текст] / В. В. Балашев [и др. ] // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52. вып. 2. - С. 370-376. - Библиогр.: с. 376 (23 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): силицид железа -- свертонкие пленки -- высокотемпературный отжиг -- твердофазная эпитаксия -- пленки силицида железа -- отжиг пленок -- метод дифракции быстрых электронов Аннотация: Сверхтонкие пленки силицида железа были выращены путем высокотемпературного отжига пленок Fe толщиной от 0. 14 до 0. 5 nm, осажденных на поверхность кремния с ориентацией (001) при комнатной температуре. Обнаружено, что отжиг приводит к образованию на поверхности нанометровых островков силицида железа, тип которого зависит от толщины пленки Fe. С использованием методов дифракции быстрых электронов и атомно-силовой микроскопии показано, что для пленок Fe толщиной менее 0. 32 nm на поверхности Si (001) происходит эпитаксиальный рост как трехмерных островков гамма-FeSi[2], так и двумерных бета-FeSi[2]. Обнаружено, что при покрытиях Fe толщиной более 0. 32 nm наблюдается полный переход к твердофазной эпитаксии только двумерных островков бета-FeSi[2]. Исследовано влияние длительного отжига при 850oC на морфологию поверхности пленки силицида железа. Доп.точки доступа: Балашев, В. В.; Коробцов, В. В.; Писаренко, Т. А.; Чусовитин, Е. А.; Галкин, К. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Влияние низкотемпературных отжигов на фотолюминесценцию кремниевых нанокластерных структур [Текст] / Б. Н. Романюк [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 533-537 : ил. - Библиогр.: с. 536-537 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- ФЛ -- нанокластеры -- НК -- кремниевые нанокластеры -- спектры фотолюминесценции -- отжиг -- высокотемпературный отжиг -- ВТ отжиг -- низкотемпературный отжиг -- НТ отжиг -- структуры -- температура отжига Аннотация: Приведены результаты экспериментальных исследований спектров фотолюминесценции кремниевых нанокластерных структур, полученных после высокотемпературного отжига (1150гр. C) осажденных на Si пленок SiO[x] и последующих низкотемпературных отжигов при температуре 450гр. C в разных средах. Показано, что интенсивность фотолюминесценции существенно возрастает после низкотемпературного отжига, причем максимальный эффект наблюдается после отжига в смеси кислорода и азота. При этом спектр фотолюминесценции сдвигается в длинноволновую область и имеет форму широкой полосы с максимумом в области 880 нм. Механизмы, ответственные за увеличение интенсивности фотолюминесценции при низкотемпературном отжиге в смеси кислорода и азота, связаны с реконструкцией границ раздела Si/SiO[2] и формированием на этих границах энергетических уровней, которые участвуют в рекомбинации неравновесных носителей заряда. В квазихимических реакциях создания таких уровней принимают участие атомы кислорода и азота, а начальными центрами реакций являются ненасыщенные валентные связи на границах раздела нанокластеров Si и матрицы SiO[2]. Доп.точки доступа: Романюк, Б. Н.; Мельник, В. П.; Попов, В. Г.; Хацевич, И. М.; Оберемок, А. С. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Формирование и "белая" фотолюминесценция нанокластеров в пленках SiO[x], имплантированных ионами углерода [Текст] / А. И. Белов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1498-1503. : ил. - Библиогр.: с. 1503 (31 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- ФЛ -- нанокластеры -- ионы углерода -- кластеры -- нанокристаллы -- высокотемпературный отжиг -- отжиг -- оксид кремния -- SiOx -- имплантация ионов -- рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия -- РФЭС -- метод рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии Аннотация: Приведены экспериментальные данные по ионному синтезу нанокомпозитных слоев с углеродсодержащими кластерами и нанокристаллами Si при облучении пленок нестехиометрического оксида кремния SiO[x] ионами углерода с последующим высокотемпературным отжигом. Показано, что при достаточно больших дозах C{+} пленки обладают фотолюминесценцией в области спектра, охватывающей весь видимый диапазон и ближнюю инфракрасную область. Формирование указанных кластеров и нанокристаллов подтверждается методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, причем распределение углерода практически воспроизводит расчетный профиль пробегов ионов, т. е. отсутствует заметное диффузионное перераспределение этого элемента. Предложена качественная модель слоистого строения ионно-синтезированных структур. Доп.точки доступа: Белов, А. И.; Михайлов, А. Н.; Николичев, Д. Е.; Боряков, А. В.; Сидорин, А. П.; Грачев, А. П.; Ершов, А. В.; Тетельбаум, Д. И. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Бобылев, И. Б. Влияние низкотемпературной обработки и последующего высокотемпературного отжига на критическую плотность тока YBa[2]Cu[3]O[y] [Текст] / И. Б. Бобылев, Н. А. Зюзева // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 7. - С. 1256-1259. - Библиогр.: с. 1259 (15 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): низкотемпературная обработка -- высокотемпературный отжиг -- отжиг -- ток -- полевые зависимости -- критическая плотность тока Аннотация: Исследованы полевые зависимости критической плотности тока ВТСП-соединения YBa[2]Cu[3]O[y], восстановленного при t = 920-950 градусах C после низкотемпературной обработки. При t = 200 градусах C во влажной атмосфере образуются дефекты структуры, которые способны осуществлять пиннинг магнитных вихрей. После непродолжительного восстановительного отжига при t = 930-950 градусах С (1-3 h) в образцах сохраняется значительное количество дефектов структуры, возникших в ходе низкотемпературной обработки, что приводит к существенному повышению критической плотности тока в магнитных полях ~2 T по сравнению с керамикой, не подвергавшейся двойному отжигу. Более длительная высокотемпературная обработка устраняет образовавшиеся дефекты структуры и приближает электрофизические свойства YBa[2]Cu[3]O[y] к значениям, характерным для керамики, полученной по стандартной технологии. Доп.точки доступа: Зюзева, Н. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Влияние высокотемпературного отжига на пленки аморфного гидрогенизированного кремния, полученные в СВЧ плазме [Текст] / А. В. Маркин [и др.] // Вестник Саратовского государственного технического университета. - 2012. - № 66. - С. 103-109 : ил. - Библиогр.: с. 109 (23 назв.) . - ISSN 1999-8341
Рубрики: Энергетика Электрический нагрев Кл.слова (ненормированные): высокотемпературный отжиг -- отжиг -- пленки -- гидрогенизированный кремний -- СВЧ плазма -- комбинационное рассеяние света -- кристалличность -- увеличение температуры Аннотация: Приведены результаты исследования спектров комбинационного рассеяния света для тонких пленок аморфного гидрогенизированного кремния подвернутых высокотемпературному отжигу. Показано изменение степени кристалличности образцов с увеличением температуры отжига. Рассмотрены причины изменения кристалличности пленок.The results of researching the Raman scattering spectra of the amorphous hydrogenated silicon thin films influenced of the hightemperature annealing are considered. The changing of crystallinity degree by increasing of temperature is shown. The reasons of changes in the crystallinity of the films are observed. Доп.точки доступа: Маркин, Алексей Викторович (инженер); Нефедов, Денис Владимирович (кандидат технических наук); Сердобинцев, Алексей Александрович (кандидат физико-математических наук; доцент); Суздальцев, Сергей Юрьевич (кандидат физико-математических наук; доцент) Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Епишин, А. И. Эволюция морфологии пор в монокристаллах никелевых жаропрочных сплавов [Текст] / А. И. Епишин, И. Л. Светлов // Материаловедение. - 2015. - № 7. - С. 21-29 . - ISSN 1684-579Х
Рубрики: Технология металлов Металловедение цветных металлов и сплавов Кл.слова (ненормированные): высокотемпературный отжиг -- горячее изостатическое прессование -- горячее прессование -- диффузия -- жаропрочные сплавы -- изостатическое прессование -- кристаллография -- монокристаллы -- никелевые жаропрочные сплавы -- никелевые сплавы -- ползучесть -- пористость Аннотация: Исследована эволюция морфологии пор в монокристаллах никелевых жаропрочных сплавов при высокотемпературных отжигах, ползучести и горячем изостатическом прессовании. Обнаружено, что в зависимости от условий роста и аннигиляции поверхность пор может принимать разнообразную форму: сферическую, полиэдрическую, дендритную, фасетированную и неправильную. Доп.точки доступа: Светлов, И. Л. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |