Смирнов, Ю. М. Кристаллофизика - теория и эксперимент [Текст] / Ю. М. Смирнов> // Вестник Тверского государственного университета. - 2007. - N 6 (Физика). - С. 51-61. - Библиогр.: с. 61 (4 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): кристаллофизика -- прикладная физика -- монокристаллы -- выращивание кристаллов Аннотация: Анализ итогов теоретических и экспериментальных разработок, реализуемых кристаллофизиками Тверского государственного университета. Доп.точки доступа: Тверской государственный университет |
Система управления многозонной термической установкой для выращивания кристаллов по методу Бриджмена [Текст] / М. М. Филиппов [и др. ]> // Известия Томского политехнического университета. - 2010. - Т. 316, N 5 : Управление, вычислительная техника и информатика. - С. 146-151. : ил. - Библиогр.: с. 150-151 (5 назв. ).
Рубрики: Радиоэлектроника Кибернетика Кл.слова (ненормированные): системы управления -- многозонные термические установки -- выращивание кристаллов -- метод Бриджмена -- Бриджмена метод -- температурное поле -- системы автоматического регулирования Аннотация: Представлено описание системы автоматического регулирования многозонной термической установкой для выращивания монокристаллов методом Бриджмена в вертикальном варианте. Показаны результаты внедрения и апробации предлагаемой системы. Доп.точки доступа: Филиппов, М. М.; Бабушкин, Ю. В.; Грибенюков, А. И.; Гинсар, В. Е. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Исследование эволюции структурных дефектов в монокристаллах ZnGeP[2], выращенных методом Бриджмена [Текст] / Г. А. Верхозубова [и др.]> // Известия Томского политехнического университета. - 2012. - Т. 321, № 2 : Математика и механика : Физика. - С. 121-128 : ил. - Библиогр.: с. 127-128 (22 назв.) . - ISSN 1684-8519
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): структурные дефекты -- монокристаллы -- метод Бриджмена -- Бриджмена метод -- результаты исследований -- рентгеновская топография -- эффект Бормана -- Бормана эффект -- продольные срезы -- поперечные срезы -- численные оценки -- кристаллизация -- кристаллы -- выращивание кристаллов -- топографические исследования Аннотация: Представлены результаты исследований структурных дефектов в монокристалле ZnGeP[2], выращенном методом Бриджмена в вертикальном варианте. Методом рентгеновской просвечивающей топографии на основе эффекта Бормана исследованы продольный срез и три поперечных среза монокристалла. Обнаружено различие структур дефектов в начальной, срединной и концевой частях кристалла. Приведены численные оценки поведения фронта кристаллизации в процессе выращивания кристалла. Получено хорошее соответствие численных оценок и результатов топографических исследований. Доп.точки доступа: Верхозубова, Галина Александровна; Филиппов, Максим Михайлович; Грибенюков, Александр Иванович; Трофимов, Андрей Юрьевич; Окунев, Алексей Олегович; Стащенко, Владимир Александрович Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Некоторые результаты выращивания кристаллов полупроводников в условиях микрогравитации [Текст] : (к 50-летию полета Ю. А. Гагарина в космос) / И. Л. Шульпина [и др.]> // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 7. - С. 1264-1268. - Библиогр.: с. 1268 (18 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- выращивание кристаллов -- полупроводники -- микрогравитация -- космические аппараты Аннотация: Кратко описана история выращивания кристаллов полупроводников на борту космических аппаратов и их последующего исследования. На примере кристаллов Ge (Ga), GaSb (Si), GaSb (Te) показано, что при их рекристаллизации вертикальным методом Бриджмена в условиях физического моделирования микрогравитации на Земле удается избежать формирования сегрегационных полос роста, главным образом за счет существенного ослабления термогравитационной конвекции. По своей структуре и распределению примеси они приближаются к выращенным в космосе. Исследование рекристаллизации Te позволило определить роль характерного для условий микрогравитации "эффекта отрыва" и особенности микроструктуры образцов, кристаллизующихся со "свободной" поверхностью. Анализ результатов экспериментов в космосе позволяет лучше понять процессы, происходящие при кристаллизации расплавов, и совершенствовать наземную технологию выращивания кристаллов. Доп.точки доступа: Шульпина, И. Л.; Захаров, Б. Г.; Парфеньев, Р. В.; Фарбштейн, И. И.; Серебряков, Ю. А.; Прохоров, И. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Амано, Хироши. Выращивание кристалла CaN на сапфировой подложке методом низкотемпературного осаждения буферного слоя и получение кристалла CaN p-типа с помощью допирования магнием и дальнейшего облучения низкоэнергетическим электронным пучком [Текст] / Х. Амано ; пер. с англ. А. Л. Чехова> // Успехи физических наук. - 2016. - Т. 186, № 5. - С. 518-523 : 5 рис. - Библиогр.: с. 522-523 (62 назв.) . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): лауреаты Нобелевской премии -- нобелевские лекции -- синие светодиоды -- кристаллы -- нитриды -- нитрид галлия -- CaN -- CaN p-типа -- InGaN -- выращивание кристаллов -- сапфиры -- сапфировая подложка -- низкотемпературный буферный слой -- метод низкотемпературного осаждения -- допирование магнием -- низкоэнергетические электронные пучки Аннотация: История разработки методов роста кристаллов нитрида галлия на сапфировой подложке, проложившей путь к развитию "умного" телевидения и систем отображения с использованием синих светодиодов. Предпосылки данной работы и процесс создания технологии, позволяющей выращивать кристаллы GaN и получать кристаллы GaN p-типа. Доп.точки доступа: Чехов, А. Л. \.\ Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Накамура, Шуджи. История изобретения эффективных синих светодиодов на основе InGaN [Текст] / Ш. Накамура ; пер. с англ. А. Л. Чехова> // Успехи физических наук. - 2016. - Т. 186, № 5. - С. 524-536 : 17 рис. - Библиогр.: с. 535-536 (49 назв.) . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): лауреаты Нобелевской премии -- нобелевские лекции -- изобретения -- синие светодиоды -- эффективные синие светодиоды -- белый свет -- источники белого света -- нитриды -- нитрид галлия -- GaN -- нитрид индия галлия -- InGaN -- кристаллы -- выращивание кристаллов -- технологии выращивания кристаллов Аннотация: Значение изобретения синих светодиодов как высокоэффективных источников белого света. История развития светодиодов на основе нитрида индия галлия (InGaN). Свойства материала InGaN. Доп.точки доступа: Чехов, А. Л. \.\ Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |