Влияние самокомпенсации на время жизни электрона в теллуриде кадмия, легированном галлием [Текст] / Е. В. Рабенок [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 878-883 : ил. - Библиогр.: с. 882 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): самокомпенсация -- электроны -- время жизни электронов -- теллурид кадмия -- легирование -- галлий -- фотопроводимость -- сверхвыкокочастотная фотопроводимость -- катодолюминесценция -- элементарные процессы -- заряженные частицы -- твердые растворы -- поликристаллические твердые растворы -- датчики интроскопии -- фотоотклик -- амплитуда -- характеристическое время -- фотогенерированные электроны -- энергетические ловушки Аннотация: Методами сверхвысокочастотной фотопроводимости и катодолюминесценции исследованы элементарные процессы с участием заряженных частиц в поликристаллических твердых растворах на основе теллурида кадмия CdTe-GaTe и CdTe-Ga[2]Te[3] - перспективных активных средах датчиков интроскопии человека с низкой дозовой нагрузкой. Экспериментально установлено, что амплитуда, характеристическое время и форма спада фотоотклика зависели от уровня легирования, причем характеристическое время спада увеличивалось с ростом уровня легирования. Показано, что изменение кинетики гибели фотогенерированных электронов в легированном теллуриде кадмия (по сравнению с исходным) обусловлено эффектом самокомпенсации, приводящим к перераспределению ловушек по энергиям. Доп.точки доступа: Рабенок, Е. В.; Гапанович, М. В.; Новиков, Г. Ф.; Один, И. Н. |
Анизотропия спиновой релаксации электронов, вызванная конкуренцией механизмов Рашбы и Дрессельхауза [Текст] / А. М. Смирнов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 933-937 : ил. - Библиогр.: с. 936 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): метод оптической ориентации -- анизотропия спиновой релаксации -- квантовые ямы -- кривые Ханле -- Ханле кривые -- механизмы Рашбы -- Рашбы механизмы -- электроны -- свободные электроны -- локализованные электроны -- время жизни электронов -- механизмы Дрессельхауза -- Дрессельхауза механизмы Аннотация: Методом оптической ориентации исследована анизотропия спиновой релаксации электронов в асимметричных вдоль оси роста квантовых ямах AlGaAs. Показано, что различие кривых Ханле для рассмотренных ориентаций связано именно с анизотропией спиновой релаксации, а не с анизотропией электронного g-фактора. Обнаружен вклад в кривые Ханле как от свободных, так и от локализованных электронов, имеющих разное время жизни. Доп.точки доступа: Смирнов, А. М.; Осепцова, В. А.; Платонов, А. В.; Гуревич, А. С.; Кочерешко, В. П.; Школьник, А. С.; Евтихиев, В. П.; Петров, В. В.; Долгих, Ю. К.; Ефимов, Ю. П.; Елисеев, С. А. |
Гурин, Н. Т. Характеристики поверхностных состояний на границе раздела диэлектрик-полупроводник в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе ZnS : Mn [Текст] / Н. Т. Гурин, О. Ю. Сабитов, А. М. Афанасьев // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 517-526 : ил. - Библиогр.: с. 526 (18 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): тонкопленочные электролюминесцентные излучатели -- ТП ЭЛИ -- поверхностные состояния -- границы раздела -- диэлектрик-проводник -- люминофоры -- излучатели -- релаксация электронов -- время жизни электронов -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- туннелирование электронов Аннотация: Выполнено моделирование распределения плотности заполненных поверхностных электронных состояний на катодной границе раздела диэлектрик- (люминофор тонкопленочных электролюминесцентных излучателей) в зависимости от энергии на основе экспериментальных данных. Получены зависимости указанных распределений от режима возбуждения излучателей. Показано, что данные распределения сдвигаются в сторону более глубоких уровней поверхностных состояний при уменьшении частоты напряжения возбуждения и увеличении паузы между двумя соседними включенными состояниями излучателей, что соответствует каскадному механизму релаксации электронов, захваченных на поверхностные состояния. Определены: коэффициент каскадного захвата электронов, (4-5) x10{-12} см{2}/с; мгновенное время жизни электронов до релаксации 0. 2-0. 25 с; сечение захвата электронов на более глубокие уровни поверхностных состояний -более или порядка (6. 7-8. 3) ·10{-21} см{2}; максимальные значения плотности заполненных поверхностных состояний на катодной границе, с которых осуществляется туннелирование электронов, ~2. 5x10{13} см-{2}, и энергетической плотности указанных поверхностных состояний, 7x10{14} см{-2}эВ{-1}. Значения квазиравновесного уровня Ферми на поверхности в процессе работы электролюминесцентных излучателей изменяются в пределах 0. 9-1. 35 эВ в зависимости от режима возбуждения. Доп.точки доступа: Сабитов, О. Ю.; Афанасьев, А. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |