Электрические и люминесцентные свойства кремниевых диодных светоизлучающих структур p{+}/n{+}/n-Si: Er туннельно-пролетного типа [Текст] / В. Б. Шмагин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1533-1538. : ил. - Библиогр.: с. 1538 (17 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): люминесценция -- электролюминесценция -- ЭЛ -- редкоземельные ионы -- РЗ ионы -- электрические свойства -- люминесцентные свойства -- светоизлучающие структуры -- диодные структуры -- кремниевые структуры -- возбуждение ионов эрбия -- ионы эрбия -- туннельно-пролетные светодиоды -- светодиоды -- квантовая эффективность -- мощность излучения -- p-n переходы -- экспериментальные исследования Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований электрофизических и люминесцентных свойств кремниевых диодных светоизлучающих структур p{+}/n{+}/n-Si: Er туннельно-пролетного типа, излучающих при обратном смещении в режиме пробоя p{+}/n{+}-перехода. Определены мощность, излучаемая в диапазоне lambda~1. 5 мкм (~5 мкВт), внешняя квантовая эффективность (~10{-5}) и эффективность возбуждения ионов эрбия (~2 x 10{-20} см{2}с) при комнатной температуре. Показано, что при одной и той же эффективности возбуждения туннельно-пролетные светодиоды превосходят диодные структуры типа p{+}/n-Si: Er по мощности излучения. Проведено сопоставление экспериментальных результатов с модельными представлениями о работе туннельно-пролетного светодиода. Обсуждаются факторы, ограничивающие интенсивность электролюминесценции и эффективность ударного возбуждения ионов эрбия в структурах данного типа. Доп.точки доступа: Шмагин, В. Б.; Кузнецов, В. П.; Кудрявцев, К. Е.; Оболенский, С. В.; Козлов, В. А.; Красильник, З. Ф. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |