Молекулярно-динамическое моделирование образования дефектов при облучении GaN атомарными и молекулярными ионами [Текст] / П. А. Карасев [и др.] // Научно-технические ведомости СПбГПУ. Сер.: Физико-математические науки. - 2012. - № 2 (146). - С. 49-55 : ил. - Библиогр.: с. 54-55 (18 назв.) . - ISSN 1994-2354
Рубрики: Физика Механические и акустические свойства монокристаллов Кл.слова (ненормированные): нитрид галлия -- ионная имплантация -- молекулярные ионы -- МД-моделирование -- молекулярно-динамическое моделирование -- каскады столкновений -- молекулярный эффект -- точечные дефекты -- внутрикаскадная рекомбинация -- атомарные ионы Аннотация: Описаны результаты МД-моделирования бомбардировки открытой поверхности (0001) GaN ускоренными атомарными (F, P, Ag) и молекулярными (PF[2], PF[4]) ионами с энергией 50 эВ/а. е. м. Обращено внимание на внутри-каскадную рекомбинацию образующихся точечных дефектов и генерацию простейших точечных дефектов тяжелыми ионами Ag и молекулами PF[4].Results of atomistic simulation of (0001) GaN surface bombardment by 50 eV/a. m. u. atomic (F, P, Ag) and molecular (PF[2] and PF[4]) ions are presented. Strong in-cascade recombination of generated point defects is found. Final defect distributions are significantly shifted towards the surface. Both these findings are in good agreement with experimental data on formation of structural defects in GaN under accelerated ion irradiation. Enhanced defect generation as compared to approximation given by binary collisions is found for heavy atomic (Ag) and molecular (PF[4]) ions. In the case of molecular ion the mentioned effect is observed close to the sample surface only. Доп.точки доступа: Карасев, Платон Александрович; Титов, Андрей Иванович (1939-); Улла, Мохаммад Вали; Джурабекова, Флюра; Куронен, Антти; Нордлунд, Кай Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |