Тихонов, Р. Д. Латеральные и планарные биполярные магнитотранзисторы [Текст] / Р. Д. Тихонов // Нано- и микросистемная техника. - 2010. - N 6. - С. 31-36. - Библиогр.: с. 36 (20 назв. ) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: Энергетика Электротехника в целом Кл.слова (ненормированные): биполярный магнитотранзистор -- линии тока -- гальваномагнитный эффект -- планарные магнитотранзисторы -- латеральные магнитотранзисторы Аннотация: Рассмотрены механизмы формирования чувствительности двухколлекторных латерального и планарного биполярных магнитотранзисторов на основе изменения в магнитном поле линий тока инжектированных носителей заряда. Анализ распределения тока в структурах приборов дает перечень механизмов чувствительности и рекомендации по ее повышению за счет выбора структуры биполярного магнитотранзистора. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Конструктивные и схемотехнические способы повышения чувствительности биполярных магнитотранзисторов для прециозионного контроля перемещений микромеханических элементов [Текст] / А. В. Козлов [и др. ] // Нано- и микросистемная техника. - 2011. - № 12. - С. 19-20. . - Библиогр.: с. 20 (6 назв. )
Рубрики: Энергетика Электротехника в целом Кл.слова (ненормированные): приборно-технологическое моделирование -- биполярный магнитотранзистор -- магнитотранзисторы -- прецизионный контроль Аннотация: С использованием приборно-технологического моделирования и в процессе экспериментальных исследований установлено, что относительная по токе чувствительность двухколлекторного латерального биполярного магнитотранзистора определяется расположением электродов, легированием кармана, служащего базой, схемой включения с общим потенциалом базы и подложки, режимом работы вблизи насыщения, значением сопротивления нагрузки коллекторов. Доп.точки доступа: Козлов, А. В.; Королев, М. А.; Поломошнов, С. А.; Тихонов, Р. Д.; Черемисинов, А. А.; Шаманаев, С. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |