Гуреев, Д. М. К вопросу о безызлучательной рекомбинации в лазерных диодах Pb[1-х] Sn[х]Se [Текст] / Д. М. Гуреев // Вестник Самарского государственного технического университета. Сер.: Физико-математические науки. - 2008. - N 1. - С. 178-179 . - ISSN 1991-8615
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): лазерные диоды -- безызлучательная рекомбинация -- инжекционные лазеры -- оптическая связь -- контроль загрязнения атмосферы -- загрязнение атмосферы Аннотация: На основе анализа экспериментальных температурных зависимостей "сопротивления в нуле" для лазерных диодов выявлены каналы безызлучательной рекомбинации в интервале температур 77-250К. |
Россохатый, А. В. Зависимость кинетики рекомбинации пространственно разделенных электрон-дырочных слоев от параллельного магнитного поля [Текст] / А. В. Россохатый, И. В. Кукушкин // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып. 10. - С. 603-606
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): излучательная рекомбинация -- разделенные электрон-дырочные слои -- кинетика рекомбинации -- интенсивность люминесценции -- перекрытие волновых функций -- безызлучательная рекомбинация Аннотация: Исследована зависимость времени излучательной рекомбинации пространственно разделенных электрон-дырочных слоев от магнитного поля, параллельного плоскости широкой квантовой ямы. Обнаружено, что интенсивность люминесценции уменьшается с увеличением параллельного магнитного поля. Установлено, что эта зависимость не согласуется с теоретическими предсказаниями, связывающими падение интенсивности с уменьшением заселенности энергетических уровней, разрешенных для излучательной рекомбинации. Показано, что падение интенсивности связано с экспоненциальным ростом времени излучательной рекомбинации от магнитного поля (вследствие уменьшения перекрытия волновых функций электрона и дырки) и проявлением процессов безызлучательной рекомбинации. Доп.точки доступа: Кукушкин, И. В. |
Фазовый распад и безызлучательная рекомбинация носителей в активных областях светоизлучающих приборов на основе квантовых точек InGaN в матрице GaN или AlGaN [Текст] / В. С. Сизов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 836-840 : ил. - Библиогр.: с. 840 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- КТ -- светоизлучающие приборы -- безызлучательная рекомбинация -- БР -- фазовый распад -- фотолюминесценция -- ФЛ -- квантовые ямы -- остаточные квантовые ямы -- ОКЯ -- матрицы -- матрица GaN -- матрица AlGaN -- нанослои -- InGaN Аннотация: Исследованы структуры, содержащие нанослои InGaN в матрицах GaN и AlGaN, представляющие собой активные области светоизлучающих приборов. Измерены спектры и относительная интенсивность фотолюминесценции в диапазоне температур 20-300 K и зависимость положения пика фотолюминесценции от энергии фотонов возбуждающего света. Показано, что для объяснения температурной зависимости фотолюминесценции требуется, помимо безызлучательной рекомбинации через дефекты в матрице и в остаточной квантовой яме, учитывать дополнительный канал рекомбинации с малой энергией активации, по-видимому, связанный с дефектами, находящимися вблизи квантовых точек. Обнаружено, что структуры с матрицей AlGaN имеют более сильное падение интенсивности фотолюминесценции при увеличении температуры от 50 до ~200 K, чем структуры с матрицей GaN. Анализ температурной зависимости интенсивности фотолюминесценции в модели, рассматривающей 3 указанных канала безызлучательной рекомбинации, показывает, что она связана с уменьшением энергии локализации носителей относительно остаточной квантовой ямы. Такое уменьшение вызвано подавлением фазового распада слоев InGaN, выращенных в матрице AlGaN. Последнее подтверждается измерениями фотолюминесценции при различной энергии возбуждающего фотона и, кроме уменьшения энергии локализации, приводит также к наблюдавшемуся для этих структур уменьшению концентрации центров рекомбинации. Доп.точки доступа: Сизов, В. С.; Гуткин, А. А.; Сахаров, А. В.; Лундин, В. В.; Брунков, П. Н.; Цацульников, А. Ф. |
Высокоэффективные фотоэлементы на основе твердых растворов In[0. 53]Ga[0. 47]As с изовалентным легированием [Текст] / Л. Б. Карлина [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 240-245 : ил. - Библиогр.: с. 244-245 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): твердые растворы -- InGaAs -- изовалентное легирование -- фотолюминесценция -- ФЛ -- спектры фотолюминесценции -- спектры пропускания -- безызлучательная рекомбинация -- солнечные излучения -- фотоэлектрические преобразования -- фосфор -- комбинационное рассеяние света -- КРС -- метод комбинационного рассеяния света -- жидкофазная эпитаксия -- одностадийная диффузия Аннотация: Влияние изовалентного легирования фосфором на поверхностные и объемные свойства слоев In[0. 53]Ga[0. 47]As (далее InGaAs) оценивалось по изменению спектров фотолюминесценции и спектров пропускания. Установлено, что изовалентное легирование уменьшает скорость безызлучательной рекомбинации в объеме и на поверхности легированных слоев. Использование дополнительного изовалентного легирования позволило улучшить параметры узкозонного солнечного элемента на основе InGaAs, предназначенного для преобразования концентрированного солнечного излучения. Значение максимальной эффективности фотоэлектрического преобразования в спектральном диапазоне 900-1840 нм составило 7. 4-7. 35% при кратности концентрирования солнечного излучения 500-1000 для спектра AM1. 5D Low AOD. Доп.точки доступа: Карлина, Л. Б.; Власов, А. С.; Кулагина, М. М.; Ракова, Е. П.; Тимошина, Н. Х.; Андреев, В. М. |
Александров, И. А. Линейно поляризованная фотолюминесценция ансамбля вюрцитных GaN/AlN квантовых точек [Текст] / И. А. Александров, В. Г. Мансуров, П. Хольтц // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91. N 9. - С. 498-500
Рубрики: Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): микрофотолюминесценция -- фотолюминесценция -- вюрцитные квантовые точки -- квантовые точки -- фотолюминесценция квантовых точек -- лазерное возбуждение -- поляризация излучения -- безызлучательная рекомбинация -- центры безызлучательной рекомбинации Аннотация: Исследована микрофотолюминесценция GaN/AlN квантовых точек, выращенных методом молекулярнолучевой эпитаксии на сапфировых подложках вдоль оси (0001). Номинальное количество осажденного GaN варьировалось от 1 до 4 монослоев для получения квантовых точек с различным средним размером и плотностью. Плотность квантовых точек составляла около 10\{11\} см\{-2\}, таким образом, около 10\{3\} квантовых точек возбуждалось в экспериментах. Фотолюминесценция квантовых точек линейно поляризована, наибольшая степень поляризации (15 для образца с наименьшим количеством осажденного GaN). Доп.точки доступа: Мансуров, В. Г.; Хольтц, П. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Герт, А. В. Излучательная и безызлучательная рекомбинация автолокализованного экситона на поверхности кремниевого нанокристалла [Текст] / А. В. Герт, И. Н. Яссиевич // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2013. - Т. 97, вып. 2. - С. 93-97
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): нанокристаллы -- кремниевые нанокристаллы -- автолокализованные экситоны -- излучательная рекомбинация -- безызлучательная рекомбинация Аннотация: Построена теория многофононной и излучательной рекомбинации автолокализованного экситона на поверхности нанокристаллов кремния в матрице SiO[2]. Автолокализованные экситоны играют ключевую роль в динамике горячих носителей при фотовозбуждении нанокристаллов. Проведены численные оценки отношения вероятностей излучательной и многофононной рекомбинации автолокализованного экситона. Рассчитаны вероятности туннельного перехода экситона из автолокализованного состояния в нанокристалл при комнатной и азотной температурах для нанокристаллов различного размера. Получен спектр излучения автолокализованного экситона, лежащий в инфракрасной области. Доп.точки доступа: Яссиевич, И. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |