Влияние толщины слоев CdTe и ZnTe на спектры катодолюминесценции в напряженных сверхрешетках CdTe/ZnTe со слоями квантовых точек [Текст] / И. В. Кучеренко [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 11. - С. 2246-2250. - Библиогр.: с. 2250 (19 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): спектральные параметры -- комбинационные рассеяния света -- квантовые точки -- люминесценция -- барьерные слои -- катодолюминесценция -- сверхрешетки Аннотация: Исследовано влияние толщины барьерных слоев ZnTe на спектры катодолюминесцентных (КЛ) напряженных сверхрешеток CdTe/ZnTe со слоями квантовых точек CdTe, средний латеральный размер которых составляет примерно 3 nm. В образцах с толстыми барьерными слоями (30 nm, 15 nm) спектры КЛ квантовых точек представлены одной полосой с максимумом при E=2. 03 eV. Обнаружено расщепление полосы люминесценции при толщине барьерного слоя ~3 nm. Однако при толщине слоя ZnTe 1. 5 nm спектр излучения также представлен одной полосой. Результаты эксперимента интерпретируются с учетом влияния упругих двухосных деформаций на энергетические состояния легких и тяжелых дырок в слоях CdTe и ZnTe. Обнаружены 2LO-фононные повторения в спектре КЛ гетероструктуры CdTe/ZnTe с квантовыми точками при толщине осажденного слоя CdTe 1. 5 монослоев (ML) и толщине барьерного слоя 100 ML. Эффект объясняется резонансом между двухфононными LO-состояниями и разностью уровней энергии в электронном спектре фрагментов смачивающего слоя. Доп.точки доступа: Кучеренко, И. В.; Виноградов, В. С.; Трушин, А. С.; Карчевски, Г. |
Дальнодействие химического взаимодействия в твердофазном синтезе: эффект Киркендаля и твердофазные реакции в Cu/бета-CuZn и Cu/Fe/бета-CuZn пленочных системах [Текст] / В. Г. Мягков [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91. N 12. - С. 734-738
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): эффект Киркендаля -- Киркендаля эффект -- твердофазные реакции -- твердофазный синтез -- бета-латунь -- альфа-латунь -- барьерные слои -- миграции атомов -- пленочные системы Аннотация: Представлены экспериментальные результаты исследования твердофазной реакции Cu с бета-латунью, связанной с эффектом Киркендаля, в Cu/бета-CuZn и Cu/Fe/бета-CuZn пленочных системах. Показано, что температура инициирования твердофазного синтеза альфа-латуни на интерфейсе Cu/бета-CuZn 200 градусов C. Химически инертные барьерные слои Fe толщиной 420 нм и 850 нм, помещенные между Cu и бета-CuZn пленками, не подавляют твердофазный синтез альфа-латуни, а только увеличивают температуру инициирования до 250 градусовC. Это указывает на дальнодействие химического взаимодействия между атомами Cu и Zn через химически инертный слой Fe. Рентгеновские фотоэлектронные исследования показывают миграцию атомов Zn из слоя бета-CuZn через Fe барьер в слой Cu. Доп.точки доступа: Мягков, В. Г.; Быкова, Л. Е.; Бондаренко, Г. Н.; Бондаренко, Г. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Механизм падения эффективности GaN-светодиодов с ростом тока [Текст] / Н. И. Бочкарева [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 6. - С. 822-828. : ил. - Библиогр.: с. 827-828 (23 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): светодиоды -- GaN-светодиоды -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- квантовые ямы -- туннелирование -- барьерные слои -- туннельно-рекомбинационный ток -- дефекты -- квантовая эффективность Аннотация: Исследована квантовая эффективность светодиодных структур на основе GaN при различных температурах и смещениях. Обнаружено, что уменьшение эффективности с ростом плотности тока наблюдается одновременно с возрастанием туннельной компоненты тока через светодиод и с достижением квазиуровнями Ферми порога подвижности в активном слое InGaN. Показано, что падение внутренней квантовой эффективности с ростом плотности тока обусловлено утечкой носителей из квантовой ямы. Причиной утечки являются туннельные переходы из хвостов плотности состояний квантовой ямы на локальные энергетические уровни дефектов внутри запрещенных зон барьерных слоев. Доп.точки доступа: Бочкарева, Н. И.; Вороненков, В. В.; Горбунов, Р. И.; Зубрилов, А. С.; Леликов, Ю. С.; Латышев, Ф. Е.; Ребане, Ю. Т.; Цюк, А. И.; Шретер, Ю. Г. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Монолитный белый светодиод с активной областью на основе квантовых ям InGaN, разделенных короткопериодными InGaN/GaN-сверхрешетками [Текст] / А. Ф. Цацульников [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 6. - С. 837-840. : ил. - Библиогр.: с. 840 (6 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- КЯ -- светодиоды -- монолитные светодиоды -- InGaN -- сверхрешетки -- барьерные слои -- оптические свойства Аннотация: Описан новый подход к созданию эффективных монолитных источников белого света, основанный на использовании в активной области светодиодных структур короткопериодной InGaN/GaN-сверхрешетки в качестве барьерного слоя между квантовыми ямами InGaN, излучающими в синей и желто-зеленой областях спектра. Исследованы оптические свойства таких структур и показано, что использование такой сверхрешетки позволяет реализовать эффективное излучение из активной области. Доп.точки доступа: Цацульников, А. Ф.; Лундин, В. В.; Сахаров, А. В.; Заварин, Е. Е.; Усов, С. О.; Николаев, А. Е.; Крыжановская, Н. В.; Синицын, М. А.; Сизов, В. С.; Закгейм, А. Л.; Мизеров, М. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Исследование структуры и свойств барьерных слоев в металлах (Fe, Cu) при низких энергиях [Текст] / К. А. Кутербеков [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2016. - Т. 59, № 7. - С. 59-64 : рис., табл. - Библиогр.: c. 64 (9 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Молекулярная физика в целом Кл.слова (ненормированные): барьерные слои -- имплантация ионов кислорода -- ионная имплантация -- ионно-плазменное распыление -- кинетика процессов диффузии -- слои металлических материалов -- слоистая система Fe-Be -- термическая стабильность -- фазовые превращения Аннотация: Проведены экспериментальные исследования влияния барьерного слоя на кинетику термически индуцированных процессов диффузии и фазовых превращений в слоистой системе Fe-Be при энергии ~ 1. 6 МэВ. В результате установлена термическая стабильность барьерного слоя в системе Fe: O{+} и показана возможность применения в качестве подповерхностного слоя для бериллиевого покрытия; в системе Cu: О{+} показано, что уже при температуре отжига ~ 180° С происходит "расползание" имплантированного слоя в матрице, следовательно, данный слой в матрице меди не может быть применен в качестве подповерхностного барьерного слоя. Впервые предложен и реализован метод замедления процессов диффузии и фазообразования в слоистой системе железо - бериллий с помощью имплантированного слоя ионов кислорода. Определена последовательность и характерные времена термически индуцированных процессов фазовых превращений в приповерхностных слоях и в объеме систем Fe (10 мкм) : O{+} - Be (0. 7 мкм) - 57{Fe} (0. 1 мкм) и Fe (10 мкм) - Be (0. 7 мкм) - 57{Fe} (0. 1 мкм). Доп.точки доступа: Кутербеков, К. А.; Нуркенов, С. А.; Кислицин, С. Б.; Кукетаев, Т. А.; Тусупбекова, А. К. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Исследование кинетики процессов диффузии и фазообразования в слоистой системе железо - бериллий [Текст] / К. А. Кутербеков [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2016. - Т. 59, № 10. - С. 67-71 : рис. - Библиогр.: c. 71 (14 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Техника Материаловедение Кл.слова (ненормированные): барьерные слои -- диффузия -- защитные покрытия -- интерметаллидные соединения -- ионная имплантация -- кинетика процессов диффузии -- мессбауэровская спектроскопия -- слоистые системы -- термический отжиг -- фазовые превращения -- фазообразование Аннотация: Методами мессбауэровской спектроскопии с привлечением рентгенофазового анализа и резерфордовского обратного рассеяния протонов были проведены исследования кинетики процессов диффузии и фазовых превращений в слоистой системе железо - бериллий. Впервые предложен и реализован метод замедления процессов диффузии и фазообразования в слоистой системе железо - бериллий с помощью барьерного слоя; установлено, что барьерный слой ограничивает зону растворения бериллия в области имплантированного слоя; определено влияние барьерного слоя на кинетику термически индуцированных процессов диффузии и фазовых превращений в слоистой системе Fe-Be на примере Fe (10 мкм) : O{+} - Be (0. 7 мкм) - {57}Fe (0. 1 мкм) ; предложен и реализован метод восстановления функции распределения концентрации атомов примеси в твердом растворе матрица - примесь по данным рентгеновской дифракции; определена кинетика процессов взаимной диффузии атомов Fe и Be в растворе a-Fe (Ве) для обеих сторон слоистых систем с барьерным слоем и без него с помощью предложенного метода восстановления функции распределения концентрации атомов Be; установлено, что для системы, не имеющей барьерного слоя, со стороны покрытия доля атомов железа заканчивается при t{отж}~ 5 ч, а со стороны железа - при t{отж} ~ 7. 5 ч, а для случая с барьерным слоем - со стороны покрытия при t{отж} ~ 20 ч, а со стороны железа - при t{отж} ~ 40 ч. Доп.точки доступа: Кутербеков, К. А.; Нуркенов, С. А.; Кислицин, С. Б.; Кукетаев, Т. А.; Нурахметов, Т. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Романов, И. С. Внутренняя квантовая эффективность светодиодных структур при различных распределениях носителей заряда по квантовым ямам InGaN/GaN [Текст] / И. С. Романов, И. А. Прудаев, В. В. Копьев // Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 2. - С. 8-11. - Библиогр.: c. 11 (11 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Люминесценция Кл.слова (ненормированные): Internal Quantum Efficiency -- барьерные слои -- квантовая эффективность светодиодных структур -- квантовая эффективность фотолюминесценции -- квантовая яма InGaN/GaN -- квантовые ямы -- нитриды галлия -- нитриды индия -- оже-рекомбинация -- светодиодные структуры -- слои GaN -- туннелирование -- фотолюминесценция Аннотация: Представлены результаты исследования влияния толщины барьерных слоев GaN в активной области светодиодных структур с квантовыми ямами InGaN/GaN на внутреннюю квантовую эффективность (Internal Quantum Efficiency, IQE) фотолюминесценции. Показано, что уменьшение толщины барьерных слоев GaN от 15 до 3 нм приводит к увеличению максимального значения IQE и сдвигу максимума в область больших мощностей накачки. Полученный результат объясняется с учетом уменьшения темпа оже-рекомбинации вследствие более равномерного распределения носителей заряда по активной области структур с толщиной барьеров 3 нм. Доп.точки доступа: Прудаев, И. А.; Копьев, В. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |