Атомные реконструкции и электронные состояния на поверхности GaAs (001) с адсорбированными слоями сурьмы и цезия [Текст] / А. Г. Журавлев [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 92, вып. 5. - С. 351-356.
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): GaAs (001) -- адсорбированные слои -- сурьма -- цезий -- атомные реконструкции -- электронные состояния Аннотация: В экспериментах по адсорбции и термодесорбции цезия на поверхностях GaAs (001) с различными атомными реконструкциями и составом (обогащенных катионом - галлием, и анионами - мышьяком и сурьмой) установлена корреляция в поведении атомной структуры и поверхностных электронных состояний, определяющих изгиб зон. Адсорбция Cs на анион-обогащенных поверхностях приводит как к сходному разупорядочению атомной структуры, так и к близким дозовым зависимостям изгиба зон, в то время как на Ga-обогащенной поверхности адсорбция происходит упорядоченно и приводит к качественно иной дозовой зависимости, содержащей несколько максимумов и минимумов. При десорбции цезия и в последующих адсорбционно-десорбционных циклах обнаружено стабилизирующее влияние сурьмы на атомную структуру и электронные состояния поверхности Cs/Sb/GaAs (001). Доп.точки доступа: Журавлев, А. Г.; Торопецкий, К. В.; Половодов, П. А.; Альперович, В. Л. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |