Исследование микроструктуры высокоэрцитивных литых образцов Sm-Zr-Co-Cu-Fe методами оптической и атомно-силовой микроскопии [Текст] / М. Б. Ляхова [и др. ] // Вестник Тверского государственного университета. - 2007. - N 6 (Физика). - С. 22-29. - Библиогр.: с. 29 (5 назв. )
Рубрики: Физика Магнетизм Кл.слова (ненормированные): оптическая микроскопия -- атомно-силовая микроскопия -- плавы -- порошковые постоянные магниты Аннотация: Изучение изменения микроструктуры литых образцов в процессе термической обработки. Доп.точки доступа: Ляхова, М. Б.; Семенова, Е. М.; Андреев, И. В.; Каплунов, И. А. |
Исследование рельефа поверхности и доменной структуры монокристаллов R (Co, Cu) 5 методами атомно-силовой микроскопии [Текст] / Ю. В. Кузнецова [и др. ] // Вестник Тверского государственного университета. - 2007. - N 6 (Физика). - С. 42-50. - Библиогр.: с. 50 (4 назв. )
Рубрики: Физика Магнетизм Кл.слова (ненормированные): сканирующая зондовая микроскопия -- редкоземельные интерметаллиды -- атомно-силовые микроскопы -- сплавы -- атомно-силовая микроскопия Аннотация: Исследование рельефа поверхности и доменной структуры ряда редкоземельных интерметаллидов методами сканирующей зондовой микроскопии. Доп.точки доступа: Кузнецова, Ю. В.; Супонев, Н. П.; Дегтева, О. Б.; Калинкина, Е. В. |
Юрий Николаевич Пархоменко (к 60-летию со дня рождения) [Текст] // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2009. - Т. 75, N 1. - 3-я с. обл. . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Наука. Науковедение Организация науки Кл.слова (ненормированные): юбилеи ученых -- ученые -- атомно-силовая микроскопия -- диагностика нанообъектов -- методики контроля -- электронная микроскопия -- ИК-спектроскопия Аннотация: Поздравления с юбилеем Юрия Николаевича Пархоменко - крупного ученого в области физикохимии и технологии неорганических материалов, аналитических методов исследования. Доп.точки доступа: Пархоменко, Ю. Н. (д-р физ.-мат. наук, профессор ; 1949-) |
Теоретическое и экспериментальное исследование поверхностных процессов при молекулярно-лучевой эпитаксии нитрида галлия [Текст] / И. А. Бобровникова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 422-428
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): атомно-силовая микроскопия -- эпитаксиальные слои -- GaN -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- атомы галлия -- атомы азота -- широкозонные полупроводники Аннотация: С помощью метода атомно-силовой микроскопии проведены экспериментальные исследования влияния условий роста на структуру поверхности эпитаксиальных слоев GaN, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией. Получены количественные значения плотности, высоты и ширины центров роста в зависимости от условий эпитаксии, выполнены оценки средней длины диффузионного пробега частиц, лимитирующих скорость роста GaN, рассчитаны энергии активации и коэффициенты поверхностной диффузии для этих частиц. Проведены расчеты равновесного состава адсорбционных слоев на поверхности (0001) GaN в широком диапазоне температур осаждения и давлений галлия и азота с учетом следующих компонентов: атомы галлия, атомы азота и молекулы NH. На основании сопоставления экспериментальных данных по структуре поверхности GaN и расчетных данных по составу адсорбционных слоев на поверхности роста сделано предположение о том, что во всем диапазоне условий молекулярно-лучевой эпитаксии рост слоев GaN лимитируется доставкой галлия. Доп.точки доступа: Бобровникова, И. А.; Ивонин, И. В.; Новиков, В. А.; Преображенский, В. В. |
Влияние дефектов тонкого слоя оксида кремния на процессы силицидообразования в системе Fe/SiO[2]/Si (001) [Текст] / В. В. Балашев [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 3. - С. 565-571. - Библиогр.: с. 570-571 (26 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): оксид кремния -- силицидообразование -- дефекты тонкого слоя -- осаждение железа -- атомно-силовая микроскопия Аннотация: Рассмотрена кинетика структуры и фазового состава системы Fe/SiO[2]/Si (001) при различных условиях осаждения слоя Fe и последующего отжига. Установлено, что тонкий слой (около 1 nm) SiO[2] не разрушается в процессе осаждения Fe в широком диапазоне температур от 20 до 650 градусов Цельсия, в результате чего пленки Fe различной морфологии формируются на поверхности оксида. При отжиге происходит разрушение слоя SiO[2] в дефектных местах, что приводит к взаимодействию атомов Fe с подложкой Si с последующим образованием силицидов железа. Доп.точки доступа: Балашев, В. В.; Коробцов, В. В.; Писаренко, Т. А.; Чусовитин, Е. А. |
Атомно-силовая микроскопия декорированных оксидированием дефектов пленок висмута [Текст] / В. М. Грабов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 4. - С. 800-802. - Библиогр.: с. 802 (4 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): атомно-силовая микроскопия -- пленки висмута -- оксидирование дефектов -- метод вакуумного напыления Аннотация: Разработан способ выделения межкристаллитных границ и взаимной ориентации кристаллитов пленок висмута с помощью естественного оксидирования в сочетании с атомно-силовой микроскопией. Для пленок висмута, полученных методом вакуумного напыления на подложки из слюды, выявлены границы блоков, определены размеры блоков и их взаимная кристаллографическая ориентация. Полученные результаты использованы для определения режимов напыления, обеспечивающих получение пленок с более совершенной структурой. Доп.точки доступа: Грабов, В. М.; Демидов, Е. В.; Комаров, В. А.; Климантов, М. М. |
Ерофеев, А. С. Кантилеверные биохимические анализаторы [Текст] / А. С. Ерофеев, И. В. Яминский // Нано- и микросистемная техника. - 2009. - N 9. - С. 45-48. - Библиогр.: с. 48 (14 назв. ) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: Радиоэлектроника Электроника в целом Кл.слова (ненормированные): атомно-силовая микроскопия -- биохимический анализатор -- кантилевер -- поверхностное натяжение Аннотация: Своевременное определение сверхмалого количества вещества очень важно при раннем обнаружении первых симптомов ядовитых химических веществ в общественных местах, при определении степени загрязненности реагентами питьевой воды. Биохимические анализаторы, основанные на микромеханических кантилеверных системах, могут определять предельно малые концентрации веществ и позволяют регистрировать присоединенную массу с точностью менее чем один аттограмм (10-18 г). Доп.точки доступа: Яминский, И. В. |
Поляков, В. В. Метод компенсации паразитной емкости в сканирующей емкостной микроскопии [Текст] / В. В. Поляков // Нано- и микросистемная техника. - 2009. - N 9. - С. 6-10. - Библиогр.: с. 10 (10 назв. ) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: Физика Экспериментальные методы и аппаратура молекулярной физики Кл.слова (ненормированные): емкостная микроскопия -- зондовая микроскопия -- атомно-силовая микроскопия -- сканирующий зондовый микроскоп -- концентрация носителей -- профиль легирования Аннотация: Предложен зондовый датчик специальной конструкции и оригинальный метод компенсации паразитной емкости для 2D-характеризации профилей легирования полупроводниковых структур с помощью методики сканирующей емкостной микроскопии (СЕМ). Разработано соответствующее устройство, реализирующее методику СЕМ. |
Зимин, С. П. Особенности травления в плазме спиралевидных структур PbTe на подложках BaF[2] (111) [Текст] / С. П. Зимин, Е. С. Горлачев, С. В. Кутровская // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 9. - С. 1808-1811. - Библиогр.: с. 1811 (13 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): атомно-силовая микроскопия -- пленки -- поверхности пленок -- теллурид свинца -- механизмы спирального роста -- эпитаксильные пленки -- спиралевидные структуры на пленках -- плазменные обработки -- микрорельефы поверхностей пленок Аннотация: Методами атомно-силовой микроскопии исследована морфология поверхности пленок теллурида свинца с образованиями спиралевидной формы на подложках фторида бария ориентации (111) в исходном состоянии и после обработки в аргоновой плазме. Показано, что присутствие крупных спиралевидных ступенчатых структур в области выходов пронизывающих дислокаций приводит к специфическим явлениям при распылении. Определены основные особенности модификации рельефа поверхности и взаимосвязь формирующихся одиночных и сгруппированных микровыступов с исходным рельефом и дислокациями. Доп.точки доступа: Горлачев, Е. С.; Кутровская, С. В. |
Царик, Константин Анатольевич. Формирование и исследование наногетероструктур AlGaN/GaN с применением атомно-силовой микроскопии [Текст] / К. А. Царик, В. К. Неволин // Известия вузов. Электроника. - 2009. - N 80. - С. 44-49. - Библиогр.: с. 49 (6 назв. ) . - ISSN 1561-5405
Рубрики: Радиоэлектроника Электроника в целом Кл.слова (ненормированные): микроскопия -- атомно-силовая микроскопия -- эпитаксия -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- двумерный электронный газ Аннотация: Разработана методика получения слоев нитридов третьей группы с пониженным количеством дефектов. Установлено, что структурное совершенство слоев, оцениваемое по числу поверхностных дефектов, напрямую связано с характеристиками двумерного электронного газа в полученных гетероструктурах. Рассмотрено влияние легирования барьерного слоя AlGaN донорной примесью на характеристики двумерного электронного газа. Доп.точки доступа: Неволин, Владимир Кириллович |
Федоров, Роман Геннадьевич. Применение атомно-силовой микроскопии при электроосаждении металлов в магнитном поле [Текст] / Р. Г. Федоров, А. В. Хлынов // Известия вузов. Электроника. - 2009. - N 80. - С. 81-83. - Библиогр.: с. 83 (1 назв. ) . - ISSN 1561-5405
Рубрики: Радиоэлектроника Электроника в целом Физика Экспериментальные методы и аппаратура молекулярной физики Кл.слова (ненормированные): осаждение -- электроосаждение -- магнитные поля -- микроскопия -- атомно-силовая микроскопия -- кинетика -- нуклеация -- электролиты Аннотация: Показаны возможности in situ атомно-силовой микроскопии для исследования кинетики нуклеации и роста зародышей новой фазы в постоянном однородном магнитном поле на примере электроосаждения Cu и Co на Au (111) электрод в области катодных перенапряжений из сернокислого электролита. Доп.точки доступа: Хлынов, Александр Вячеславович |
Ярыжнов, А. М. Создание и исследование наноразмерных проводящих областей в аморфной полимерной пленке [Текст] / А. М. Ярыжнов, В. М. Корнилов, А. Н. Лачинов // Нанотехника. - 2009. - N 4 (20). - С. 13-16 : 4 рис. - Библиогр.: c. 16 (10 назв. ) . - ISSN 1816-4498
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): полимерные пленки -- наноскопические размеры -- диэлектрические матрицы -- атомно-силовая микроскопия -- диструкция полимеров Аннотация: Проведены электрофизические исследования полимерных пленок при напряженности поля, близкой к пробойной. Доп.точки доступа: Корнилов, В. М.; Лачинов, А. Н. |
Тринеева, В. В. Прогнозирование процессов формирования углеродных металлсодержащих наноструктур при использовании метода атомно-силовой микроскопии [Текст] / В. В. Тринеева, А. М. Ляхович, В. И. Кодолов // Нанотехника. - 2009. - N 4 (20). - С. 87-89 : 5 рис. - Библиогр.: c. 89 (5 назв. ) . - ISSN 1816-4498
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): углеродные металлсодержащие наноструктуры -- атомно-силовая микроскопия -- прогнозирование процессов -- ксерогелевая система -- нанореакторы Аннотация: Показано, что метод атомно-силовой микроскопии может использоваться в качестве контрольного метода. Доп.точки доступа: Ляхович, А. М.; Кодолов, В. И. |
Царик, Константин Анатольевич. Формирование и исследование наногетероструктур AlGaN/GaN с применением атомно-силовой микроскопии [Текст] / К. А. Царик, В. К. Неволин // Известия вузов. Электроника. - 2009. - N 6. - С. 44-49 : рис. - Библиогр.: с. 49 (6 назв. )
Рубрики: Техника Обработка материалов Кл.слова (ненормированные): атомно-силовая микроскопия -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- двумерный электронный газ -- легирование -- сканирующая зондовая микроскопия Аннотация: Разработана методика получения слоев нитридов третьей группы с пониженным количеством дефектов, основанная на молекулярно-лучевой эпитаксии, при контроле поверхности с помощью сканирующей зондовой микроскопии. Доп.точки доступа: Неволин, Владимир Кириллович |
О свойствах стали, модифицированной углеродными наноматериалами [Текст] / С. А. Жданок [и др. ] // Инженерно-физический журнал. - 2010. - Т. 83, N 1. - С. 3-7 : Рис. 6. - Библиогр.: с. 7 (4 назв. ) . - ISSN 0021-0285
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): атомно-силовая микроскопия -- микротвердость -- нановолкна -- нанотрубки -- сталь -- температура обработки -- углеродные наноматериалы Аннотация: Представлены результаты исследования методом атомно-силовой микроскопии поверхности стали, модифицированной углеродными наноматериалами с различным содержанием углеродных наноструктур. Проведены испытания на микротвердость и определена толщина модифицированного слоя. Доп.точки доступа: Жданок, С. А.; Свириденок, А. И.; Игнатовский, М. И.; Крауклис, А. В.; Кузнецова, Т. А.; Чижик, С. А.; Борисевич, К. О. |
Фотоактивация процессов формирования наноструктур методом локального анодного окисления пленки титана [Текст] / О. А. Агеев [и др. ] // Известия вузов. Электроника. - 2010. - N 2. - С. 23-31 : рис. - Библиогр.: с. 31 (11 назв. )
Рубрики: Радиоэлектроника Электровакуумные приборы Кл.слова (ненормированные): атомно-силовая микроскопия -- локальное анодное окисление -- тонкая пленка титана -- оксидные наноразмерные структуры -- нанолитография -- нанотехнологии Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований режимов активации зондовой нанолитографии тонкой пленки титана методом локального анодного окисления. Доп.точки доступа: Агеев, Олег Алексеевич; Алябьева, Наталья Ивановна; Коноплев, Борис Георгиевич; Поляков, Вадим Витальевич; Смирнов, Владимир Александрович Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Морозов, Илья Александрович (ведущий инженер). Анализ микроструктуры наполненной резины при атомно-силовой микроскопии [Текст] = Characterization of microstructure of filled rubber by atomic force microscopy / Морозов И. А. // Механика композиционных материалов и конструкций. - 2009. - Т. 15. N 1. - С. 83-93 : 9 ил.; табл. - Библиогр.: с. 92-93 (20 назв. ) . - ISSN 1029-6670
Рубрики: Техника Сопротивление материалов Механика Измерение механических и геометрических величин Кл.слова (ненормированные): технический углерод -- резина -- атомно-силовая микроскопия -- анализ микроструктуры наполненной резины -- резиновые композиты -- АСМ -- наполненная резина -- кластеры -- фрактальный анализ кластеров Аннотация: Механические свойства эластомерных композитов, в частности резин, наполненных техническим углеродом, в значительной степени зависят от однородности распределения наполнителя в материале, размеров его кластеров в конечном продукте, т. е. от качества смешивания компонент композита. Представлена методика количественного анализа структуры наполненной резины при помощи атомно-силового микроскопа (АСМ). Анализ изображений в зависимости от высоты над нулевым уровнем рельефа показал, что число кластеров, их площадь и компактность имеют экстремумы при высоте 0. 45... 0. 5 от максимальной - этот уровень был принят за базовый при дальнейшем исследовании. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Торхов, Н. А. Влияние периферии контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки на их статические вольт-амперные характеристики [Текст] / Н. А. Торхов // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 615-627 : ил. - Библиогр.: с. 626-627 (31 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- БШ -- контакты металл-полупроводник -- КМП -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- метод Кельвина -- Кельвина метод -- атомно-силовая микроскопия -- АСМ -- метод атомно-силовой микроскопии -- электростатические потенциалы -- золотые контакты -- контактная разность потенциалов -- КРП -- область пространственного заряда -- ОПЗ -- периферийные области -- диэлектрические пленки -- электрические поля -- электрофизические свойства Аннотация: Исследование методом Кельвина атомно-силовой микроскопии электростатического потенциала поверхности золотых контактов с барьером Шоттки на n-GaAs показало, что вокруг контактов существует протяженная на десятки мкм переходная область (ореол), в которой поверхностный потенциал изменяется от потенциала свободной поверхности n-GaAs до потенциала поверхности золотого контакта. Потенциал контакта и распределение потенциала в окружающем его ореоле определяются конструкцией контакта. Исследования токов растекания показали, что за счет сильных электрических полей ореола по периметру контакта существует высокопроводящая область (периферия), приводящая к появлению токов утечки. Проводимость основной площади контакта обусловлена локальными областями 100-200 нм с повышенной и пониженной проводящими способностями. Формирование вокруг контактов мезы приводит к уменьшению работы выхода, уменьшению протяженности ореола и напряженности электрического поля в нем, что сопровождается размытием и понижением проводимости периферийной области. Это приводит к исчезновению токов утечки и уменьшению показателя идеальности. Защита периферийной области контакта диэлектрической пленкой SiO[2] толщиной 0. 5 мкм, напротив, увеличивает работу выхода, что сопровождается образованием вокруг контакта ориентированных по двум взаимно перпендикулярным кристаллографическим направлениям лепестков потенциала. Более сильное проникновение электрических полей ореола в область контакта приводит к увеличению показателя идеальности, исчезновению высокопроводящей периферийной области и токов утечки. Различие электрофизических свойств периферии, зерен золота и их границ определяет механизм включения контакта при подаче прямого или обратного смещений. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Люминесцентные и структурные свойства пленок ZnO-Ag [Текст] / В. С. Хомченко [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 713-718 : ил. - Библиогр.: с. 718 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): пленки -- ZnO-Ag -- окись цинка -- серебро -- легирование -- подложки -- сублимация -- рентгеновская дифракция -- атомно-силовая микроскопия -- АСМ -- фотолюминесценция -- ФЛ -- кадотолюминесценция -- КЛ -- структурные свойства -- люминесцентные свойства -- излучательные свойства Аннотация: Пленки ZnO-Ag получены двухступенчатым методом на стеклянных и сапфировых подложках. Легирование серебром осуществлялось методом сублимации с близкого расстояния при атмосферном давлении. Толщина пленок варьировалась от 0. 6 до 7 мкм. Для исследования структурных и излучательных свойств были использованы методы рентгеновской дифракции, атомно-силовой микроскопии, фотолюминесценции и кадотолюминесценции. Изучено влияние условий получения на свойства пленок. Найдено, что легирование серебром модифицирует кристаллическую структуру пленок - способствует ориентированному росту в направлении [0002] монокристаллических блоков размером 500-2000 нм. Улучшение кристаллического качества коррелирует с изменением излучательных характеристик пленок. Обсуждается природа центров свечения. Доп.точки доступа: Хомченко, В. С.; Кушниренко, В. И.; Папуша, В. П.; Савин, А. К.; Литвин, О. С. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Торхов, Н. А. Природа прямых и обратных токов насыщения в контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки [Текст] / Н. А. Торхов // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 6. - С. 767-774. : ил. - Библиогр.: с. 774 (20 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- БШ -- металл-проводник -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- область пространственного заряда -- ОПЗ -- атомно-силовая микроскопия -- АСМ -- метод Кельвина -- Кельвина метод -- контактная разность потенциалов -- КРП Аннотация: Сильная зависимость токов насыщения прямых и обратных вольт-амперных характеристик высокобарьерных (>0. 6 В) контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки от их диаметра D определяется встроенным и сонаправленным с собственным электрическим полем контакта дополнительным электрическим полем, которое образуется под влиянием периферии контакта. Это поле препятствует движению электронов через контакт при подаче на него прямого смещения. Увеличение диаметра контактов от 5 до 700 мкм приводит к уменьшению различия прямых и обратных токов насыщения с пяти порядков практически до нуля. Увеличение диаметра контакта, таким образом, приводит к уменьшению влияния периферии и уменьшению абсолютного значения встроенного электрического поля. Уменьшение высоты барьера (<0. 6 В для D=5 мкм) также приводит практически к полному совпадению прямых и обратных токов насыщения. На обратных ветвях вольт-амперных характеристик влияние встроенного поля проявляется в значительном уменьшении эффективной высоты потенциального барьера вследствие уменьшения его ширины вблизи вершины и значительного увеличения полевой эмиссии электронов через барьер при более низких значениях энергии. На прямых ветвях это проявляется практически в полном отсутствии прямых токов при малых смещениях. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |