Кристаллическое совершенство пленок GaP, выращенных методом молекулярной эпитаксии на подложках Si с использованием атомарного водорода [Текст] / М. А. Путято [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1275-1279 : ил. - Библиогр.: с. 1279 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): пленки -- эпитаксиальные пленки -- GaP -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- МЛЭ -- подложки -- Si -- дифракция быстрых электронов -- ДБЭ -- дислокация несоответствия -- ДН -- водород -- атомарный водород -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- рентгеновская дифрактометрия Аннотация: Методом помонослойной молекулярно-лучевой эпитаксии выращивались пленки GaP на подложках Si, отклоненных от плоскости (001) на 6° вокруг оси (011). Методами дифракции быстрых электронов, просвечивающей электронной микроскопии, а также с помощью рентгеновской дифрактометрии было показано, что введение атомарного водорода в процесс эпитаксии существенно улучшает общее структурное совершенство пленок GaP. Вплоть до толщин около 0. 1 мкм полуширина пика на рентгеновской кривой в рефлексе (004) от таких пленок практически совпадает с теоретической для бездефектных пленок, что свидетельствует об их состоянии, близком к псевдоморфному. Доп.точки доступа: Путято, М. А.; Болховитянов, Ю. Б.; Василенко, А. П.; Гутаковский, А. К. |
Солнечные элементы конструкции LGCell из мультикристаллического кремния. Применение обработки атомарным водородом [Текст] / Г. Г. Унтила [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 379-386. : ил. - Библиогр.: с. 385-386 (23 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): солнечные элементы -- СЭ -- LGCell -- Laminated Grid Cell -- мультикристаллический кремний -- атомарный водород -- гидрогенизация -- холостой ход -- длина волны -- эмиттеры -- обработка водородом -- СВЧ-плазма -- энергодисперсионные спектры -- EDS Аннотация: Впервые получены солнечные элементы конструкции Laminated Grid Cell (LGCell) из мультикристаллического нетекстурированного кремния (mc-Si), эффективность которых составила 15. 9%. Исследовано влияние обработки (n{+}pp{+}) -mc-Si структур атомарным водородом, генерированным горячей нитью и СВЧ плазмой. Гидрогенизация увеличивает параметры кривых, характеризующие зависимость напряжения холостого хода от интенсивности излучения, и длинноволновую (длина волны lambda=1000 нм) чувствительность солнечного элемента на 10-20%, что свидетельствует о пассивации дефектов mc-Si. Гидрогенизация со стороны эмиттера вызывает увеличение последовательного сопротивления солнечного элемента, уменьшение коротковолновой (длина волны lambda=400 нм) чувствительности на 30-35%, а также появление пика кислорода в энергодисперсионных спектрах (EDS). Эти эффекты устраняются тонким подтравливанием эмиттера. Доп.точки доступа: Унтила, Г. Г.; Кост, Т. Н.; Чеботарева, А. Б.; Белоусов, М. Э.; Самородов, В. А.; Поройков, А. Ю.; Тимофеев, М. А.; Закс, М. Б.; Ситников, А. М.; Солодуха, О. И. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Зайцев, А. Л. Исследование адсорбционного и диффузионного взаимодействия атомарного водорода с низкоиндексными поверхностями нанопластин кристаллического алюминия [Текст] / А. Л. Зайцев, Ю. М. Плескачевский, С. А. Чижик // Инженерно-физический журнал. - 2011. - Т. 84, N 3. - С. 511-523. : 8 рис., 2 табл. - Библиогр.: с. 522-523 (25 назв. )
Рубрики: Физика Ядерная физика в целом Термодинамика и статистическая физика Кл.слова (ненормированные): атомарный водород -- адсорбция -- диффузия -- алюминий -- нанопластины -- кристаллическая структура -- потенциальная энергия -- метод функционала плотности Аннотация: Методом функционала плотности в приближении локальной плотности и обобщенного градиента рассчитаны зависимости потенциальной энергии взаимодействия атомарного водорода с низкоиндексными поверхностями нанопластин алюминия. Определены пространственные конфигурации атомов водорода и поверхностных слоев пластины, соответствующие устойчивым структурам, образующимся при адсорбции и диффузии. Показано, что атомарный водород необратимо адсорбируется на поверхность Al с выделением энергии 2. 8-3. 1 эВ, величина которой определяется атомной структурой поверхности. Доп.точки доступа: Плескачевский, Ю. М.; Чижик, С. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
К вопросу получения атомарного водорода и возможности его применения в энергетике [Текст] / Ю. А. Петрушенко [и др.] // Известия вузов. Проблемы энергетики. - 2011. - № 11/12. - С. 170-177. : схемы. - Библиогр.: с. 176-177 (19 назв.). - Примеч.: с. 177
Рубрики: Энергетика Электрические двигатели Использование электрической энергии Энергетические топлива Турбомашины Транспорт Ракетная техника. Ракеты Химическая технология Другие химические производства Кл.слова (ненормированные): водородная энергетика -- атомарный водород -- двухконтурные комбинированные двигатели -- газотурбинные винтовентиляторные двигатели -- регенераторы холода Аннотация: Способы получения атомарного водорода и возможности применения его в энергетике. Доп.точки доступа: Петрушенко, Юрий Яковлевич (доктор физико-математических наук); Брусов, Владимир Александрович; Агафонов, Юрий Михайлович; Гайфуллин, Ильгиз Рафаилевич; Ибрагимов, Асхат Ренатович; Марченко, Герман Николаевич (доктор технических наук; профессор) Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Стыров, В. В. Высокоэффективная генерация электронно-дырочных пар на селеновом p-n-переходе под действием атомарного водорода [Текст] / В. В. Стыров, С. В. Симченко // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 96, вып. 5. - С. 343-346
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): гетерогенные химические реакции -- поверхность твердых тел -- p-n-переходы -- селен -- электронно-дырочные пары -- атомарный водород -- реакция рекомбинации Аннотация: Обнаружено, что химическая энергия, освобождающаяся в реакции рекомбинации атомарного водорода на поверхности селена, эффективно передается электронной подсистеме кристалла с образованием в нем электронно-дырочных пар и возбуждением стационарных хемотоков. Активными являются как стадия адсорбции, так и стадия собственно ассоциации атомов Н на поверхности. Система атомарный водород-селен, будучи одной из простейших, может служить модельной при поиске полупроводников и химических реакций для прямого преобразования химической энергии в электрическую. Доп.точки доступа: Симченко, С. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |