Григорьев, С. В. Двумерные пространственно-упорядоченные системы Al[2]O[3]: исследование методом малоуглового рассеяния нейтронов [Текст] / С. В. Григорьев [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 85, N 9. - С. . 549-554
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): оксид алюминия -- анодированный оксид алюминия -- пленки оксида алюминия -- малоугловое рассеяние нейтронов -- пространственно-упорядоченные системы Аннотация: Работа посвящена изучению структуры пленок анодированного оксида алюминия методом малоуглового рассеяния нейтронов. Получено теоретическое решение для описания нейтронного рассеяния на упорядоченной пористой структуре Al[2]O[3]. Анализ данных нейтронного эксперимента продемонстрировал возможность получения пористых мембран с идеально периодической гексагональной упаковкой пор на большой площади. Доп.точки доступа: Григорьева, Н. А.; Сыромятникова, К. С.; Напольский, К. С.; Елисеев, А. А.; Лукашин, А. В.; Третьяков, Ю. Д.; Эккерлебе, Х. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Аймуханов, А. К. Свойства вынужденного излучения красителя РМ567 в порах анодированного оксида алюминия [Текст] / А. К. Аймуханов, Н. Х. Ибраев, А. М. Есимбек // Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 10. - С. 18-23 : рис., табл. - Библиогр.: c. 23 (16 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Люминесценция Радиоэлектроника Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): анодированный оксид алюминия -- вынужденное излучение красителя -- генерация вынужденного излучения -- добротность резонатора -- красители пирометенового ряда -- краситель РМ567 -- лазерные красители -- пористый оксид алюминия -- порог вынужденного излучения Аннотация: Исследованы свойства вынужденного излучения красителя РМ567 в пористом оксиде алюминия. Установлено, что при допировании молекул РМ567 в поры оксида алюминия небольшая часть молекул красителя создает агрегаты. Квантовый выход флуоресценции РМ567 в Al[2]O[3] составил Ф[f] = 0. 85. Вынужденное излучение РМ567 в пленке Al[2]O[3] получено в коротковолновом максимуме полосы флуоресценции. Порог вынужденного излучения составил 2 МВт/см{2}. Измерена кинетика затухания вынужденного излучения. Показано, что низкодобротная генерация вынужденного излучения РМ567 в пленке Q > 1*10{2} связана с тем, что геометрия лучей в порах не приближена к геометрии лучей для случая полного внутреннего отражения и за счет этого увеличиваются излучательные потери. КПД РМ567 в Al[2]O[3] составил 0. 3 %. Доп.точки доступа: Ибраев, Н. Х.; Есимбек, А. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |