Влияние генерационно-рекомбинационных процессов на электропроводность монокристаллов GaS и GaSe, облученных электронами [Текст] = Influence of generation-recombination processes on the electrical conductivity of the single crystals GaS and GaSe irradiated with electrons / А. А. Исмаилов [и др. ] // Альтернативная энергетика и экология. - 2010. - N 6 (86). - С. 48-51. : граф. - Библиогр.: с. 51 (7 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Механические и акустические свойства монокристаллов Физика полупроводников и диэлектриков Экспериментальные методы и аппаратура ядерной физики Кл.слова (ненормированные): слоистые монокристаллы -- анизотропия электропроводности кристаллов -- радиационные дефекты кристаллов -- полупроводниковые материалы Аннотация: Влияние белого света на анизотропию электропроводности в температурном интервале 100-293 К в слоистых монокристаллах GaS и GaSe до и после облучения электронным пучком. Установлено, что в результате облучения образуются дефекты. Определена природа этих дефектов, а также выявлен механизм повышения радиационной стойкости материалов. Доп.точки доступа: Исмаилов, А. А.; Исаков, Г. И.; Ахмедзаде, Н. Д.; Ширинов, М. М.; Исмаилов, Анар Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |