Тутов, Евгений Анатольевич. МОП-структуры с аморфным триоксидом вольфрама для емкостных сенсоров влажности [Текст] / Е. А. Тутов // Известия вузов. Электроника. - 2007. - N 5. - С. 36-39 : граф. - Библиогр.: с. 39 (10 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): сенсоры -- влажность -- адсорбция -- оксиды -- металлы -- аморфные пленки Аннотация: Исследованы электрофизические характеристики структуры Al/a-WO[3]/n-Si в условиях сорбции паров воды. Определены параметры этой структуры как емкостного сенсора влажности. |
Шерченков, Алексей Анатольевич. Распределение зарядовых состояний в щели подвижности a-Si: H [Текст] / А. А. Шерченков, А. Б. Апальков // Известия вузов. Электроника. - 2007. - N 4. - С. 7-14 : граф. - Библиогр.: с. 14 (4 назв. )
Рубрики: Энергетика Электрические системы Радиоэлектроника Электроника Кл.слова (ненормированные): аморфные полупроводники -- полупроводники -- фотопроводимость -- зарядовые состояния -- аморфные пленки -- носители -- заряды -- переносы Аннотация: Представлена методика моделирования фотопроводимости с учетом прыжкового механизма переноса носителей. Доп.точки доступа: Апальков, Александр Борисович |
Свойства наноструктур Al[2]O[3]: nc-Si, сформированных путем ионной имплантации кремния в сапфир и аморфные пленки оксида алюминия [Текст] / Д. И. Тительбаум [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 2. - С. 385-392. - Библиогр.: с. 391-392 (29 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): наноструктуры -- ионная имплантация -- ионная имплантация кремния в сапфир -- аморфные пленки -- аморфные пленки оксида алюминия -- фотолюминесценция -- инфракрасная Фурье-спектроскопия -- Фурье-спектрскопия инфоракрасная -- рамановское рассеяние -- оксид алюминия Аннотация: Методами фотолюминесценции, инфракрасной Фурье-спектроскопии, рамановского рассеяния, просвечивающей электронной микроскопии и дифракции электронов исследованы люминесцентные, оптические и структурные свойства слоев оксида алюминия (сапфира и нанесенных на кремний пленок Al[2]O[3]), подвергнутых ионной имплантации Si{+} с целью создания нанокристаллов кремния. Установлено, что при высокотемпературном отжиге имплантированных большими дозами образцов в обоих случаях формируются нанористаллы кремния, однако их люминесцентные свойства существенным образом зависят от типа исходной матрицы - в пленках Al[2]O[3] нанокристаллы излучают в типичной для квантовых точек Si области (700-850 nm), а в сапфире такая люминесценция отсутствует. Выявленное различие интерпретируется как следствие локальных механических напряжений, возникающих в системе нанокристалл/сапфир и приводящих к разрыву химических связей на границе этих фаз, тогда как в пленках Al[2]O[3]механические напряжения релаксируют. Доп.точки доступа: Тетельбаум, Д. И.; Михайлов, А. Н.; Белов, А. И.; Ершов, А. В.; Питиримова, Е. А.; Планкина, С. М.; Смирнов, В. Н.; Ковалев, А. И.; Turan, R.; Yerci, S.; Finstad, T. G.; Foss, S. |
Воронков, Э. Н. Электропроводность аморфных пленок халькогенидных соединений в сильных электрических полях [Текст] / Э. Н. Воронков, С. А. Козюхин // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 953-956 : ил. - Библиогр.: с. 956 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): аморфные пленки -- халькогенидные стеклообразные полупроводники -- ХСП -- электрические поля -- сильные электрические поля -- электропроводность -- напряженность поля Аннотация: Исследовано влияние напряженности электрического поля и температуры на электропроводность аморфных тонких пленок халькогенидных соединений. Показано, что при напряженности электрического поля, превышающей 10{4} В/см, ток растет экспоненциально с увеличением напряжения. При этом энергия активации температурной зависимости проводимости уменьшается с ростом напряженности электрического поля. На основе допущения о доминирующем влиянии на проводимость роста концентрации носителей заряда с увеличением напряженности поля предложена модель, которая удовлетворительно объясняет экспериментальные результаты. В качестве характеристических параметров модели использована эффективная подвижность носителей заряда ~10{-2} см{2}/ (Вхс) и характеризующая влияние электрического поля длина активации ~ (10-30) нм. Доп.точки доступа: Козюхин, С. А. |
Исмаилов, Д. И. Образование фаз в пленках системы Ag-In-Se [Текст] / Д. И. Исмаилов, Н. К. Керимова // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1153-1156 : ил. - Библиогр.: с. 1156 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фазы -- фазообразование -- фазовые переходы -- фазовые превращения -- пленки -- тонкие пленки -- аморфные пленки -- текстурированные пленки -- текстурированные пленки высокого совершенства -- Ag-In-Se -- осаждение компонентов -- кристаллизация Аннотация: Методом электронографического структурного анализа исследованы процессы фазообразования и фазовых переходов в тонких слоях системы Ag-In-Se. Установлены фазы, образующиеся в начале процесса взаимодействия пленок, и фазовые превращения, происходящие во время отжига объектов в вакууме. Выявлено, что тонкие слои соединения состава AgInSe[2], формирующиеся в результате одновременного и последовательного осаждения компонентов, получаются аморфными, при этом кристаллизация приводит к образованию текстурированных пленок высокого совершенства. Доп.точки доступа: Керимова, Н. К. |
Еганова, Е. М. Электропроводность стеклообразных пленок As2Se3 [Текст] / Е. М. Еганова // Нано- и микросистемная техника. - 2010. - N 11. - С. 23-25. . - Библиогр.: с. 25 (3 назв. )
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): микроплазма -- электропроводность -- пробой -- высокие поля -- халькогенидные стеклообразные полупроводники -- аморфные пленки -- стеклообразные пленки Аннотация: Представлены результаты наблюдения микроплазм в пленках As2Se3, одного из широкозонных халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП), и исследования их свойств. Некоторые свойства микроплазм в аморфных пленках аналогичны свойствам микроплазм в p-n-переходах, однако имеются и отличия, которые не наблюдались в кристаллических материалах. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Влияние состава и структуры металла на электрофизические свойства кремниевых диодов Шоттки [Текст] / И. Г. Пашаев [и др.] // Инженерная физика. - 2012. - № 10. - С. 23-26 : ил., табл. - Библиогр.: с. 26 (11 назв.) . - ISSN 2072-9995
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): аморфные металлы -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- пленки сплавов -- металлические пленки -- аморфные пленки -- поликристаллические пленки -- кремниевые диоды -- барьер Шоттки -- Шоттки барьер -- диоды -- микроструктуры Аннотация: Исследовано получение диодов Шоттки и изучены электрофизические свойства кремниевых диодов Шоттки, содержащих металлические пленки различного состава. Доп.точки доступа: Пашаев, Ислам Герай оглы; Гараев, Елдар Семед оглы; Назаров, Максуд Сайасад оглы; Абузеров, Исмаил Акбер оглы Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Фотоиндуцированные явления в аморфных пленках As[4]S[3]Se[3]-Sn [Текст] / О. В. Ясенюк [и др.] // Оптика и спектроскопия. - 2016. - Т. 121, № 1. - С. 152-154 : граф. - Библиогр.: с. 154 (10 назв.) . - ISSN 0030-4034
Рубрики: Физика Геометрическая оптика. Оптические приборы Кл.слова (ненормированные): аморфные пленки -- фотопотемнение -- фотоиндуцированные явления -- кинетики фотопотемнения -- голографические решетки -- дифракционные решетки -- тонкопленочные структуры -- легирование оловом -- скорость фотопотемнения -- экспонирование (физика) -- чувствительность пленок Аннотация: Проведено исследование кинетик фотопотемнения и записи голографических дифракционных решеток в аморфных тонкопленочных структурах As[4]S[3]Se[3], легированных оловом. Установлено, что увеличение концентрации Sn приводит к уменьшению скорости и степени фотопотемнения. Кинетики фотопотемнения аппроксимированы функцией растянутой экспоненты. Показано, что зависимость дифракционной эффективности от толщины пленки As[4]S[3]Se[3] имеет максимум при толщине пленки 4 мкм. Доп.точки доступа: Ясенюк, О. В.; Кожокару, И. А.; Присакар, А. М.; Настас, А. М.; Йову, М. С. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Оптические свойства нестехиометрического ZrO[x] по данным спектроэллипсометрии [Текст] / В. Н. Кручинин [и др.] // Оптика и спектроскопия. - 2016. - Т. 121, № 2. - С. 260-265 : граф., табл. - Библиогр.: с. 264-265 (17 назв.) . - ISSN 0030-4034
Рубрики: Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): спектроэллипсометрия -- оксиды циркония -- нестехиометрические оксиды циркония -- оптические свойства -- ионно-лучевое распыление -- ионно-лучевое осаждение -- парциальные давления кислорода -- кислород -- аморфные пленки -- оптические константы пленок -- дисперсионные модели -- прозрачные пленки Аннотация: Методом ионно-лучевого распыления-осаждения металлического циркония в присутствии кислорода при разных парциальных давлениях кислорода в зоне роста синтезированы аморфные нестехиометрические пленки ZrO[x] переменного состава и изучены их оптические свойства в спектральном диапазоне 1. 12-4. 96 эВ. Показано, что спектральные зависимости оптических констант пленок ZrO[x] описываются соответствующими дисперсионными моделями. Доп.точки доступа: Кручинин, В. Н.; Алиев, В. Ш.; Герасимова, А. К.; Гриценко, В. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Керимова, Н. К. Кинетика кристаллизации аморфных пленок AgInS[2] [Текст] / Н. К. Керимова, А. Ч. Мамедова // Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 12. - С. 83-86 : рис. - Библиогр.: c. 86 (7 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Химия Физическая химия в целом Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): аморфные пленки -- кинетика кристаллизации -- кристаллизация пленок -- серебро - индий - сера Аннотация: Из наклона прямых зависимости lnln (V[0]/ (V[0] - V[t]) от lnt полученные значения для показателя степени t оказались равными примерно трем (m = 2. 80 для 423 К; m = 2. 87 для 448 К; m = 2. 93 для 468 К). Полученное значение m - 3 указывает на то, что в случае кристаллизации аморфных пленок AgInS[2] происходит двухмерный рост кристалликов и константа K в данном случае равна (1/3p) 00р{2}. Доп.точки доступа: Мамедова, А. Ч. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Исследование структуры и свойств пленок SiO[x], полученных химическим травлением лент аморфного сплава [Текст] = Investigation of the structure and properties of siox films synthesized by chemical etching of amorphous alloy bands / В. А. Федоров [и др.] // Инженерная физика. - 2019. - № 1. - С. 3-10 : граф., схемы. - Библиогр.: с. 9 (14 назв.) . - ISSN 2072-9995
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): аморфные пленки -- нейтронная дифракция -- электронная микроскопия -- кристобалиты -- химическое травление -- ленточные сплавы -- аморфные сплавы Аннотация: Исследовано строение и физические свойства аморфных пленок SiO[x], полученных химическим травлением аморфного ленточного сплава на основе железа. Нейтронная дифракция, а также атомно-силовая и электронная микроскопия показывают, что полученные визуально прозрачные пленки имеют аморфную структуру схожую с морфологией опалов и обладают диэлектрическими свойствами. Методами дифференциально-сканирующей калориметрии, рамановской и ИК-спектроскопии была проведена оценка степени упорядоченности в структуре образцов до и после их термической обработки. Установлено, что отжиг пленок в воздушной среде, при температуре 1273 K, приводит к изменению их химического состава в сторону соединения SiO[2], с включениями фазы кристобалита.The structure and physical properties of amorphous SIO[x] films obtained by chemical etching of an amorphous iron-based ribbon alloy are investigated. Neutron diffraction, as well as atomic force and electron microscopy show that the obtained visually transparent films have an amorphous structure similar to the morphology of opals and have dielectric properties. Methods of differential scanning calorimetry, Raman and IR spectroscopy were used to assess the degree of ordering in the structure of the samples before and after their heat treatment. It was found that annealing of films in air at a temperature of 1273 K leads to a change in their chemical composition towards the SIO compound[2], with inclusions of the cristobalite phase. Доп.точки доступа: Федоров, Виктор Александрович; Березнер, Арсений Дмитриевич; Бескровный, Анатолий Иванович; Фурсова, Татьяна Николаевна; Павликов, Александр Владимирович; Баженов, Анатолий Викторович Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |