Самсоненко, С. Н. Дислокационная электрическая проводимость синтетических алмазных пленок [Текст] / С. Н. Самсоненко, Н. Д. Самсоненко // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 621-626
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): электрическое сопротивление -- алмазные пленки -- поликристаллические алмазные пленки -- гомоэпитаксиальные алмазные пленки -- дислокационная проводимость Аннотация: Исследована связь электрического сопротивления монокристаллических гомоэпитаксиальных и поликристаллических алмазных пленок с их внутренней структурой. Установлено, что электрическая проводимость нелегированных образцов гомоэпитаксиальных и поликристаллических алмазных пленок непосредственно связана с плотностью дислокаций в них. Получено выражение, связывающее удельное сопротивление ро (~ 10\{13\}-10\{15\} Ом x см) с плотностью дислокаций Гамма (~ 10\{14\}-4 x 10\{16\} м\{-2\}). Характер этой зависимости для обеих групп гомоэпитаксиальных и поликристаллических алмазных пленок является близким. В тонких (~1-8 мкм) гомоэпитаксиальных и поликристаллических алмазных пленках наблюдается дислокационная проводимость по малоугловым дислокационным границам между блоками мозаики. Энергия активации дислокационных акцепторных центров определена из температурной зависимости электропроводности. Она равна ~ 0. 3 эВ. Электропроводность толстых алмазных пленок (h больше 10 мкм) с удельным сопротивлением ро приблизительно равно 10\{8\} (Ом х см) определяется проводимостью межкристаллитных границ, которые имеют неалмазную гидрогенезированную структуру. Доп.точки доступа: Самсоненко, Н. Д. |
Фотолюминесценция кремния после осаждения поликристаллических пленок алмаза [Текст] / Д. Ф. Аминев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1199-1203 : ил. - Библиогр.: с. 1203 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- ФЛ -- низкотемпературная фотолюминесценция -- кремний -- кремниевая подложка -- подложка кремния -- пленки -- поликристаллические пленки -- алмазные пленки -- алмазы -- поликристаллические алмазы -- осаждение пленок алмаза -- микроволновые плазмы -- излучение -- дислокационное излучение -- дислокации -- химико-механическая полировка -- адгезия -- спектры -- спектры фотолюминесценции Аннотация: Исследована низкотемпературная (5 К) фотолюминесценция в области 0. 8-1. 2 эВ подложек кремния до и после осаждения пленок поликристаллического алмаза. Алмазные пленки осаждались в микроволновой плазме при температуре 750-850°С на чистый (р ~ ЗкОм x см) бездислокационный кремний, подвергнутый механической полировке или более совершенной химико-механической полировке. В спектре фотолюминесценции образцов, в которых кремниевая подложка подвергалась химико-механической полировке, регистрируются линии D[1] и D[2], связанные с дислокационным излучением. Возникновение дислокаций в этих подложках определяется хорошей адгезией алмазной пленки и, как следствие, появлением внутренних напряжений, релаксирующих в виде дислокаций. Полученные спектры практически идентичны спектрам фотолюминесценции, измеренным для кремния (р ~ 100 Ом x см) с плотностью дислокаций ~10{4}см{-2}. Доп.точки доступа: Аминев, Д. Ф.; Багаев, В. С.; Галкина, Т. И.; Клоков, А. Ю.; Кривобок, В. С.; Ральченко, В. Г. |
Неустроев, Степан Архипович. Тетраэдрические связи кубического углерода [Текст] / С. А. Неустроев // Известия вузов. Электроника. - 2010. - N 4. - С. 86-88. : рис. - Библиогр.: с. 88 (8 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Геология Минералогия Кл.слова (ненормированные): гексагональная призма -- межатомное расстояние -- алмазные пленки -- приборы -- микросхемы -- кристаллы Аннотация: Описана попытка выявления структурных особенностей с-С. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Перколяционная модель перехода диэлектрик-проводник в ультрананокристаллических алмазных пленках [Текст] / И. И. Власов [и др.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 95, вып. 7. - С. 435-439
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): ультрананокристаллические пленки -- алмазные пленки -- перколяция -- переход диэлектрик-проводник -- наностержни -- графитовые оболочки Аннотация: Предложена перколяционная модель для объяснения перехода диэлектрик-проводник в ультрананокристаллических алмазных пленках при добавлении азота в газовую смесь, используемую для синтеза пленок. Наблюдаемый скачок проводимости на 10-12 порядков величины является следствием перестройки структуры пленок - формирования алмазных наностержней в графитовой оболочке, возрастание объемной доли которых (до 0. 22) при азотировании определено по данным малоуглового рентгеновского рассеяния. Проводимость реализуется по графитовым оболочкам, порог перколяции соответствует достижению объемной доли проводящих наностержней, равной 0. 06. Доп.точки доступа: Власов, И. И.; Канзюба, М. В.; Ширяев, А. А.; Волков, В. В.; Ральченко, В. Г.; Конов, В. И. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Температурное тушение люминесценции SiV-центра в пленках CVD-алмаза [Текст] / А. С. Емельянова [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2017. - Т. 81, № 9. - С. 1284-1289. - Библиогр.: c. 1289 (14 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): алмазные пленки -- кинетические характеристики -- нитрид алюминия -- температурное тушение -- фотолюминесценция Аннотация: Исследованы кинетические характеристики и температурное тушение люминесценции оптического центра кремний-вакансия SiV в алмазных пленках, выращенных в СВЧ-плазме на подложках из нитрида алюминия и синтетического алмаза, при лазерном возбуждении на длине волны 640 нм. Доп.точки доступа: Емельянова, А. С.; Ракевич, А. Л.; Мартынович, Е. Ф.; Миронов, В. П.; Большаков, А. П.; Седов, В. С.; Ральченко, В. Г.; Конов, В. И. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |