Зависимость энергии резонансных состояний акцептора в кремнии от изотопного состава матрицы [Текст] / Б. А. Андреев [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 90, вып. 6. - С. 501-504
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): резонансные состояния -- валентная подзона -- акцепторы -- изотопический эффект -- спин-орбитальное расщепление -- валентная зона кремния Аннотация: Обнаружена зависимость энергии переходов в резонансные состояния акцепторов под спин-отщепленной валентной подзоной от изотопного состава матрицы кремния. Получена оценка изотопического эффекта для спин-орбитального расщепления валентной зоны кремния. Доп.точки доступа: Андреев, Б. А.; Ежевский, А. А.; Абросимов, Н. В.; Сенников, П. Г.; Поль, Х. -Й. |
Петров, П. В. Особенности фононных повторений линии фотолюминесценции экситона, связанного на акцепторе в квантовых ямах GaAs/AlGaAs [Текст] / П. В. Петров, Ю. Л. Иванов, Н. С. Аверкиев // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1214-1216 : ил. - Библиогр.: с. 1216 (3 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- GaAs/AlGaAs -- акцепторы -- экситоны -- оже-процессы -- фотолюминесценция -- ФЛ -- фононы -- фононновые повторения -- рекомбинация Аннотация: Исследованы фононные повторения линии фотолюминесценции, относящейся к рекомбинации связанного на акцепторе экситона в квантовых ямах структуры GaAs/AIGaAs. Показано, что рекомбинация такого экситона сопровождается оже-процессом, заключающимся в переводе оставшейся на нейтральном акцепторе тяжелой дырки в возбужденное состояние легкой дырки. При этом высвободившийся момент импульса дырки передается фонону. Доп.точки доступа: Иванов, Ю. Л.; Аверкиев, Н. С. |
Сверхпроводящие свойства кремниевых наноструктур [Текст] / Н. Т. Баграев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1481-1495 : ил. - Библиогр.: с. 1494 (53 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): наноструктуры -- кремниевые наноструктуры -- сандвич-наноструктуры -- квантовые ямы -- КЯ -- кремниевые квантовые ямы -- delta-барьеры -- бор -- сопротивления -- удельные сопротивления -- термоэдс -- теплоемкость -- статическая магнитная восприимчивость -- циклотронный резонанс -- ЦР -- самоупорядоченная кремниевая квантовая яма -- СККЯ -- сканирующая туннельная микроскопия -- СТМ -- корреляционная энергия -- отрицательная корреляционная энергия -- акцепторы бора -- дырочные биполяроны -- высокотемпературная сверхпроводимость -- наноструктурированные delta-барьеры -- локальная туннельная спектроскопия -- ЛТС -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- оптические свойства -- электрические свойства -- сверхпроводящие свойства -- температурная зависимость -- полевая зависимость -- осцилляция -- квантование -- критическая температура -- вторичная ионная масс-спектроскопия -- ВИМС -- электронный парамагнитный резонанс -- ЭПР -- сверхтоки Аннотация: Сверхпроводящие свойства кремниевых сандвич-наноструктур на поверхности Si (100) n-типа, которые представляют собой сверхузкие кремниевые квантовые ямы p-типа, ограниченные delta-барьерами, сильно легированными бором, проявляются в измерениях температурных и полевых зависимостей удельного сопротивления, термоэдс, теплоемкости и статической магнитной восприимчивости. Данные исследований циклотронного резонанса, сканирующей туннельной микроскопии и ЭПР идентифицируют наличие в наноструктурированных delta-барьерах одиночных тригональных дипольных центров бора, B{+}-B{-}, с отрицательной корреляционной энергией, которые сформированы вследствие реконструкции мелких акцепторов бора, 2B{0}- B{+}+B{-}. Полученные результаты свидетельствуют о том, что эти центры с отрицательной корреляционной энергией ответственны за перенос дырочных биполяронов малого радиуса, который, по-видимому, лежит в основе механизма высокотемпературной сверхпроводимости TC=145 K. Причем значение величины сверхпроводящей щели, 0. 044 эВ, определенное с помощью измерений критической температуры при использовании вышеуказанных методик, практически идентично данным локальной туннельной спектроскопии и прямой регистрации туннельных ВАХ. Квантование характеристик сверхпроводимости кремниевых сандвич-наноструктур проявляется в температурных и полевых зависимостях теплоемкости и статической магнитной восприимчивости, которые демонстрируют осцилляции второго критического поля и критической температуры, возникающие вследствие квантования сверхтока. Доп.точки доступа: Баграев, Н. Т.; Клячкин, Л. Е.; Кудрявцев, А. А.; Маляренко, А. М.; Романов, В. В. |
Субструктура и люминесценция низкотемпературных гетероструктур AlGaAs/GaAs (100) [Текст] / П. В. Середин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 194-199 : ил. - Библиогр.: с. 198-199 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Люминесценция Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- AlGaAs/GaAs (100) -- твердые растворы -- эпитаксиальные твердые растворы -- рамановское рассеяние -- фотолюминесценция -- спектроскопия -- фотолюминесцентная спектроскопия -- люминесценция -- кристаллические решетки -- дефекты -- нанокластеры -- акцепторы -- углеродные акцепторы Аннотация: Методами рамановского рассеяния и фотолюминесцентной спектроскопии изучены субструктура и люминесценция низкотемпературных эпитаксиальных твердых растворов AlGaAs. Показано, что полученные в ходе работы экспериментальные данные коррелируют с результатами структурных и оптических исследований, проведенных в предыдущей работе. Подтверждено предположение о том, что при высоких концентрациях углеродного акцептора атомы последнего концентрируются на дефектах кристаллической решетки твердого раствора AlGaAs с образованием нанокластеров углерода. Доп.точки доступа: Середин, П. В.; Глотов, А. В.; Домашевская, Э. П.; Арсентьев, И. Н.; Винокуров, Д. А.; Тарасов, И. С.; Журбина, И. А. |
Басиев, Т. Т. Теоретический анализ статического тушения оптических возбуждений в люминесцирующих наночастицах [Текст] / Т. Т. Басиев, И. Т. Басиева, Н. А. Глушков // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91. N 5. - С. 254-258
Рубрики: Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): люминесцирующие наночастицы -- наночастицы -- метод Монте-Карло -- Монте-Карло метод -- люминесцирующие примеси -- донорно-акцепторный перенос -- акцепторы -- статическое тушение -- оптические возбуждения Аннотация: Получено компактное аналитическое выражение для описания кинетики донорно-акцепторного переноса энергии и тушения оптических возбуждений в сферических наночастицах с люминесцирующими примесями. Проведена серия численных экспериментов, моделирующих процесс с помощью метода Монте-Карло для наночастиц различного размера и концентраций акцепторов. Аналитическое выражение хорошо описывает результаты численного моделирования. Доп.точки доступа: Басиева, И. Т.; Глушков, Н. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Изучение электронной структуры одностенных углеродных нанотрубок, заполненных бромидом кобальта [Текст] / М. В. Харламова [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91. N 4. - С. 210-214
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): нанотрубки -- нанокомпозиты -- нанокристаллы -- углеродные нанотрубки -- бромид кобальта -- электронная структура -- акцепторы электронов Аннотация: Проведено заполнение одностенных углеродных нанотрубок бромидом кобальта. Была изучена микроструктура, оптические свойства и влияние внедренного CoBr[2] на электронную структуру нанотрубок. Установлено, что в полученных нанокомпозитах происходит перенос электронной плотности со стенок нанотрубок на нанокристаллы бромида кобальта, который является акцептором электронов. Доп.точки доступа: Харламова, М. В.; Елисеев, А. А.; Яшина, Л. В.; Петухов, Д. И.; Лиу, Ч.; Ванг, Ч.; Семененко, Д. А.; Белогорохов, А. И. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Пороговое образование межмолекулярного комплекса с переносом заряда полупроводникового полимера [Текст] / О. Д. Паращук [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91. N 7. - С. 379-384
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые полимеры -- сопряженные полимеры -- низкомолекулярные акцепторы -- органические акцепторы -- электронные состояния -- основные состояния -- кинематические модели -- межмолекулярные комплексы Аннотация: Обнаружено, что образование межмолекулярного комплекса с переносом заряда (Charge Transfer Complex - CTC) в основном электронном состоянии между модельным сопряженным полимером (поли[2-метокси-5- (2'-этил-гек-си-локси) -1, 4-фениленвениленом], MEH-PPV) и низкомолекулярным органическим акцептором (2, 4, 7-тринитрофлуореноном, TNF) происходит скачкообразно при увеличении концентрации акцептора в смеси, что наблюдалось по оптическим спектрам поглощения растворов. Пороговый характер зависимости поглощения CTC приписан скачкообразному изменению концентрации CTC, которое не объясняется стандартной моделью, описывающей оптические характеристики межмолекулярных CTC. Доп.точки доступа: Паращук, О. Д.; Сосорев, А. Ю.; Бруевич, В. В.; Паращук, Д. Ю. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Кучеренко, М. Г. Кинетика квазистатического тушения возбужденных центров поверхностного слоя сегментами макромолекулярных цепей в нанопорах вблизи наночастиц [Текст] / Кучеренко М. Г., Кручинин Н. Ю., Чмерева Т. М. // Вестник Оренбургского государственного университета. - 2010. - N 5, май. - С. 124-135. - Библиогр.: с. 135 . - ISSN 1814-6457
Рубрики: Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): биологические среды -- межмолекулярное взаимодействие -- диполь-дипольное взаимодействие -- диполи -- нанотела -- донорно-акцепторный механизм -- конформации макромолекул -- лизоцим -- белки -- адсорбенты -- доноры -- акцепторы -- белково-фуллереновые кластеры -- фуллерены Аннотация: Исследована кинетика безызлучательного переноса энергии электронного возбуждения между молекулами, резмещенными внутри сферической нанополости, заполненной макромолекулярными цепями. Доп.точки доступа: Кручинин, Н. Ю.; Чмерева, Т. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Особенности механизма электропроводности полуизолирующих монокристаллов CdTe [Текст] / Л. А. Косяченко [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 6. - С. 729-734. : ил. - Библиогр.: с. 733-734 (8 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электропроводность -- монокристаллы -- полуизолирующие монокристаллы -- теллурид кадмия -- CdTe -- температурные зависимости -- электрические характеристики -- акцепторы -- энергия ионизации -- контакт Шоттки -- Шоттки контакт -- уровень Ферми -- Ферми уровень -- акцепторные примеси Аннотация: Исследованы температурные зависимости электрических характеристик полуизолирующих монокристаллов p-CdTe, выявившие существенные особенности их электропроводности, не описанные в литературе. Энергия активации материала p-типа проводимости, близкой к собственной, может быть как меньше, так и превышать половину ширины запрещенной зоны полупроводника. Результаты анализа статистики электронов и дырок на основе уравнения электронейтральности показали, что наблюдаемые особенности электрических свойств материала объясняются спецификой компенсационных процессов. Предложена методика определения энергии ионизации и степени компенсации акцепторов, ответственных за электропроводность материала. Показано, что в пределах климатических изменений температуры может наблюдаться инверсия типа проводимости материала и, как следствие, исчезновение контакта Шоттки в детекторе рентгеновского и gamma-излучения на основе CdTe. Доп.точки доступа: Косяченко, Л. А.; Маслянчук, О. Л.; Мельничук, С. В.; Склярчук, В. М.; Склярчук, О. В.; Аоки, Т. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Рассеяние электронов на акцепторных центрах в p-Ag[2]Te при низких температурах [Текст] / Ф. Ф. Алиев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1042-1045. : ил. - Библиогр.: с. 1045 (12 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): резонансное рассеяние электронов -- акцепторные центры -- p-Ag[2]Te -- теллурид серебра -- низкие температуры -- температурные зависимости -- термоэдс -- электропроводность -- носители заряда -- акустические фононы -- акцепторы Аннотация: Наблюдалось резонансное рассеяние электронов в p-Ag[2]Te при концентрациях акцепторов N[a]< 4. 2x10{16} см{-3} в интервале температур ~50-80 K. Проведен расчет вклада резонансного рассеяния в температурные зависимости электропроводности sigma (T) и термоэдс alpha0 (T). Показано, что вклад резонансного рассеяния электронов в зависимостях sigma (T) и alpha0 (T) больше, чем рассеяние носителей заряда на акустических фононах. Доп.точки доступа: Алиев, Ф. Ф.; Джафаров, М. Б.; Аскерова, Г. З.; Годжаев, Э. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Оптические свойства тонких пленок GaSe/n-Si (111) [Текст] / М. П. Киселюк [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1046-1049. : ил. - Библиогр.: с. 1049 (8 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): резонансное рассеяние электронов -- акцепторные центры -- p-Ag[2]Te -- теллурид серебра -- низкие температуры -- температурные зависимости -- термоэдс -- электропроводность -- носители заряда -- акустические фононы -- акцепторы Аннотация: Проведены морфологические и оптические (эллипсометрия, спектры отражения в диапазоне 400-750 нм и спектры отражения в диапазоне 1. 4-25 мкм) исследования тонких пленок GaSe толщиной 15-60 нм, полученных методом термического напыления на подложках из монокристаллического кремния n-Si (111). Установлено, что на начальном этапе роста имеет место островковый (трехмерный) рост GaSe на подложках n-Si (111). Показано изменение физических параметров пленок по мере увеличения толщины и приближение с точки зрения кристаллической и энергетической зонной структуры тонких пленок к монокристаллам. Для пленок толщиной 60 нм максимум полосы отражения объяснен непрямыми оптическими переходами, усиленными экситонным взаимодействием. В результатах оптических исследований предполагается проявление квантовых эффектов в приповерхностной области тонких пленок. Доп.точки доступа: Киселюк, М. П.; Власенко, А. И.; Генцарь, П. А.; Вуйчик, Н. В.; Заяц, Н. С.; Кругленко, И. В.; Литвин, О. С.; Криськов, Ц. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Кинетика терагерцовой фотопроводимости в p-Ge в условиях примесного пробоя [Текст] / С. В. Морозов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1523-1526. : ил. - Библиогр.: с. 1526 (9 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фотопроводимость -- кинетика фотопроводимости -- примесный пробой -- время релаксации (физика) -- терагерцовое излучение -- электрические поля -- акцепторы -- гелий -- жидкий гелий -- p-Ge -- экспериментальные исследования Аннотация: Исследованы времена релаксации примесной фотопроводимости в p-Ge при возбуждении наносекундным узкополосным источником терагерцового излучения в зависимости от приложенного к образцу напряжения смещения. Показано, что в допробойных полях время релаксации растет с приложенным электрическим полем, а при превышении поля примесного пробоя уменьшается. В исследованных образцах, различающихся концентрацией акцепторов и степенью компенсации, наблюдалась немонотонная кинетика фотопроводимости при приближении к полю примесного пробоя. Доп.точки доступа: Морозов, С. В.; Маремьянин, К. В.; Ерофеева, И. В.; Яблонский, А. Н.; Антонов, А. В.; Гавриленко, Л. В.; Румянцев, В. В.; Гавриленко, В. И. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Электролюминесценция на длине волны 1. 5 мкм в диодных структурах Si: Er/Si, легированных акцепторами Al, Ga, B [Текст] / В. П. Кузнецов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 12. - С. 1645-1648. : ил. - Библиогр.: с. 1648 (10 назв. )
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): электролюминесценция -- диодные структуры -- Si: Er/Si -- легированные акцепторы -- Al -- Ga -- B -- сублимационная эпитаксия -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- диоды -- толстые базы -- длина волны Аннотация: Слои Si: Er в диодных структурах легировались Al, Ga или B в процессе выращивания методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. Результат: в диодах с толстой базой (до 0. 8 мкм) наблюдалось резкое увеличение интенсивности электролюминесценции на длине волны 1. 5 мкм. Доп.точки доступа: Кузнецов, В. П.; Шмагин, В. Б.; Марычев, М. О.; Кудрявцев, К. Е.; Кузнецов, М. В.; Андреев, Б. А.; Карнаухов, А. В.; Горшков, О. Н.; Красильник, З. Ф. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Фишер, Н. К. Влияние Fe(III) и Mn(IV) на биотрансформацию нефтепродуктов в подземных водах [Текст] / Н. К. Фишер // Геоэкология. Инженерная геология. Гидрогеология. Геокриология. - 2019. - № 3. - С. 21-31. - Библиогр.: с. 27-31 (32 назв.) . - ISSN 0869-7803
Рубрики: Экология Загрязнение окружающей среды Кл.слова (ненормированные): акцепторы электронов -- биотрансформация нефтепродуктов в подземных водах -- геохимические индикаторы -- загрязнение подземных вод нефтепродуктами -- нефтепродукты -- подземные воды -- трансформация нефтепродуктов в подземных водах Аннотация: Представлены результаты исследований использования микроорганизмами Fe (III) и Mn (IV) в качестве акцепторов электронов при трансформации нефтепродуктов в подземных водах. Для оценки микробиологических процессов in situ использовали метод геохимических индикаторов. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |