Дубровский, В. Г.
    Нелинейные эффекты при росте полупроводниковых нитевидных нанокристаллов [Текст] / В. Г. Дубровский, Н. В. Сибирев, М. А. Тимофеева // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1267-1274 : ил. - Библиогр.: с. 1274 (22 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Проводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
нанокристаллы -- нитевидные нанокристаллы -- ННК -- нелинейные эффекты -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- газофазная эпитаксия -- ГФЭ -- эффект Гиббса-Томсона -- Гиббса-Томсона эффект -- адсорбция -- ПЖК -- диффузия -- поверхностная диффузия -- адатомы -- осаждение -- пар-жидкость-кристалл
Аннотация: Развита кинетическая модель роста полупроводниковых нитевидных нанокристаллов по механизму "пар-жидкость-кристалл" за счет адсорбции из газообразной среды и поверхностной диффузии адатомов. Получено нелинейное уравнение для скорости роста нитевидного нанокристалла в стационарном режиме с учетом эффекта Гиббса-Томсона в капле. Показано, что в зависимости от условий процесса осаждения, радиуса кристалла и его начальной длины возможны шесть принципиально различных режимов роста, что связано с квадратичной нелинейностью уравнения роста. При заданных условиях осаждения длина нитевидного нанокристалла либо неограниченно увеличивается, либо стремится к некоторому конечному (в некоторых случаях нулевому) пределу.


Доп.точки доступа:
Сибирев, Н. В.; Тимофеева, М. А.




   
    Теоретическое исследование вакансий и адатомов в белом графене [Текст] / А. А. Кузубов [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 93, вып. 6. - С. 368-371.
УДК
ББК 22.3
Рубрики: Физика
   Общие вопросы физики

Кл.слова (ненормированные):
гексагональный нитрид бора -- нитрид бора -- белый графен -- вакансии (физика) -- адатомы
Аннотация: Проведено исследование стабильности вакансий атомов бора, азота и бивакансий в монослое h-BN при деформации на 2% и 4% вдоль одной из осей. Установлено, что наиболее стабильными являются вакансии атомов азота, при этом их концентрация незначительна и не оказывает влияния на свойства "белого графена". На число вакансий оказывает влияние подвижность адатомов азота и бора на поверхности слоя, поэтому проведена оценка вероятности рекомбинации с вакансиями.


Доп.точки доступа:
Кузубов, А. А.; Сержантова, М. В.; Федоров, А. С.; Томилин, Ф. Н.; Кожевникова, Т. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)




    Родякина, Е. Е.
    Дрейф адатомов на поверхности кремния (111) в условиях электромиграции [Текст] / Е. Е. Родякина, С. С. Косолобов, А. В. Латышев // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 94, вып. 2. - С. 151-156.
УДК
ББК 22.3
Рубрики: Физика
   Общие вопросы физики

Кл.слова (ненормированные):
кремний -- поверхность (физика) -- адатомы -- дрейф адатомов -- электрический ток
Аннотация: Методами in situ сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии и ex situ атомно-силовой микроскопии показано существование дрейфа адатомов по поверхности, возникающего под действием электрического тока, нагревающего образец, в условиях сублимации, гомоэпитаксиального роста и квазиравновесия на поверхности кремния (111) при температурах выше 1050 градусов С. Установлено, что направление дрейфа адатомов не зависит от величины пересыщения на поверхности. При этом дрейф адатомов происходит в сторону нижележащих террас: при 1050-1240 градусов С в условиях резистивного нагрева образца постоянным электрическим током - в направлении вверх по ступеням, а при 1250-1350 градусов С - в направлении вниз по ступеням. Наличие дрейфа адатомов свидетельствует о существовании у адатомов эффективного заряда, оценка величины которого при 1280 градусов С составила 0. 07 плюс минус 0. 01 от величины заряда электрона.


Доп.точки доступа:
Косолобов, С. С.; Латышев, А. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)




   
    Фотоэмиссия из квантовых точек InAs/GaAs, декорированных адатомами цезия [Текст] / Г. В. Бенеманская [и др.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 96, вып. 5. - С. 363-366
УДК
ББК 22.3
Рубрики: Физика
   Общие вопросы физики

Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- фотоэмиссия -- цезий -- адатомы
Аннотация: Проведено декорирование адсорбированными атомами металла массива незарощенных квантовых точек InAs/GaAs in situ в сверхвысоком вакууме. Исследованы их электронные и фотоэмиссионные свойства. Обнаружена кардинальная модификация спектров пороговой фотоэмиссии из квантовых точек по мере увеличения цезиевого покрытия. Установлены два фотоэмиссионных канала, которые характеризуются существенно различными интенсивностью, спектральным положением и шириной селективных полос. Показано, что декорирование квантовых точек позволяет управлять электронной структурой и квантовым выходом фотоэмиссии, природа которой связана с возбуждением электронных состояний подложки GaAs и квантовых точек InAs.


Доп.точки доступа:
Бенеманская, Г. В.; Лапушкин, М. Н.; Евтихиев, В. П.; Школьник, А. С.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)




   
    Адсорбция атомов на графене во внешнем квантующем магнитном поле [Текст] / З. З. Алисултанов [и др.] // Инженерная физика. - 2013. - № 11. - С. 21-29 : схема, граф. - Библиогр.: с. 28 (36 назв.) . - ISSN 2072-9995
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
магнитные поля -- квантующие магнитные поля -- графены -- адсорбция -- адсорбция атомов -- атомы -- модель Андерсона-Ньюнса -- Андерсона-Ньюнса модель -- дираковские фермионы -- внешние магнитные поля -- двумерные системы -- адатомы -- подложки
Аннотация: Представлена модель Андерсона-Ньюнса для адсорбции атомов на графене. Рассмотрен случай наличия внешнего поперечного квантующего магнитного поля. Получены аналитические выражения для плотности состояний двумерной системы с дираковским спектром во внешнем магнитном поле.


Доп.точки доступа:
Алисултанов, Заур Замирович; Мирзегасанова, Набат Альбертовна; Мусаев, Гапиз Мусаевич; Фадель, Хайдер К.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)




    Алисултанов, Заур Замирович.
    Теория адсорбции атомов на бислое графена [Текст] / З. З. Алисултанов // Инженерная физика. - 2014. - № 6. - С. 30-39 : граф., табл. - Библиогр.: с. 37-39 (53 назв.) . - ISSN 2072-9995
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
адсорбция -- бислой графена -- модель Андерсона -- Андерсона модель -- плотность состояний -- адатомы -- оценка заряда адатомов
Аннотация: В рамках модели Андерсона рассмотрена задача об адсорбции атомов на поверхности бислоя графена.

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)




    Алисултанов, Заур Замирович.
    Влияние адсорбции атомов на электронную плотность состояний перестраиваемого двухслойного графена [Текст] = Influence of adsorption of a atoms on the electron density of states in tunable bilayer graphene / З. З. Алисултанов, Э. Х. Исрапов, Д. М. Рустамова // Инженерная физика. - 2015. - № 4. - С. 40-47 : диагр., табл. - Библиогр.: с. 46-47 (36 назв.) . - ISSN 2072-9995
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
Андерсона модель -- адатомы -- адсорбция атомов -- бислой графена -- графеновые слои -- графены -- модель Андерсона -- перестраиваемый двухслойный графен -- плотность состояний адатома -- плотность состояний графена
Аннотация: В рамках модели Андерсона рассмотрена задача об адсорбции атомов на поверхности перестраиваемого бислоя графена. Получены аналитический выражения для плотности состояний бислоя графена и адатома. Исследовано изменение плотности состояний перестраиваемого бислоя графена, вызванное адсорбцией атомов.
Within the Anderson model we consider the problem of adsorption of atoms on the surface tunable bilayer graphene. We obtain the analytic expressions for bilayer graphene density of states and for adatoms. We investigate a change of density of states, including by the adsorption of atoms.


Доп.точки доступа:
Исрапов, Эдгар Хизбулаевич; Рустамова, Джамиля Маликовна
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)