Влияние примесей на транспортные свойства слоистого анизотропного соединения PbBi[4]Te[7]. Эксперимент и расчеты [Текст] / М. К. Житинская [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 6. - С. 759-763. : ил. - Библиогр.: с. 763 (5 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- анизотропные соединения -- PbBi[4]Te[7] -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- легирование -- анизотропия -- термоэлектрические свойства -- коэффициент Нернста - Эттингсгаузена -- Нернста - Эттингсгаузена коэффициент -- эффект Зеебека -- Зеебека эффект -- эффект Холла -- Холла эффект -- электропроводность -- экспериментальные исследования Аннотация: Проведены экспериментальные исследования комплекса кинетических коэффициентов на высококачественных монокристаллах тройных слоистых соединений PbBi[4]Te[7] n-типа в интервале температур 77-400 K. Эти кристаллы, легированные электроактивными примесями Cd и Ag, были выращены методом Чохральского с подпиткой жидкой фазой из плавающего тигля. Найдена значительная анизотропия термоэлектрических свойств. Установлен механизм вхождения электроактивных примесей в решетку тройных соединений. Экспериментальные результаты по коэффициенту Нернста-Эттингсгаузена проанализированы совместно с данными по эффектам Зеебека, Холла и электропроводности. Показано, что вся совокупность данных по явлениям переноса в PbBi[4]Te[7] может быть объяснена в рамках однозонной модели энергетического спектра зоны проводимости с учетом непараболичности и смешанного механизма рассеяния электронов на акустических фононах и кулоновском потенциале примесей. Предполагается, что вдоль плоскости скола преобладает рассеяние на акустических фононах, а вдоль тригональной оси становится существенным примесное рассеяние. Доп.точки доступа: Житинская, М. К.; Немов, С. А.; Мухтарова, А. А.; Шелимова, Л. Е.; Свечникова, Т. Е.; Константинов, П. П. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Ярыкин, Н. А. Взаимодействие примеси меди с радиационными дефектами в легированном бором кремнии [Текст] / Н. А. Ярыкин, J. Weber // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1017-1020. : ил. - Библиогр.: с. 1020 (13 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): глубокие уровни -- примеси меди -- радиационные дефекты -- легирование бором -- монокристаллы кремния -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- облучение кристаллов -- облученные кристаллы -- диффузия меди -- концентрационные профили -- дивакансии -- уровни дивакансии Аннотация: Изучается спектр глубоких уровней, формирующихся в легированных бором монокристаллах кремния, выращенных методом Чохральского, в результате взаимодействия радиационных дефектов и примеси меди. Показано, что, независимо от порядка введения дефектов (как при низкотемпературной диффузии меди в предварительно облученные электронами кристаллы, так и при облучении загрязненных медью образцов), возникает один и тот же набор глубоких уровней. В дополнение к обычным радиационным дефектам в медьсодержащих кристаллах выявлены три уровня. Это уже упоминавшийся в литературе центр E[v]+0. 49 эВ, а также ранее не связываемые с медью уровень E[v]+0. 51 эВ и уровень, близкий к донорному уровню дивакансии. На основе анализа концентрационных профилей межузельная пара углерод--кислород исключена из возможных прекурсоров медьсодержащего центра E[v]+0. 49 эВ. Доп.точки доступа: Weber, J. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Структурные и электрические свойства подложек SiGe-на-изоляторе, сформированных методом прямого сращивания [Текст] / И. В. Грехов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1135-1139. : ил. - Библиогр.: с. 1139 (23 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): структурные свойства -- электрические свойства -- прямое сращивание -- метод прямого сращивания -- подложки SiGe-на-изоляторе -- термически окисленные пластины -- кристаллы -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- химико-техническая полировка -- термическое окисление -- кремниевые пластины Аннотация: Предложен новый способ изготовления подложек SiGe-на-изоляторе- прямое сращивание термически окисленных пластин Si с пластинами Si[1-x]Ge[x] из кристаллов, выращенных методом Чохральского. Формирование слоев Si[1-x]Ge[x] толщиной не более 10 мкм в композициях SiGe/SiO[2]/Si осуществлялось химико-механической полировкой. Для увеличения содержания Ge в слое Si[1-x]Ge[x] использовалось термическое окисление. Показано, что увеличение концентрации Ge и процедура термообработок при 1250{o}C не сопровождаются ухудшением структурных и электрических характеристик слоев Si[1-x]Ge[x]. Доп.точки доступа: Грехов, И. В.; Костина, Л. С.; Аргунова, Т. С.; Белякова, Е. И.; Рожков, А. В.; Шмидт, Н. М.; Юсупова, Ш. А.; Je, J. H. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Коплак, О. В. Магнитомеханический эффект в приповерхностных слоях кремния Cz-Si [Текст] / О. В. Коплак, А. И. Дмитриев, Р. Б. Моргунов // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 7. - С. 1350-1355. - Библиогр.: с. 1355 (29 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): магнитохимический эффект -- приповерхностные слои -- кремний -- метод Чохральского -- Чохральского метод Аннотация: Обнаружено изменение механических свойств приповерхностных слоев кристаллов кремния, выращенных методом Чохральского Cz-n-Si (111), под действием постоянного магнитного поля (B~ 0. 1 Т). Магнитостимулированное изменение микротвердости, модуля Юнга, коэффициента пластичности кристаллов кремния коррелирует с изменением параметра кристаллической решетки и внутренних напряжений. Главную роль в магнитомеханическом эффекте играет рост оксидной пленки под действием магнитного поля за счет уменьшения концентрации кислородных комплексов в приповерхностных слоях образца. В микроструктурированном кремнии, где поверхность значительно более развита, магнитное поле вызывает более глубокие изменения внутренних напряжений, чем в монокристаллах. Доп.точки доступа: Дмитриев, А. И.; Моргунов, Р. Б. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Бердников, В. С. Влияние режимов теплоотдачи на поля температуры и термических напряжений в монокристаллах [Текст] / В. С. Бердников, К. А. Митин // Известия РАН. Серия физическая. - 2016. - Т. 80, № 1. - С. 75-80. - Библиогр.: c. 80 (7 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): Грасгофа число -- метод Чохральского -- монокристаллы -- Прандтля число -- число Грасгофа -- число Прандтля -- Чохральского метод Аннотация: Численно исследован сопряженный теплообмен в различных режимах теплоотдачи в системе "кристалл - окружающая среда - стенки ростовой камеры", геометрически подобной упрощенной схеме верхней части теплового узла в методе Чохральского. Расчеты выполнены при числе Прандтля аргона, равном 0. 68, и числе Грасгофа, равном 16 000. По полученным полям температуры рассчитаны поля термических напряжений в кристалле. Доп.точки доступа: Митин, К. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Бессонов, О. А. Влияние вращения кристалла и тигля на устойчивость течения в модели метода Чохральского при низких числах Прандтля [Текст] / О. А. Бессонов // Известия РАН. Механика жидкости и газа. - 2016. - № 4. - С. 33-43. - Библиогр.: с. 43 (13 назв.) . - ISSN 0568-5281
Рубрики: Физика Газы и жидкости Кл.слова (ненормированные): конвекция гравитационная -- гравитационная конвекция -- гиродинамические модели -- численное моделирование -- устойчивость течений -- конвективные взамодействия -- числа Прандтля -- Прандтля числа -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- числo Грасгофа -- Грасгофа число Аннотация: Представлены результаты расчетов по исследованию совместного влияния вращения кристалла и тигля на устойчивость течений для низких чисел Прандля. Определены режимы с повышенным порогом устойчивости для различных сочетаний вращения кристалла и тигля, получены распределения теплового потока на торце растущего кристалла. Рассмотрены механизмы потери устойчивости при превышении критических значений числа Грасгофа и скоростей вращения, выявлен новый режим устойчивого неосесимметричного течения. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Бессонов, О. А. Анализ смешанной конвекции в модели метода Чохральского в широком диапазоне чисел Прандтля [Текст] / О. А. Бессонов // Известия РАН. Механика жидкости и газа. - 2017. - № 3. - С. 44-56. - Библиогр.: с. 55-56 (25 назв.) . - ISSN 0568-5281
Рубрики: Физика Газы и жидкости Кл.слова (ненормированные): метод Чохральского -- Чохральского метод -- числа Прандтля -- Прандтля числа -- Грасгофа число -- число Грасгофа -- численное моделирование -- устойчивость течений Аннотация: Представлены результаты расчетов и анализ влияния раздельного и совместного вращений кристалла и тигля на устойчивость течений в широком диапазоне чисел Прандтля. Определены режимы с повышенным порогом устойчивости для различных сочетаний скоростей вращения. Продемонстрировано, что для высоких чисел Прандтля совместное вращение кристалла и тигля позволяет повысить значение критического числа Грасгофа в 9-12 раз. Построена сводная диаграмма (карта) предельных режимов естественной и смешанной конвекций. Представлена методика контроля и анализа двумерной и пространственной мод неустойчивости. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Зависимость полей температуры в кристаллах от их теплофизических параметров и свойств окружающей среды в методе Чохральского при различных режимах теплообмена [Текст] / В. С. Бердников [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2017. - Т. 81, № 9. - С. 1198-1204. - Библиогр.: c. 1203-1204 (6 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): Грасгофа число -- кристаллы -- метод конечных элементов -- метод Чохральского -- Прандтля число -- число Грасгофа -- число Прандтля -- Чохральского метод Аннотация: Численно, методом конечных элементов, исследован сопряженный теплообмен в различных режимах теплоотдачи в системе "кристалл - окружающая среда - стенки ростовой камеры", геометрически подобной упрощенной схеме верхней части теплового узла в методе Чохральского. Расчеты выполнены при числе Прандтля равном 0. 68 (аргон) и числе Грасгофа 16000, различных длинах затравочных кристаллов, различных теплопроводностях кристалла и штока. Доп.точки доступа: Бердников, В. С.; Митин, К. А.; Григорьева, А. М.; Клещенок, М. С. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |