Сверхпроводящие свойства кремниевых наноструктур [Текст] / Н. Т. Баграев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1481-1495 : ил. - Библиогр.: с. 1494 (53 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): наноструктуры -- кремниевые наноструктуры -- сандвич-наноструктуры -- квантовые ямы -- КЯ -- кремниевые квантовые ямы -- delta-барьеры -- бор -- сопротивления -- удельные сопротивления -- термоэдс -- теплоемкость -- статическая магнитная восприимчивость -- циклотронный резонанс -- ЦР -- самоупорядоченная кремниевая квантовая яма -- СККЯ -- сканирующая туннельная микроскопия -- СТМ -- корреляционная энергия -- отрицательная корреляционная энергия -- акцепторы бора -- дырочные биполяроны -- высокотемпературная сверхпроводимость -- наноструктурированные delta-барьеры -- локальная туннельная спектроскопия -- ЛТС -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- оптические свойства -- электрические свойства -- сверхпроводящие свойства -- температурная зависимость -- полевая зависимость -- осцилляция -- квантование -- критическая температура -- вторичная ионная масс-спектроскопия -- ВИМС -- электронный парамагнитный резонанс -- ЭПР -- сверхтоки Аннотация: Сверхпроводящие свойства кремниевых сандвич-наноструктур на поверхности Si (100) n-типа, которые представляют собой сверхузкие кремниевые квантовые ямы p-типа, ограниченные delta-барьерами, сильно легированными бором, проявляются в измерениях температурных и полевых зависимостей удельного сопротивления, термоэдс, теплоемкости и статической магнитной восприимчивости. Данные исследований циклотронного резонанса, сканирующей туннельной микроскопии и ЭПР идентифицируют наличие в наноструктурированных delta-барьерах одиночных тригональных дипольных центров бора, B{+}-B{-}, с отрицательной корреляционной энергией, которые сформированы вследствие реконструкции мелких акцепторов бора, 2B{0}- B{+}+B{-}. Полученные результаты свидетельствуют о том, что эти центры с отрицательной корреляционной энергией ответственны за перенос дырочных биполяронов малого радиуса, который, по-видимому, лежит в основе механизма высокотемпературной сверхпроводимости TC=145 K. Причем значение величины сверхпроводящей щели, 0. 044 эВ, определенное с помощью измерений критической температуры при использовании вышеуказанных методик, практически идентично данным локальной туннельной спектроскопии и прямой регистрации туннельных ВАХ. Квантование характеристик сверхпроводимости кремниевых сандвич-наноструктур проявляется в температурных и полевых зависимостях теплоемкости и статической магнитной восприимчивости, которые демонстрируют осцилляции второго критического поля и критической температуры, возникающие вследствие квантования сверхтока. Доп.точки доступа: Баграев, Н. Т.; Клячкин, Л. Е.; Кудрявцев, А. А.; Маляренко, А. М.; Романов, В. В. |
Циклотронный резонанс дырок в гетероструктурах InGaAs/GaAs с квантовыми ямами в квантующих магнитных полях [Текст] / А. В. Иконников [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1539-1542. : ил. - Библиогр.: с. 1541 (5 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- InGaAs/GaAs -- циклотронный резонанс -- ЦР -- квантовые ямы -- КЯ -- квантовые каскадные лазеры -- ККЛ -- магнитные поля -- уровни Ландау -- Ландау уровни -- спиновая релаксация -- время спиновой релаксации -- дырки (физика) Аннотация: Исследованы спектры циклотронного резонанса дырок в селективно-легированных гетероструктурах InGaAs/GaAs с квантовыми ямами в импульсных магнитных полях до 50 Тл при 4. 2 K. Подтвержден обнаруженный ранее эффект инвертированного (по сравнению с результатами одночастичного расчета уровней Ландау) соотношения интегральных интенсивностей двух расщепившихся компонент линии циклотронного резонанса, связываемый с эффектами обменного взаимодействия дырок. Обнаружено, что на восходящей и нисходящей ветвях импульса магнитного поля соотношения интенсивностей компонент линии циклотронного резонанса сильно различаются, что может быть связано с большим временем спиновой релаксации дырок между двумя нижними уровнями Ландау, составляющим десятки миллисекунд. Доп.точки доступа: Иконников, А. В.; Спирин, К. Е.; Гавриленко, В. И.; Козлов, Д. В.; Драченко, О.; Schneider, H.; Helm, M. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Циклотронный резонанс в гетероструктурах с квантовыми ямами InSb/AlInSb [Текст] / Ю. Б. Васильев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1559-1562. : ил. - Библиогр.: с. 1562 (10 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): циклотронный резонанс -- ЦР -- гетероструктуры -- квантовые ямы -- КЯ -- InSb/AlInSb -- двумерные электроны -- электроны -- магнитные поля -- поглощение электронов -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- модель Кейна -- Кейна модель -- спин-орбитальное взаимодействие Аннотация: Проведены исследования поглощения двумерных электронов в квантовых ямах на основе InSb в квантующих магнитных полях в терагерцовой области спектра. В качестве источника излучения использовался циклотронный лазер на p-Ge. Из спектров циклотронного резонанса определена эффективная масса носителей на уровне Ферми, равная 0. 0219[m0] (m0 масса свободного электрона). Показано, что спектр электронов описывается моделью Кейна в широком диапазоне магнитных полей. В слабых магнитных полях наблюдается аномально сильное расщепление линии циклотронного резонанса, не связанное с непараболичностью зоны проводимости InSb, которое может быть объяснено эффектом спин-орбитального взаимодействия. Доп.точки доступа: Васильев, Ю. Б.; Gouider, F.; Nachtwei, G.; Buckle, P. D. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |