Наноструктурированные катализаторы технологии диафена ФП [Текст] / А. Асаченко [и др. ] // Наноиндустрия. - 2009. - N 4. - С. 32-35 : ил.: 3 рис.
Рубрики: Химическая технология Катализаторы Каучук и резина Кл.слова (ненормированные): наноструктурированные катализаторы -- диафен ФП -- анилин -- нитробензол -- восстановительное алкилирование Аннотация: Разработан высокоэффективный наноструктурированный катализатор второй стадии синтеза диафена ФП по двухстадийной схеме, в которой в качестве исходного сырья используется анилин и нитробензол. Доп.точки доступа: Асаченко, А.; Воскобойников, А.; Киреев, С.; Вдовин, С.; Проскурин, А. |
Бобренко, Ю. Н. Эффективные фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения с варизонными слоями на основе ZnS [Текст] / Ю. Н. Бобренко, С. Ю. Павелец, А. М. Павелец // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 830-835 : ил. - Библиогр.: с. 834 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): преобразователи -- фотоэлектрические преобразователи -- ФП -- ультрафиолетовые излучения -- УФ излучения -- слои -- варизонные слои -- p-n переходы -- гетероструктуры -- ZnS Аннотация: Использование сверхтонкой (~10 нм) стабильной пленки p-Cu[1. 8]S в качестве прозрачной составляющей гетероперехода p-Cu[1. 8]S-n-ZnS, а также варизонных слоев позволило получить эффективные фотопреобразователи ультрафиолетового излучения. Представлены результаты исследования свойств фотоактивных переходов Cu[1. 8]S-ZnS, выращенных на подложках CdS или CdSe с промежуточными варизонными слоями соответственно CdS-Zn[x]Cd[1-x]S или CdSe- (ZnS) [x] (CdSe) [1-x]. При правильном выборе параметров подложек варизонные слои позволяют без дополнительного легирования посторонней примесью всех составляющих гетероструктуры достичь оптимальных характеристик p-n-перехода, реализовать большие электрические поля на контакте Cu[1. 8]S-ZnS и решить проблему создания тыльного омического контакта к ZnS. Варьируя толщину тонкого слоя ZnS, можно контролировать протяженность пространственного заряда в варизонном слое и тем самым управлять длинноволновым краем чувствительности фотопреобразователя. Доп.точки доступа: Павелец, С. Ю.; Павелец, А. М. |
Дегода, В. Я. Особенности люминесценции и электропроводимости селенида цинка при фото- и рентгеновском возбуждении [Текст] / В. Я. Дегода, А. А. Софиенко // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 594-599 : ил. - Библиогр.: с. 599 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): селенид цинка -- ZnSe -- фотопроводимость -- ФП -- фотолюминесценция -- ФЛ -- рентгенолюминесценция -- РЛ -- рентгенопроводимость -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- релаксация тока -- фосфоресценция -- кинетика фосфоресценции -- спектры люминесценции -- возбуждение -- рекомбинация -- широкозонные полупроводники Аннотация: Проведено сравнение комплексных экспериментальных результатов исследования рентгенолюминесценции и рентгенопроводимости ZnSe с данными по фотолюминесценции и фотопроводимости. Экспериментально установлено различие вольт-амперных характеристик, кинетики фосфоресценции и релаксации тока в зависимости от типа возбуждения. Показано, что внешнее электрическое поле влияет на интенсивность и форму полос в спектрах люминесценции. Установлено, что характер возбуждения является определяющим для кинетики рекомбинации, захвата носителей заряда и проводимости в широкозонных полупроводниках. Доп.точки доступа: Софиенко, А. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Алиев, Ф. Ф. Влияние дефектов на электрические свойства Ag[2]S при фазовом переходе [Текст] / Ф. Ф. Алиев, М. Б. Джафаров, В. И. Эминова // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 6. - С. 749-752. : ил. - Библиогр.: с. 751-752 (18 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фазовый переход -- ФП -- температурные зависимости -- дефекты -- концентрация дефектов -- электропроводность -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент -- электрические свойства -- Ag[2]S Аннотация: Исследованы температурные зависимости электропроводности sigma (T) и коэффициента Холла R (T) в Ag[2]S при фазовом переходе. Обнаружены количественные несогласия в изменениях sigma (T) и R (T) при фазовом переходе, когда sigma увеличивается на несколько порядков, а R уменьшается в ~3-4 раза. Данный факт интерпретирован в рамках модели с двумя типами носителей заряда с учетом изменения зонных параметров и концентрации дефектов, образующихся при фазовом переходе. Доп.точки доступа: Джафаров, М. Б.; Эминова, В. И. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Эффективные фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения на основе ZnS и CdS с низкоомными поверхностными слоями [Текст] / Ю. Н. Бобренко [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1114-1117. : ил. - Библиогр.: с. 1117 (14 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фотоэлектрические преобразователи -- фотопреобразователи -- ФП -- поверхностно-барьерные фотопреобразователи -- ультрафиолетовое излучение -- УФ излучение -- низкоомные поверхностные слои -- область пространственного заряда -- ОПЗ -- туннельно-комбинированные токи -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- гетеропереходы -- p-n переходы -- фоточувствительность Аннотация: Формирование в области пространственного заряда поверхностно-барьерных фотопреобразователей Cu[1. 8]S-CdS и Cu[1. 8]S-ZnS тонких высокоомного и низкоомного слоев приводит к существенному увеличению фоточувствительности и снижению темновых туннельно-рекомбинационных токов. Получены высокоэффективные и стабильные фотопреобразователи ультрафиолетового излучения на основе CdS и ZnS. Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства и приведены основные эксплуатационные параметры фотопреобразователей ультрафиолетового излучения. Доп.точки доступа: Бобренко, Ю. Н.; Павелец, С. Ю.; Павелец, А. М.; Киселюк, М. П.; Ярошенко, Н. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Гетероструктуры HgCdTe на подложках Si (310) для инфракрасных фотоприемников средневолнового спектрального диапазона [Текст] / М. В. Якушев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 396-402. : ил. - Библиогр.: с. 401-402 (19 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- HgCdTe -- подложки -- кремний -- Si (310) -- твердые растворы -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- МЛЭ -- фотоприемники -- ФП -- инфракрасные фотоприемники -- ИК ФП -- фоточувствительные элементы -- ФЧЭ -- дефекты структуры -- фотодиоды -- комнатная температура -- температура жидкого азота Аннотация: Представлены результаты исследований процессов роста твердых растворов HgCdTe на подложках из кремния диаметром до 100 мм методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Определены оптимальные условия получения гетероструктур HgCdTe/Si (310) приборного качества для спектрального диапазона 3-5 мкм. Представлены результаты измерений и обсуждение фотоэлектрических параметров инфракрасного фотоприемника форматом 320x 256 элементов с шагом 30 мкм на основе гибридной сборки матричного фоточувствительного элемента с кремниевым мультиплексором. Показана высокая стабильность параметров фотоприемника к термоциклированию от комнатной температуры до температуры жидкого азота. Доп.точки доступа: Якушев, М. В.; Брунев, Д. В.; Варавин, В. С.; Васильев, В. В.; Дворецкий, С. А.; Марчишин, И. В.; Предеин, А. В.; Сабинина, И. В.; Сидоров, Ю. Г.; Сорочкин, А. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Ланда, Б. Х. (кандидат технических наук; доцент). Комплексный мониторинг показателей здоровья и уровня знаний в оценке образовательных достижений [Текст] / Б. Х. Ланда // Физическая культура: воспитание, образование, тренировка. - 2012. - № 4. - С. 19-22 : 1 фот., 6 рис. - Библиогр.: с. 22 (2 назв. ) . - ISSN 1817-4779
Рубрики: Образование. Педагогика--Казань--Россия--Татарстан, 21 в. Теория и методика обучения--Казань--Россия--Татарстан, 21 в. Кл.слова (ненормированные): ведомственные целевые программы -- вузовская наука -- вузы -- высшие учебные заведения -- здоровье учащихся -- здоровьесбережение -- исследования -- качество образования -- методики -- мониторинговые исследования -- общеобразовательные школы -- общий уровень физической подготовленности -- ОУФП -- охрана здоровья учащихся -- оценка знаний -- оценка учебных достижений -- оценка физического воспитания -- педагогический мониторинг -- преподавание физической культуры -- проекты -- технические университеты -- укрепление здоровья -- университеты -- уроки физической культуры -- учебные достижения -- учебные пособия -- физическая подготовленность -- физическое развитие -- ФП -- ФР -- школьники Аннотация: Заявленный от Казанского национального исследовательского технического университета им. А. Н. Туполева проект "Мониторинг показателей физического развития и физической подготовленности в охране здоровья обучающихся и оценке качества образования" для участия в аналитической ведомственной целевой программе "Развитие научного потенциала высшей школы (2009-2010 годы) " был востребован по заказу Министерства образования и науки РФ. Доп.точки доступа: КНИТУ; Казанский национальный исследовательский технический университет им. А. Н. Туполева Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Влияние режима потребления реактивной мощности на техническое состояние турбогенератора Т3ФП-110-2МУ3 [Текст] = Effect of Reactive Power Consumption Mode on Technical Condition of T3FP-110-2MU3 Turbogenerator / В. Д. Битней, Н. Н. Смотров, А. А. Тимофеев, А. В. Охлопков // Вестник Ивановского государственного энергетического университета. - 2023. - Вып. 3. - С. 34-42 : ил. - Библиогр.: с. 41-42 (12 назв.). - полный текст статьи см. на сайте https://www.elibrary.ru . - ISSN 2072-2672
Рубрики: Энергетика Турбомашины Кл.слова (ненормированные): турбогенераторы -- ТЗФП-110-2МУЗ -- статоры -- сердечники статоров -- обмотки статоров -- реактивная мощность -- регулирование мощности Аннотация: Дан анализ влияния режимов работы оборудования теплоэлектростанций на техническое состояние турбогенераторов. Доп.точки доступа: Битней, Владислав Дмитриевич (студент); Смотров, Николай Николаевич (кандидат технических наук; доцент); Тимофеев, Александр Андреевич (аспирант); Охлопков, Андрей Владимирович (ассистент) Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |