Электролюминесценция квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAs с ферромагнитными инжекторами вида (A{III}, Mn) B{V} и Ni [Текст] / М. М. Прокофьева [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1447-1450. : ил. - Библиогр.: с. 1450 (13 назв. )
Рубрики: Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- InGaAs/GaAs -- электролюминесценция -- ферромагнитные инжекторы -- ферромагниты -- ФМ -- ферромагнитные металлы -- металлы -- никель -- Ni -- квантовые ямы -- спиновые светоизлучающие диоды -- ССИД -- диоды -- электролюминесцентные характеристики -- магнитные полупроводники -- InMnAs -- температурная зависимость Аннотация: Проведено сравнительное исследование электролюминесцентных характеристик светоизлучающих диодов на основе гетероструктур с InGaAs/GaAs-квантовой ямой и инжекторным слоем, выполненным в виде ферромагнитного металла (Ni), полуметаллического соединения (MnSb) или магнитного полупроводника (InMnAs). Общей особенностью является гашение электролюминесценции при уменьшении толщины спейсерного слоя между квантовой ямой и магнитным инжектором. Обнаружено, что температурная зависимость электролюминесценции в диодах с Ni и MnSb обусловлена термическим выбросом носителей из квантовой ямы, а в диодах с InMnAs-температурной зависимостью концентрации носителей в магнитном полупроводнике, а также термическим выбросом носителей из квантовой ямы в области высоких температур. Доп.точки доступа: Прокофьева, М. М.; Дорохин, М. В.; Данилов, Ю. А.; Кудрин, А. В.; Вихрова, О. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |