Российская Федерация. Федеральная служба по экологическому, технологическому и атомному надзору (Ростехнадзор). Об утверждении методических рекомендаций по администрированию платы за негативное воздействие на окружающую среду в части выбросов в атмосферный воздух [Текст] : приказ Ростехнадзора от 12. 09. 2007, 626 / Российская Федерация, Федеральная служба по экологическому, технологическому и атомному надзору (Ростехнадзор), Ростехнадзор // Охрана окружающей среды и природопользование. - 2007. - N 4. - С. 5-15. - 1; РД-19-02-2007. - Прил.
Рубрики: Право Экологическое право Экология Экологическая безопасность--Российская Федерация--Россия Кл.слова (ненормированные): административная деятельность -- административная ответственность -- атмосферные загрязнения -- выбросы -- государственное регулирование -- загрязнение воздуха -- законодательство -- методические рекомендации -- нормативные документы -- окружающая среда -- правовое регулирование -- промышленная санитария -- РД -- руководящие документы -- санитарные требования -- экологическая безопасность -- экологическое право -- экология промышленности Доп.точки доступа: Ростехнадзор |
Виноградская, А. И. Принципы эффективного взаимодействия партнеров в радиодиалогах без визуального контакта с конфликтующими реальностями [Текст] / Виноградская А. И. // Мир психологии. - 2008. - N 1. - С. 121-130. - Библиогр.: с. 129-130 (27 назв. )
Рубрики: Психология Другие виды отраслевой психологии Кл.слова (ненормированные): радиоэфир (психология) -- радиодиалоги -- РД -- радиодиалоги высокой социальной значимости -- конфликтующие реальности общения -- КРО -- неэффективные периоды общения Аннотация: Статья посвящена влиянию радиодиалогов, особенно высокой социальной значимости, могут привести к негативным социальным последствиям в регионах повышенной социальной напряженности. Поэтому установление принципов и выявление условий, обеспечивающих действенность в радиодиалоге, приобретает особый смысл. |
Пагава, Т. А. Влияние энергии фотовозбуждения в процессе электронного облучения на дефектообразование в кристаллах n-Si [Текст] / Т. А. Пагава, Н. И. Майсурадзе // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 750-754 : ил. - Библиогр.: с. 754 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- электронное облучение -- дефектообразование -- радиационные дефекты -- РД -- метод Холла -- Холла метод -- изохронный отжиг -- n-Si Аннотация: Исследовано влияние подсветки кристаллов n-Si в процессе облучения электронами на природу радиационных дефектов. Образцы, облученные электронами с энергией 2 МэВ, подвергались изохронному отжигу в интервале температур 200-600oC. После каждого цикла 20-минутного отжига методом Холла измерялась концентрация электронов в интервале температур 77-300 K. Показано, что при возбуждении в процессе облучения E-центров квантами с энергией hnu=0. 44 эВ (длина волны lambda=2. 8 мкм) в кристаллах n-Si образуются двухвакансионные фосфорсодержащие дефекты типа PV[2], что приводит к увеличению радиационной стойкости исследуемых кристаллов. При возбуждении отрицательных вакансий V- квантами с hnu=0. 28 эВ (lambda=4. 4 мкм) общее количество радиационных дефектов растет в 1. 2 раза. Доп.точки доступа: Майсурадзе, Н. И. |
Комплексная диагностика гетероструктур с квантово-размерными слоями [Текст] / С. Г. Конников [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1280-1287 : ил. - Библиогр.: с. 1287 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): кванто-размерные слои -- гетероструктуры -- катодолюминесценция -- КЛ -- катодолюминесцентные исследования -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- рентгеновская дифракция -- РД -- рентгеноспектральный микроанализ -- РСМА -- квантовые ямы -- КЯ -- рентгенодифракционные исследования -- комплексная диагностика Аннотация: Возможности комплексной диагностики сложных квантово-размерных гетероструктур на основе соединений A{III}B{V}, используемых для создания мощных лазеров, продемонстрированы на примере структур с квантовой ямой GalnP/GaAs/AlGaAs, выращенных эпитаксией из металлорганической газовой фазы. Исследования спектров катололюминесценции позволили оценить состав барьерных слоев, подтвердить существование квантовой ямы и обнаружить аномалии в их излучении, связанные с изменением состава. При изучении структур в просвечивающем электронном микроскопе были определены толщина барьерных слоев, ширина и состав квантовой ямы, а также обнаружены переходные слои вблизи интерфейсов. Точное определение состава барьерных слоев было выполнено методом рентгеноспектрального микроанализа. Полученные величины параметров использовались при интерпретации данных рентгеновской дифракции, которые подтвердили существование переходных областей и обнаружили градиенты состава и частичную релаксацию в основной части слоев. Результатом проведенных комплексных исследований явились взаимосогласованные и обоснованные данные о составе и толщине слоев, а также данные о качестве интерфейсов, частичной релаксации слоев, существовании переходных слоев и градиентов состава. Доп.точки доступа: Конников, С. Г.; Гуткин, А. А.; Заморянская, М. В.; Попова, Т. Б.; Ситникова, А. А.; Шахмин, А. А.; Яговкина, М. А. |
Пагава, Т. А. Аномальное рассеяние электронов в облученных протонами кристаллах n-Si [Текст] / Т. А. Пагава, Н. И. Майсурадзе // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 160-163 : ил. - Библиогр.: с. 163 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- n-Si -- облучение протонами -- метод Холла -- Холла метод -- рассеяние электронов -- аномальное рассеяние электронов -- подвижность электронов -- радиационные дефекты -- РД -- область скопления дефектов -- ОСД -- энергия -- температура -- межузельные атомы -- ассоциаты -- проводимость Аннотация: Цель работы состоит в изучении влияния облучения протонами с энергией 25 МэВ на холловскую подвижность электронов в кристаллах n-Si. Облученные кристаллы с исходной концентрацией электронов 6x10{13} см{-3} исследовались методом Холла в интервале температур 77-300 K. Проведенные исследования показали, что в кристаллах, облученных протонами дозой Phi=8. 1x10{12} см{-2}, эффективное значение подвижности электронов проводимости mu[eff] резко увеличивается. Это является прямым доказательством того, что в кристаллах n-Si в этих условиях преимущественно образуются относительно высокопроводящие включения с омическим переходом на границах раздела с матрицей полупроводника. Такими включениями могут быть скопления межузельных атомов или их ассоциатов. Доп.точки доступа: Майсурадзе, Н. И. |
Молекулярно-пучковая эпитаксия термодинамически метастабильных твердых растворов GaInAsSb для фотодетекторов среднего ИК-диапазона [Текст] / А. Н. Семенов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 699-705 : ил. - Библиогр.: с. 704 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- твердые растворы -- GaInAsSb -- кристаллические решетки -- фотодетекторы -- жидкофазная эпитаксия -- ЖФЭ -- метод жидкофазной эпитаксии -- инфракрасный диапазон -- ИК-диапазон -- рентгеновская дифрактометрия -- РД -- метод рентгеновской дифрактометрии -- растровая электронная микроскопия -- РЭМ -- метод растровой электронной микроскопии -- фотолюминесценция -- ФЛ -- кривая дифракционного отражения -- КДО -- дифракция быстрых электронов -- ДБЭ -- оптические свойства -- спинодальный распад -- термодинамические расчеты Аннотация: Изучены особенности роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии твердых растворов GaInAsSb с содержанием индия до 25 мол%, согласованных по периоду кристаллической решетки с GaSb. Данные растворы являются перспективными для использования в качестве активной области фотодетекторных структур среднего инфракрасного диапазона. Представлены результаты исследования этих твердых растворов методами двухкристальной рентгеновской дифрактометрии, растровой электронной микроскопии и фотолюминесценции. Показано, что твердые растворы Ga[x]In[1-x]As[y]Sb[1-y] с x<0. 8, выращенные при температуре 500{o}C, демонстрируют деградацию структурных и оптических свойств по мере увеличения толщины слоя. В слоях с толщинами выше критической наблюдается спинодальный распад в полном соответствии с термодинамическими расчетами положения границ областей несмешиваемости. Обсуждаются возможности оптимизации молекулярно-пучкового роста твердых растворов Ga[x]In[1-x]As[y]Sb[1-y] (x<0. 75) с высоким оптическим и структурным совершенством, а также характеристики фотодетекторов на основе гетероструктур GaInAsSb/AlGaAsSb. Доп.точки доступа: Семенов, А. Н.; Терентьев, Я. В.; Мельцер, Б. Я.; Соловьев, В. А.; Попова, Т. В.; Нащекин, А. В.; Андреев, И. А.; Куницына, Е. В.; Усикова, А. А.; Яковлев, Ю. П.; Иванов, С. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Получение гетероструктур на основе нанокристаллических слоев политипов карбида кремния [Текст] / А. В. Семенов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 6. - С. 845-852. : ил. - Библиогр.: с. 851-852 (25 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- нанокристаллические пленки -- карбид кремния -- подложки -- ионное осаждение -- рентгеноструктурный анализ -- метод рентгеноструктурного анализа -- фотолюминесценция -- спектры фотолюминесценции -- ФЛ -- оптическая спектроскопия -- оптическое поглощение -- ОП -- рентгеновская дифрактометрия -- РД -- нанокристаллические политипы -- оптическое отражение -- ОО Аннотация: Показана возможность формирования гетероструктуры, состоящей из нанокристаллических слоев, - нижнего (на подложке) кубического политипа 3C и верхнего ромбоэдрического политипа 21R с использованием метода прямого ионного осаждения нанокристаллических пленок карбида кремния и градиентного нагрева подложек. Проведен детальный анализ структуры и последовательности расположения слоев карбида кремния с применением методов рентгеноструктурного анализа, фемтосекундной фотолюминесценции, оптической спектроскопии. Обсуждается природа максимумов, наблюдаемых в спектрах фотолюминесценции, оптического отражения и поглощения. Доп.точки доступа: Семенов, А. В.; Лопин, А. В.; Пузиков, В. М.; Баумер, В. Н.; Дмитрук, И. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
К вопросу однородности свойств CVD-пленок 4H-SiC [Текст] / А. М. Иванов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 7. - С. 1002-1006. : ил. - Библиогр.: с. 1006 (9 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): CVD-пленки -- электрофизические свойства -- радиационные дефекты -- РД -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- первично выбитые атомы -- ПВА -- глубокие центры -- ГЦ -- облучение электронами -- электронное облучение -- протоны -- ядерная спектрометрия -- проводимость -- компенсация проводимости -- 4H-SiC Аннотация: Для выявления неоднородности электрофизических свойств CVD-пленок 4H-SiC использованы физико-химические реакции, возникающие при введении радиационных дефектов структуры. Первично выбитые из узлов решетки атомы и вакансии активно взаимодействуют с примесями и дефектами исходного материала, формируя конечную систему радиационных центров. Облучение велось электронами с энергией 900 кэВ, протонами с энергией 8 МэВ в области доз, не приводящих к компенсации проводимости (менее 7. 5x10{12} см{-2}), а также дозой 6x10{14} см{-2}, вызывающей глубокую компенсацию. Использование емкостных методов, несмотря на усреднение характеристик по площади, выявило неидентичность характеристик образцов размерами ~3 мм. С применением техники ядерной спектрометрии, позволяющей осуществить микрозондирование образца, обнаружено индивидуальное поведение отдельных участков пленки масштабом до десятков мкм{2}. Доп.точки доступа: Иванов, А. М.; Строкан, Н. Б.; Щербов, Н. А.; Лебедев, А. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Шаповалов, А. В. Метод разложения адомиана для двухкомпонентной нелокальной реакционно-диффузионной модели типа Фишера - Колмогорова - Петровского - Пискунова [Текст] / А. В. Шаповалов, А. Ю. Трифонов // Известия вузов. Физика. - 2019. - Т. 62, № 5. - С. 95-105. - Библиогр.: с. 105 (26 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Математическая физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): Адамяна метод разложения -- Коши задача -- Фишера - Колмогорова - Петровского - Пискунова уравнение -- двухкомпонентная РД-модель -- динамика реакционно-диффузионных систем -- задача Коши -- линейный оператор диффузии -- метод разложения Адамяна -- нелокальные обобщенные уравнения -- реакционно-диффузионная модель -- теория возмущений -- уравнение Фишера - Колмогорова - Петровского - Пискунова -- уравнения диффузии Аннотация: Рассмотрен подход к построению приближенных аналитических решений для одномерной двухкомпонентной реакционно-диффузионной модели, описывающей динамику популяции, взаимодействующей с активным веществом, окружающем популяцию. Система модельных уравнений включает нелокальное обобщенное уравнение Фишера - Колмогорова - Петровского - Пискунова для популяционной плотности и уравнение диффузии для плотности активного вещества. Оба уравнения содержат дополнительные члены, описывающие взаимное влияние популяции и активного вещества. Для нахождения приближенных решений на первом этапе применен метод возмущений по малому параметру взаимодействия популяции и активного вещества. На втором этапе для решения уравнений, определяющих члены ряда теории возмущений, используется известный итерационный метод, разработанный Дж. Адомианом. Особенностью данной работы является то, что в качестве обратимого линейного оператора, являющегося частью оператора уравнения, выбирается оператор диффузии, для которого обратный оператор выражается в терминах диффузионного пропагатора. Это позволяет находить приближенные решения в классе убывающих на бесконечности функций. В качестве иллюстрации рассмотрен пример решения задачи Коши для начальных функций гауссова вида. Доп.точки доступа: Трифонов, А. Ю. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Османова, Милена Нуриевна (старший научный сотрудник; кандидат исторических наук). Правовое и административное регулирование охраны памятников истории и культуры в Дагестане в послевоенный период [Текст] : (по материалам ЦГА РД) / Османова Милена Нуриевна // История государства и права. - 2022. - № 6. - С. 37-43. - Библиогр. в ссылках . - ISSN 1812-3805
Рубрики: Право История государства и права--Дагестан--Дагестанская АССР--ДАССР; Россия; СССР, 20 в. 40-е гг. 2-я пол. Кл.слова (ненормированные): археологические памятники -- исторические памятники -- охрана памятников -- памятники архитектуры -- памятники истории -- памятники культуры -- паспортизация -- постановления Аннотация: В статье автор акцентирует внимание на проблемах, возникавших в Дагестане в послевоенное время в сфере охраны памятников истории и культуры, в числе которых - использование в качестве строительных материалов камней с археологических раскопок; расхищение археологических находок и их уничтожение. Начиная с 1947 г. в СССР был принят ряд нормативных документов, призванных устранить имеющиеся пробелы в законодательстве и всесторонне обосновать теоретические и практические стороны сохранения культурного наследия в масштабах всей страны. Как свидетельствуют материалы ЦГА РД, руководство Комитета по делам культпросветучреждений, после получения директив из центральных ведомств, стремилось организовать работу на местах: взять на учет памятники истории и археологии, провести их паспортизацию, осуществлявшуюся крайне медленно ввиду того, что приоритет отдавался восстановлению практически всех отраслей народного хозяйства, обеспечению населения продовольствием и жильем. Важными нововведениями в законодательной базе в области охраны памятников истории и культуры в 1949 г. стали предписание об обязательном составлении акта технического осмотра памятника, а также постановление о запрете изменения, переделки, перемещения и сноса исторических памятников без специального решения Правительства. Доп.точки доступа: Центральный государственный архив Республики Дагестан; Республика Дагестан \центральный государственный архив\; ЦГА РД; Управление по делам культпросветучреждений при Совете министров ДАССР; Совет министров ДАССР \управление по делам культпросветучреждений\; ДАССР \совет министров; управление по делам культпросветучреждений\ Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |