Кристаллическое совершенство пленок GaP, выращенных методом молекулярной эпитаксии на подложках Si с использованием атомарного водорода [Текст] / М. А. Путято [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1275-1279 : ил. - Библиогр.: с. 1279 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): пленки -- эпитаксиальные пленки -- GaP -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- МЛЭ -- подложки -- Si -- дифракция быстрых электронов -- ДБЭ -- дислокация несоответствия -- ДН -- водород -- атомарный водород -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- рентгеновская дифрактометрия Аннотация: Методом помонослойной молекулярно-лучевой эпитаксии выращивались пленки GaP на подложках Si, отклоненных от плоскости (001) на 6° вокруг оси (011). Методами дифракции быстрых электронов, просвечивающей электронной микроскопии, а также с помощью рентгеновской дифрактометрии было показано, что введение атомарного водорода в процесс эпитаксии существенно улучшает общее структурное совершенство пленок GaP. Вплоть до толщин около 0. 1 мкм полуширина пика на рентгеновской кривой в рефлексе (004) от таких пленок практически совпадает с теоретической для бездефектных пленок, что свидетельствует об их состоянии, близком к псевдоморфному. Доп.точки доступа: Путято, М. А.; Болховитянов, Ю. Б.; Василенко, А. П.; Гутаковский, А. К. |
Комплексная диагностика гетероструктур с квантово-размерными слоями [Текст] / С. Г. Конников [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1280-1287 : ил. - Библиогр.: с. 1287 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): кванто-размерные слои -- гетероструктуры -- катодолюминесценция -- КЛ -- катодолюминесцентные исследования -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- рентгеновская дифракция -- РД -- рентгеноспектральный микроанализ -- РСМА -- квантовые ямы -- КЯ -- рентгенодифракционные исследования -- комплексная диагностика Аннотация: Возможности комплексной диагностики сложных квантово-размерных гетероструктур на основе соединений A{III}B{V}, используемых для создания мощных лазеров, продемонстрированы на примере структур с квантовой ямой GalnP/GaAs/AlGaAs, выращенных эпитаксией из металлорганической газовой фазы. Исследования спектров катололюминесценции позволили оценить состав барьерных слоев, подтвердить существование квантовой ямы и обнаружить аномалии в их излучении, связанные с изменением состава. При изучении структур в просвечивающем электронном микроскопе были определены толщина барьерных слоев, ширина и состав квантовой ямы, а также обнаружены переходные слои вблизи интерфейсов. Точное определение состава барьерных слоев было выполнено методом рентгеноспектрального микроанализа. Полученные величины параметров использовались при интерпретации данных рентгеновской дифракции, которые подтвердили существование переходных областей и обнаружили градиенты состава и частичную релаксацию в основной части слоев. Результатом проведенных комплексных исследований явились взаимосогласованные и обоснованные данные о составе и толщине слоев, а также данные о качестве интерфейсов, частичной релаксации слоев, существовании переходных слоев и градиентов состава. Доп.точки доступа: Конников, С. Г.; Гуткин, А. А.; Заморянская, М. В.; Попова, Т. Б.; Ситникова, А. А.; Шахмин, А. А.; Яговкина, М. А. |
Оптические и структурные свойства тонких пленок, осажденных из золя наночастиц кремния [Текст] / С. Г. Дорофеев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1460-1467 : ил. - Библиогр.: с. 1466-1467 (25 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): тонкие пленки -- наночастицы -- кремний -- нанокристаллический кремний -- nc-Si -- коллоидные растворы -- золя -- структурные свойства -- оптические свойства -- осаждение -- размерно-селективное осаждение -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- поглощения -- спектры поглощения -- рассеяние -- комбинационное рассеяние -- спектры комбинационного рассеяния -- порошки -- травление Аннотация: Предложен новый метод формирования тонких пленок нанокристаллического кремния (nc-Si), который заключается в размерно-селективном осаждении с помощью центрифугирования наночастиц из коллоидного раствора (золя), содержащего порошки nc-Si. Структурные и оптические параметры исходных порошков nc-Si и осажденных пленок изучены с помощью просвечивающей электронной микроскопии и анализа спектров поглощения и спектров комбинационного рассеяния. Величина коэффициента поглощения пленок nc-Si увеличивается с уменьшением размеров наночастиц, из которых состоят эти пленки. Измеренная ширина запрещенной зоны Eg в пленках увеличивается от 1. 8 до 2. 2 эВ при травлении порошков nc-Si, используемых для осаждения соответствующих пленок. Из анализа спектров комбинационного рассеяния сделано предположение, что наличие аморфной составляющей в исследованных порошках и пленках nc-Si определяется атомами кислорода, координированными на поверхности наночастиц. Доп.точки доступа: Дорофеев, С. Г.; Кононов, Н. Н.; Ищенко, А. А.; Васильев, Р. Б.; Гольдшрах, М. А.; Зайцева, К. В.; Колташев, В. В.; Плотниченко, В. Г.; Тихоневич, О. В. |
Инжекция спина в гетероструктурах с квантовыми ямами GaAs/GaSb [Текст] / Я. В. Терентьев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 205-209 : ил. - Библиогр.: с. 208-209 (7 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Люминесценция Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- GaAs/GaSb -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- квантовые точки -- КТ -- гетероструктуры -- дифракция быстрых отраженных электронов -- ДБОЭ -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- метод просвечивающей электронной микроскопии -- фотолюминесценция -- ФЛ -- циркулярно-поляризованная фотолюминесценция -- магнитные поля -- векторы магнитных полей -- поляризация -- инжекция спина -- спиновая инжекция -- спиновая ориентация -- зеемановское расщепление -- радиационное время жизни носителей -- эффект Зеемана -- Зеемана эффект Аннотация: Методом молекулярно-пучковой эпитаксии выращены гетероструктуры с квантовыми точками типа II GaAs/GaSb. Исследована циркулярно-поляризованная фотолюминесценция образцов в магнитном поле до 4. 7 Тл, приложенном в геометрии Фарадея. Обнаружено, что в магнитном поле излучение квантовых точек имеет sigma-поляризацию, соответствующую проекции спина электрона на вектор магнитного поля +1/2. При увеличении интенсивности возбуждения степень поляризации излучения растет. Обнаруженный эффект объясняется инжекцией спина из матрицы GaSb, в которой спиновая ориентация возникает благодаря зеемановскому расщеплению зоны проводимости. Рост степени поляризации связан с уменьшением радиационного времени жизни носителей в квантовых точках типа II при увеличении уровня возбуждения. Доп.точки доступа: Терентьев, Я. В.; Торопов, А. А.; Мельцер, Б. Я.; Семенов, А. Н.; Соловьев, В. А.; Седова, И. В.; Усикова, А. А.; Иванов, С. В. |
Исследования оптических и структурных свойств короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN для активной области светоизлучающих диодов [Текст] / Н. В. Крыжановская [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 6. - С. 857-863. : ил. - Библиогр.: с. 862-863 (10 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): сверхрешетки -- короткопериодные сверхрешетки -- InGaN/GaN -- светоуизлучающие диоды -- оптические свойства -- подложки -- сапфировые подложки -- МОС-гидридная эпитаксия -- метод МОС-гидридной эпитаксии -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- метод просвечивающей электронной микроскопии Аннотация: Представлены результаты исследований структурных и оптических свойств короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN, синтезированных методом МОС-гидридной эпитаксии на сапфировых подложках. Для формирования сверхрешеток использовался метод периодического прерывания роста слоя InGaN с подачей водорода в реактор. Показано, что при использовании предложенного метода происходит формирование периодической структуры InGaN/GaN с развитыми интерфейсами и областями смыкания соседних слоев InGaN, не коррелированными в вертикальном направлении. Формирование таких областей приводит к сильной зависимости формы спектров излучения сверхрешеток от числа периодов в диапазоне 400-470 нм. Доп.точки доступа: Крыжановская, Н. В.; Лундин, В. В.; Николаев, А. Е.; Цацульников, А. Ф.; Сахаров, А. В.; Павлов, М. М.; Черкашин, Н. А.; Hytch, M. J.; Вальковский, Г. А.; Яговкина, М. А.; Усов, С. О. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Использование короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN в светодиодах синего диапазона [Текст] / В. С. Сизов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 7. - С. 955-961. : ил. - Библиогр.: с. 960-961 (9 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): сверхрешетки -- короткопериодные сверхрешетки -- КПСР -- InGaN/GaN -- светодиодные структуры -- светодиоды синего диапазона -- квантовые точки -- КТ -- квантовые ямы -- оптические свойства -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- фотолюминесценция -- ФЛ -- электролюминесценция Аннотация: Исследованы оптические и светодиодные диодные структуры с активной областью InGaN, содержащие короткопериодные сверхрешетки InGaN/GaN. Показано, что короткопериодные сверхрешетки представляют собой тонкие двумерные слои с относительно малым содержанием индия, содержащие в себе включения толщиной 1-3 нм с высоким содержанием индия. Включения проявляют себя с точки зрения оптических свойств как неоднородный массив квантовых точек, заключенный в остаточную квантовую яму. Применение короткопериодных сверхрешеток в светодиодных структурах позволяет уменьшить концентрацию безызлучательных центров, а также повысить инжекцию носителей в активной области за счет увеличения эффективной высоты барьера AlGaN, что в целом приводит к повышению квантовой эффективности светодиодов. Доп.точки доступа: Сизов, В. С.; Цацульников, А. Ф.; Сахаров, А. В.; Лундин, В. В.; Заварин, Е. Е.; Черкашин, Н. А.; Hytch, M. J.; Николаев, А. Е.; Минтаиров, А. М.; Yan He; Merz, J. L. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Антоненко, С. В. Исследование пленок YBaCuO на СТМ И ПЭМ [Текст] / С. В. Антоненко, С. М. Толкачева, А. А. Тимофеев // Нанотехника. - 2010. - N 2 (22). - С. 61-62. : 5 рис. - Библиогр.: c. 62 (3 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): кристаллиты -- корреляция -- сверхпроводящие магнитные системы -- датчики излучения -- болометры Аннотация: Доказано, что пленки имеют кристаллическое значение. Доп.точки доступа: Толкачева, С. М.; Тимофеев, А. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Туннельно-инжекционные структуры InGaAs с наномостиками: перенос возбуждения и кинетика люминесценции [Текст] / В. Г. Талалаев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1084-1092. : ил. - Библиогр.: с. 1091 (12 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): туннельно-инжекционные наноструктуры -- ТИНС -- квантовые ямы -- КЯ -- квантовые точки -- КТ -- оптическая микроскопия -- метод оптической микроскопии -- электронная микроскопия -- метод электронной микроскопии -- эмиттеры -- модель Вентцеля - Крамерса - Бриллюэна -- Вентцеля - Крамерса - Бриллюэна модель -- наномостики -- люминесценция -- кинетика люминесценции -- фотолюминесценция -- ФЛ -- туннелирование электрического тока -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- метод просвечивающей электронной микроскопии Аннотация: Методами оптической спектроскопии и электронной микроскопии исследованы туннельно-инжекционные наноструктуры, активная область которых состояла из верхнего слоя квантовой ямы In[0. 15]Ga[0. 85]As в качестве инжектора носителей и нижнего слоя квантовых точек In[0. 6]Ga[0. 4]As в качестве эмиттера света, разделенных слоем барьера GaAs. В зависимости времени туннелирования от толщины барьера обнаружены отклонения от полуклассической модели Вентцеля-Крамерса-Бриллюэна. Сокращение времени переноса до единиц пикосекунд при толщине барьера менее 6 нм объясняется формированием между вершинами квантовых точек и слоем квантовой ямы наномостиков InGaAs, в том числе с собственным дырочным состоянием. Учтено влияние наведенного туннелированием электрического поля на время переноса носителей в туннельно-инжекционной наноструктуре. Доп.точки доступа: Талалаев, В. Г.; Сеничев, А. В.; Новиков, Б. В.; Tomm, J. W.; Elsaesser, T.; Захаров, Н. Д.; Werner, P.; Gosele, U.; Самсоненко, Ю. Б.; Цырлин, Г. Э. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |