Тензор Нернста-Эттингсгаузена в монокристалле Sb[2]Te[3] [Текст] / С. А. Немов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 12. - С. 1629-1633 : ил. - Библиогр.: с. 1632 (6 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- Sb[2]Te[3] -- температурная зависимость -- тензор Нернста-Эттингсгаузена -- Нернста-Эттингсгаузена тензор -- эффект Нернста-Эттингсгаузена -- Нернста-Эттингсгаузена эффект -- анизотропия -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент -- R[ikl] -- коэффициент Зеебека -- Зеебека коэффициент -- S[ij] -- коэффициент электропроводности -- sigma[ii] -- рассеяние -- фононы -- акустические фононы -- ионы примесей -- температура -- время релаксации (физика) -- экспериментальные данные -- заряженные ионы -- валентные зоны -- тригональная ось -- заряженные ионы Аннотация: На одном монокристалле Sb[2]Te[3] в диапазоне температур 85-450 K измерены температурные зависимости всех трех независимых компонент тензора Нернста-Эттингсгаузена (Q[ikl]), все три компоненты отрицательны. Наряду с эффектом Нернста-Эттингсгаузена была исследована также анизотропия коэффициентов Холла (R[ikl]), Зеебека (S[ij]) и электропроводности (sigma[ii]). Выполненный анализ экспериментальных данных по эффектам Нернста-Эттингсгаузена и Зеебека свидетельствует о смешанном механизме рассеяния с участием акустических фононов и ионов примеси, причем относительные вклады этих механизмов изменяются с температурой. В приближении тензора времени релаксации определены значения эффективного параметра рассеяния (r). Полученные значения свидетельствуют о доминирующем рассеянии на акустических фононах в плоскости скола и существенном вкладе в рассеяние заряженных ионов вдоль тригональной оси c3. Показано, что основные особенности экспериментальных данных по эффекту Нернста-Эттингсгаузена можно объяснить в рамках двухзонной модели строения валентной зоны с участием в явлениях переноса нескольких групп дырок. Доп.точки доступа: Немов, С. А.; Тарантасов, Г. Л.; Прошин, В. И.; Житинская, М. К.; Иванова, Л. Д.; Гранаткина, Ю. В. |