Александров, И. А. Безызлучательная рекомбинация в квантовых точках GaN, сформированных в матрице AlN [Текст] / И. А. Александров, К. С. Журавлев, В. Г. Мансуров // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 797-803 : ил. - Библиогр.: с. 802-803 (24 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- КТ -- фотолюминесценция -- ФЛ -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- МЛЭ -- безызлучательные рекомбинации -- матрицы -- AlN -- GaN -- термические тушения Аннотация: Проведено исследование механизмов температурного тушения стационарной фотолюминесценции структур с гексагональными квантовыми точками GaN в матрице AlN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Исследовались структуры с различным размером квантовых точек, максимум полосы фотолюминесценции которых расположен в диапазоне от 2. 5 до 4 эВ. Обнаружено, что энергия активации термического тушения фотолюминесценции изменяется от 27 до 110 мэВ при уменьшении высоты квантовых точек от 5 до 2 нм. Предложена модель, согласно которой тушение фотолюминесценции происходит через уход носителей заряда с уровней энергии квантовых точек на уровни дефектов матрицы. Доп.точки доступа: Журавлев, К. С.; Мансуров, В. Г. |
Кристаллическое совершенство пленок GaP, выращенных методом молекулярной эпитаксии на подложках Si с использованием атомарного водорода [Текст] / М. А. Путято [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1275-1279 : ил. - Библиогр.: с. 1279 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): пленки -- эпитаксиальные пленки -- GaP -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- МЛЭ -- подложки -- Si -- дифракция быстрых электронов -- ДБЭ -- дислокация несоответствия -- ДН -- водород -- атомарный водород -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- рентгеновская дифрактометрия Аннотация: Методом помонослойной молекулярно-лучевой эпитаксии выращивались пленки GaP на подложках Si, отклоненных от плоскости (001) на 6° вокруг оси (011). Методами дифракции быстрых электронов, просвечивающей электронной микроскопии, а также с помощью рентгеновской дифрактометрии было показано, что введение атомарного водорода в процесс эпитаксии существенно улучшает общее структурное совершенство пленок GaP. Вплоть до толщин около 0. 1 мкм полуширина пика на рентгеновской кривой в рефлексе (004) от таких пленок практически совпадает с теоретической для бездефектных пленок, что свидетельствует об их состоянии, близком к псевдоморфному. Доп.точки доступа: Путято, М. А.; Болховитянов, Ю. Б.; Василенко, А. П.; Гутаковский, А. К. |
Супрун, С. П. Эпитаксия ZnSe на GaAs при использовании в качестве источника соединения ZnSe [Текст] / С. П. Супрун, В. Н. Шерстякова, Е. В. Федосенко // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1570-1575 : ил. - Библиогр.: с. 1575 (26 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- ZnSe/ GaAs -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- МЛЭ -- субмикронные слои -- ZnSe -- эпитаксия -- подложки -- люминесценция -- низкотемпературная люминесценция -- спектры люминесценции -- температура Аннотация: Исследованы особенности молекулярно-лучевой эпитаксии субмикронных слоев ZnSe на подложках GaAs (001) при использовании в качестве источника соединения ZnSe в зависимости от исходного состояния поверхности подложки и ее температуры. Показано, что после формирования гетерограницы "избыточный" Ga остается на поверхности растущей пленки, определяя при температуре выше 250oC скорость ее роста. Согласно измеренным спектрам низкотемпературной люминесценции, 240oC является оптимальной температурой получения слоев данным способом. Доп.точки доступа: Шерстякова, В. Н.; Федосенко, Е. В. |
Влияние различных химических обработок поверхности на высоту барьеров Al-p-SiGe, Au-n-SiGe [Текст] / И. Г. Атабаев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 631-635 : ил. - Библиогр.: с. 634-635 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- поверхностные состояния -- твердые растворы -- химическая обработка -- травление -- золото -- алюминий -- германий -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- вольт-фарадные характеристики -- ВФХ -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- МЛЭ -- Al-p-SiGe -- Au-n-SiGe Аннотация: Исследовано влияние различной химической обработки на свойства барьеров Шоттки Au-n-SiGe и Al-p-SiGe. Травление в различных режимах использовалось для формирования поверхности с различной плотностью поверхностных состояний (D[ss]). Показано, что высота барьеров исследованных структур коррелирует с плотностью поверхностных состояний D[ss] и содержанием германия в твердом растворе Si[1-x]Ge[x]. Доп.точки доступа: Атабаев, И. Г.; Матчанов, Н. А.; Хажиев, М. У.; Пак, В.; Салиев, Т. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Гасанов, Г. А. Получение пленок (PbX) [1-x] (Sm[2]X[3]) [x] (где X-S, Se, Te; x=0, 01-0, 04) на пористом кремнии [Текст] = Deriving of films (PbX) [1-x] (Sm[2]X[3]) [x] (where X-S, Se, Te; x=0, 01-0, 04) on porous silicon / Г. А. Гасанов // Альтернативная энергетика и экология. - 2010. - N 3 (83). - С. 14-21. : табл., граф., рис. - Библиогр.: с. 17 (5 назв. )
Рубрики: Физика Экспериментальные методы и аппаратура акустики Распространение звука Экспериментальные методы и аппаратура молекулярной физики Физика твердого тела. Кристаллография в целом Физика полупроводников и диэлектриков Химия Физико-химические методы анализа Электрохимия Кл.слова (ненормированные): метод акустической микроскопии -- аморфизированные поверхностные пленки -- пористый кремний -- метод термовакуумного осаждения -- метод ТВО -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- метод МЛЭ -- кристаллическое строение пленок Аннотация: О методах получения и исследования структуры пленок полупроводников (PbX) [1-x] (Sm[2]X[3]) [x] (где X-S, Se, Te; x=0, 01-0, 04). Подробно описан метод получения буферного пористого слоя. Структурное совершенство пленок анализировалось методами рентгеновской дифрактометрии и акустической микроскопии. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Гетероструктуры HgCdTe на подложках Si (310) для инфракрасных фотоприемников средневолнового спектрального диапазона [Текст] / М. В. Якушев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 396-402. : ил. - Библиогр.: с. 401-402 (19 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- HgCdTe -- подложки -- кремний -- Si (310) -- твердые растворы -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- МЛЭ -- фотоприемники -- ФП -- инфракрасные фотоприемники -- ИК ФП -- фоточувствительные элементы -- ФЧЭ -- дефекты структуры -- фотодиоды -- комнатная температура -- температура жидкого азота Аннотация: Представлены результаты исследований процессов роста твердых растворов HgCdTe на подложках из кремния диаметром до 100 мм методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Определены оптимальные условия получения гетероструктур HgCdTe/Si (310) приборного качества для спектрального диапазона 3-5 мкм. Представлены результаты измерений и обсуждение фотоэлектрических параметров инфракрасного фотоприемника форматом 320x 256 элементов с шагом 30 мкм на основе гибридной сборки матричного фоточувствительного элемента с кремниевым мультиплексором. Показана высокая стабильность параметров фотоприемника к термоциклированию от комнатной температуры до температуры жидкого азота. Доп.точки доступа: Якушев, М. В.; Брунев, Д. В.; Варавин, В. С.; Васильев, В. В.; Дворецкий, С. А.; Марчишин, И. В.; Предеин, А. В.; Сабинина, И. В.; Сидоров, Ю. Г.; Сорочкин, А. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Исследование адмиттанса МДП-структур на основе МЛЭ CdHgTe с квантовыми ямами [Текст] / С. М. Дзядух [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 7. - С. 50-56 : рис. - Библиогр.: c. 56 (11 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Полупроводниковые материалы и изделия Энергетика Кл.слова (ненормированные): CdHgTe -- МДП-структуры -- адмиттанс -- квантовые ямы -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- проводимость МДП-структур Аннотация: Приводятся результаты исследований полной проводимости МДП-структур на основе гетероэпитаксиального МЛЭ Hg_1-xCd_xTe с квантовыми ямами (КЯ) в диапазоне частот тестового сигнала 1 кГц - 2 МГц при температурах от 8 до 300 К. Толщины одиночных КЯ на основе HgTe составляли 5, 6 и 7, 1 нм, состав в барьерных слоях толщиной 35 нм 0, 65 и 0, 62 соответственно. Доп.точки доступа: Дзядух, С. М.; Войцеховский, А. В.; Несмелов, С. Н.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Горн, Д. И. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Дифференциальное сопротивление области пространственного заряда МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n-Hg_(1-x)Cd_xTe (x = 0.23) в широком диапазоне температур [Текст] / А. В. Войцеховский [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2014. - Т. 57, № 4. - С. 102-109 : рис. - Библиогр.: c. 108-109 (24 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Кабельные изделия Радиоэлектроника Фотоэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): HgCdTe -- МДП-структуры -- дифференциальное сопротивление -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- область пространственного заряда -- полная проводимость -- проводимость МДП-структур Аннотация: Полная проводимость МДП-структур на основе гетероэпитаксиального n-Hg[1-x]Cd[x]Te (x = 0. 23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, исследована в диапазоне температур 8-150 К при частотах переменного тестового сигнала 2 кГц - 2 МГц. Установлено, что дифференциальное сопротивление области пространственного заряда для структур с приповерхностным варизонным слоем с повышенным содержанием CdTe значительно увеличивается при снижении температуры от 77 до 8 К, а для структур без варизонного слоя изменения дифференциального сопротивления области пространственного заряда немонотонны и относительно невелики. Полученные результаты можно объяснить тем, что дифференциальное сопротивление области пространственного заряда для структуры без варизонного слоя ограничено при 8-77 К процессами туннелирования через глубокие уровни, а для структур с варизонным слоем - процессами генерации Шокли - Рида. Доп.точки доступа: Войцеховский, А. В.; Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М.; Васильев, В. В.; Варавин, В. С.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Кузьмин, В. Д.; Ремесник, В. Г. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Войцеховский, А. В. Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-Hg_(1-х) Cd_х Te(x = 0.22-0.23) в режиме сильной инверсии [Текст] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // Известия вузов. Физика. - 2014. - Т. 57, № 8. - С. 59-69 : рис., табл. - Библиогр.: c. 68-69 (27 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): HgCdTe -- МДП-структура -- адмиттанс -- варизонный слой -- время релаксации -- инверсионная емкость -- инфракрасные детекторы -- кадмий-ртуть-теллур -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- полевая зависимость -- сопротивление области пространственного заряда -- температурная зависимость -- фотопроводящие детекторы Аннотация: Исследован адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МЛЭ (молекулярно-лучевая эпитаксия) p-Hg_ (1-х) Cd_х Te (x = 0. 22-0. 23) в режиме сильной инверсии при температурах 8-140 К. Из измерений адмиттанса определены зависимости величин основных элементов эквивалентной схемы в сильной инверсии от температуры и напряжения смещения. Показано, что для МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-Hg_ (1-х) Cd_х Te (x = 0. 22-0. 23), легированного As до концентрации 10 Доп.точки доступа: Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Войцеховский, А. В. Гистерезисные явления в МДП-структурах на основе варизонного МЛЭ HgCdTe с двухслойным плазмохимическим диэлектриком SiO_2/Si_3N_4 [Текст] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // Известия вузов. Физика. - 2015. - Т. 58, № 4. - С. 97-106 : рис., табл. - Библиогр.: c. 106 (25 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): HgCdTe -- МДП-структура -- варизонный слой -- вольт-фарадная характеристика -- гистерезис вольт-фарадная характеристика -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- примесно-дефектные центры -- слои границы раздела диэлектрик - полупроводник -- структуры металл - диэлектрик - полупроводник Аннотация: Проведены исследования вольт-фарадных характеристик (ВФХ) МДП-структур на основе варизонного МЛЭ Hg_1- xCd_xTe (x = 0. 22-0. 23) с двухслойным плазмохимическим диэлектриком SiO_2/Si_3N_4 при изменении направления развертки напряжения. Выявлены особенности ВФХ при прямой и обратной развертке напряжения для МДП-структур на основе n-HgCdTe и p-HgCdTe. Полученные результаты свидетельствуют о важной роли в гистерезисных явлениях захвата электронов на состояния переходного слоя между полупроводником HgCdTe и диэлектриком SiO_2. Установлено, что при нанесении диэлектрика вблизи границы раздела образуются примесно-дефектные центры донорного типа, плотность состояний которых в переходном слое составляет (0. 6-2. 1) ·10 Доп.точки доступа: Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Войцеховский, А. В. Температурные и полевые зависимости параметров элементов эквивалентной схемы МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg[0.775]Cd[0.225]Te в режиме сильной инверсии [Текст] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // Известия вузов. Физика. - 2016. - Т. 59, № 7. - С. 8-18 : рис., табл. - Библиогр.: c. 18 (30 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): HgCdTe -- МДП-структура -- варизонный слой -- вольт-фарадная характеристика -- емкость диелектрика -- емкость инверсионного слоя -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- определение концентрации примеси -- поверхность полупроводников -- сопротивление области пространственного заряда -- элементы эквивалентной схемы Аннотация: Предложена методика для определения параметров элементов эквивалентной схемы в сильной инверсии из результатов измерения адмиттанса МДП-структур на основе n-Hg[0. 775]Cd[0. 225], выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Показано, что вольт-фарадные характеристики МДП-структур на основе n-Hg[0. 775]Cd[0. 225] с приповерхностным варизонным слоем при 77 К и частотах, превышающих 10 кГц, имеют высокочастотный вид относительно времени перезарядки поверхностных состояний, расположенных вблизи уровня Ферми для собственного полупроводника. Установлено, что концентрация электронов в приповерхностном варизонном слое превышает интегральную концентрацию, найденную методом Холла, более чем в 2 раза. При помощи предложенной методики для МДП-структуры на основе n-Hg[0. 775]Cd[0. 225] без варизонного слоя определены температурные зависимости емкости диэлектрика, емкости и дифференциального сопротивления области пространственного заряда, емкости инверсионного слоя. Проведен расчет температурных и полевых зависимостей параметров элементов эквивалентной схемы в сильной инверсии, причем результаты расчета качественно согласуются с результатами, полученными из измерений адмиттанса. Доп.точки доступа: Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Концентрация электронов в приповерхностном варизонном слое МЛЭ [n-]Hg[1-x]Cd[x]Te (x=0.22-0.40), определенная из емкостных измерений МДП-структур [Текст] / А. В. Войцеховский [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 1. - С. 109-118 : рис., табл. - Библиогр.: c. 117-118 (29 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): МДП-структура -- варизонный слой -- вольт-фарадная характеристика -- высокочастотность -- дефекты донорного типа -- инфракрасные детокторы -- концентрация электронов -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- узкозонный полупроводниковый трердый раствор -- электрофизика Аннотация: В диапазоне температур 9-77 К экспериментально исследованы вольт-фарадные характеристики (ВФХ) МДП-структур на основе варизонного [n-]Hg[1-x]Cd[x]Te (x=0. 22-0. 40), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. По значению емкости в минимуме ВФХ определены концентрации основных носителей заряда в приповерхностном слое полупроводника вследствие высокочастотного вида емкостных характеристик структур с варизонным слоем относительно времени перезарядки поверхностных состояний. Концентрация электронов в приповерхностном слое варизонного [n-]Hg[1-x]Cd[x]Te при x = 0. 22-0. 23 в рабочем слое, найденная по значению емкости в минимуме, значительно превышает интегральную концентрацию электронов, определенную методом Холла. При увеличении состава в рабочем слое до x = 0. 30-0. 40 различие значений концентраций электронов существенно уменьшается при близких составах вблизи поверхности. Полученные результаты объясняются возникновением дополнительных собственных дефектов донорного типа в приповерхностном варизонном слое, причем этот эффект наиболее ярко проявляется при больших градиентах состава в варизонном слое. Результаты обработки экспериментальных ВФХ качественно согласуются с результатами исследования методом Холла распределения по толщине пленки концентрации электронов. Доп.точки доступа: Войцеховский, А. В.; Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М.; Григорьев, Д. В.; Ляпунов, Д. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Дефекты в имплантированных мышьяком р{+}-n- и n{+}-p-структурах на основе пленок CdHgTe, выращенных МЛЭ [Текст] / И. И. Ижнин [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 10. - С. 92-97. - Библиогр.: c. 97 (11 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): CdHgTe -- активационный отжиг -- имплантированные ионы -- ионная имплантация -- ионная имплантация As -- ионы мышьяка -- радиационные дефекты -- радиационные донорные дефекты -- эпитаксиальные структуры Аннотация: Проведены комплексные исследования дефектной структуры имплантированных ионами мышьяка (с энергией 190 кэВ) пленок Cd[x]Hg[1- x]Te (x = 0. 22), выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией. Исследования проводились с использованием масс-спектроскопии вторичных ионов, просвечивающей электронной микроскопии, изучения оптического отражения в видимой области спектра и путем измерений электрофизических параметров. Радиационные донорные дефекты изучены в полученных имплантацией n{+}-p - и n{+}-n-структурах, сформированных соответственно на базе материала р-типа и n-типа без активационного отжига. Показано, что в слое распределения имплантированных ионов формируется область крупных протяженных дефектов с малой плотностью (в приповерхностной области), за которой следует область более мелких протяженных дефектов с большей плотностью. Выявлен различный характер накопления электрически активных донорных дефектов в пленках с защитным варизонным поверхностным слоем и без него. Продемонстрировано формирование p{+}-n-структур на базе материала n -типа при активации мышьяка в процессе постимплантационного термического отжига со 100 %-й активацией примеси и полной аннигиляцией радиационных донорных дефектов. Доп.точки доступа: Ижнин, И. И.; Фицыч, Е. И.; Войцеховский, А. В.; Коротаев, А. Г.; Мынбаев, К. Д.; Варавин, В. С.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Якушев, М. В.; Бончик, А. Ю.; Савицкий, Г. В.; Свёнтек, З. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |