Микроструктура и деформации молекулярно-пучковых эпитаксиальных слоев ZnO на сапфире [Текст] / В. В. Ратников [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 265-269 : ил. - Библиогр.: с. 268 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): эпитаксиальные слои -- ЭС -- двойные буферные слои -- ДБС -- деформации -- сапфир -- ZnO -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- рентгеновская дифрактометрия -- дифракции -- дифракционные пики -- геометрия Брегга -- Брегга геометрия -- геометрия Лауэ -- Лауэ геометрия -- мод-сканирование -- коэффициент температурного расширения -- КТР -- дислокации Аннотация: Деформация и кристаллическое совершенство эпитаксиальных слоев ZnO на сапфире, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии, изучались с помощью высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии. Деформационное состояние определялось по измерениям макроизгиба образцов. Структурное совершенство слоев анализировалось на основе измерения дифракции в геометриях Брегга и Лауэ с использованием theta- и (theta-2theta) -мод сканирования. Найдено, что полученные слои (Zn/O > 1) испытывают биаксиальные растягивающие напряжения, в то время как для Zn/O <1 напряжения отсутствуют. Из уширения дифракционных пиков рассчитывается плотность дислокаций различного типа и геометрии залегания. Доп.точки доступа: Ратников, В. В.; Кютт, Р. Н.; Иванов, С. В.; Щеглов, М. П.; Baar, A. |