Транспорт электронов в квантовой яме GaAs в сильных электрических полях [Текст] / Ю. Пожела [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1217-1221 : ил. - Библиогр.: с. 1220-1221 (32 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- КЯ -- GaAs -- электроны -- рассеяние -- рассеяние электронов -- электрические поля -- сильные электрические поля -- метод Монте-Карло -- Монте-Карло метод -- дрейфовая скорость -- фононы -- оптические фононы Аннотация: Определены скорости внутри- и межподзонного рассеяния электронов на полярных оптических и междолинных фононах в зависимости от энергии электрона и ширины глубокой прямоугольной квантовой мы GaAs. Методом Монте-Карло вычислены полевые зависимости дрейфовой скорости электронов в квантовых ямах шириной 10, 20 и 30 нм. Показано, что дрейфовая скорость в сильных электрических полях в квантовой яме значительно превышает максимальную дрейфовую скорость насыщения в объемном материале. Доп.точки доступа: Пожела, Ю.; Пожела, К.; Рагуотис, Р.; Юцене, В. |
Комплексная диагностика гетероструктур с квантово-размерными слоями [Текст] / С. Г. Конников [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1280-1287 : ил. - Библиогр.: с. 1287 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): кванто-размерные слои -- гетероструктуры -- катодолюминесценция -- КЛ -- катодолюминесцентные исследования -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- рентгеновская дифракция -- РД -- рентгеноспектральный микроанализ -- РСМА -- квантовые ямы -- КЯ -- рентгенодифракционные исследования -- комплексная диагностика Аннотация: Возможности комплексной диагностики сложных квантово-размерных гетероструктур на основе соединений A{III}B{V}, используемых для создания мощных лазеров, продемонстрированы на примере структур с квантовой ямой GalnP/GaAs/AlGaAs, выращенных эпитаксией из металлорганической газовой фазы. Исследования спектров катололюминесценции позволили оценить состав барьерных слоев, подтвердить существование квантовой ямы и обнаружить аномалии в их излучении, связанные с изменением состава. При изучении структур в просвечивающем электронном микроскопе были определены толщина барьерных слоев, ширина и состав квантовой ямы, а также обнаружены переходные слои вблизи интерфейсов. Точное определение состава барьерных слоев было выполнено методом рентгеноспектрального микроанализа. Полученные величины параметров использовались при интерпретации данных рентгеновской дифракции, которые подтвердили существование переходных областей и обнаружили градиенты состава и частичную релаксацию в основной части слоев. Результатом проведенных комплексных исследований явились взаимосогласованные и обоснованные данные о составе и толщине слоев, а также данные о качестве интерфейсов, частичной релаксации слоев, существовании переходных слоев и градиентов состава. Доп.точки доступа: Конников, С. Г.; Гуткин, А. А.; Заморянская, М. В.; Попова, Т. Б.; Ситникова, А. А.; Шахмин, А. А.; Яговкина, М. А. |
Сверхпроводящие свойства кремниевых наноструктур [Текст] / Н. Т. Баграев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1481-1495 : ил. - Библиогр.: с. 1494 (53 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): наноструктуры -- кремниевые наноструктуры -- сандвич-наноструктуры -- квантовые ямы -- КЯ -- кремниевые квантовые ямы -- delta-барьеры -- бор -- сопротивления -- удельные сопротивления -- термоэдс -- теплоемкость -- статическая магнитная восприимчивость -- циклотронный резонанс -- ЦР -- самоупорядоченная кремниевая квантовая яма -- СККЯ -- сканирующая туннельная микроскопия -- СТМ -- корреляционная энергия -- отрицательная корреляционная энергия -- акцепторы бора -- дырочные биполяроны -- высокотемпературная сверхпроводимость -- наноструктурированные delta-барьеры -- локальная туннельная спектроскопия -- ЛТС -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- оптические свойства -- электрические свойства -- сверхпроводящие свойства -- температурная зависимость -- полевая зависимость -- осцилляция -- квантование -- критическая температура -- вторичная ионная масс-спектроскопия -- ВИМС -- электронный парамагнитный резонанс -- ЭПР -- сверхтоки Аннотация: Сверхпроводящие свойства кремниевых сандвич-наноструктур на поверхности Si (100) n-типа, которые представляют собой сверхузкие кремниевые квантовые ямы p-типа, ограниченные delta-барьерами, сильно легированными бором, проявляются в измерениях температурных и полевых зависимостей удельного сопротивления, термоэдс, теплоемкости и статической магнитной восприимчивости. Данные исследований циклотронного резонанса, сканирующей туннельной микроскопии и ЭПР идентифицируют наличие в наноструктурированных delta-барьерах одиночных тригональных дипольных центров бора, B{+}-B{-}, с отрицательной корреляционной энергией, которые сформированы вследствие реконструкции мелких акцепторов бора, 2B{0}- B{+}+B{-}. Полученные результаты свидетельствуют о том, что эти центры с отрицательной корреляционной энергией ответственны за перенос дырочных биполяронов малого радиуса, который, по-видимому, лежит в основе механизма высокотемпературной сверхпроводимости TC=145 K. Причем значение величины сверхпроводящей щели, 0. 044 эВ, определенное с помощью измерений критической температуры при использовании вышеуказанных методик, практически идентично данным локальной туннельной спектроскопии и прямой регистрации туннельных ВАХ. Квантование характеристик сверхпроводимости кремниевых сандвич-наноструктур проявляется в температурных и полевых зависимостях теплоемкости и статической магнитной восприимчивости, которые демонстрируют осцилляции второго критического поля и критической температуры, возникающие вследствие квантования сверхтока. Доп.точки доступа: Баграев, Н. Т.; Клячкин, Л. Е.; Кудрявцев, А. А.; Маляренко, А. М.; Романов, В. В. |
Квантование сверхтока и андреевское отражение в кремниевых наноструктурах [Текст] / Н. Т. Баграев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1496-1506 : ил. - Библиогр.: с. 1505-1506 (38 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): наноструктуры -- кремниевые наноструктуры -- сандвич-наноструктуры -- квантовые ямы -- КЯ -- кремниевые квантовые ямы -- delta-барьеры -- самоупорядоченная кремниевая квантовая яма -- СККЯ -- туннельная спектроскопия -- корреляция -- туннелирование -- эффект Джозефсона -- Джозефсона эффект -- андреевское отражение -- сверхпроводящие delta-барьеры -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- когерентное туннелирование -- осцилляция -- квантование -- сверхтоки -- сверхпроводящий эффект близости -- сверхпроводник-СККЯ-сверхпроводник Аннотация: Туннельная спектроскопия используется для изучения транспорта дырок в сандвич-наноструктуре типа сверхпроводник-сверхузкая самоупорядоченная кремниевая квантовая яма (СККЯ) p-типа - сверхпроводник на поверхности Si (100) n-типа, в которой ширина квантовой ямы меньше длины когерентности и фермиевской длины волны. Туннельные ВАХ высокого разрешения демонстрируют квантование сверхтока, характеристики которого определяются позициями уровней размерного квантования дырок в СККЯ. Причем корреляция в туннелировании одиночных дырок и куперовских пар проявляется в идентичности осцилляций ВАХ сверхтока при T Доп.точки доступа: Баграев, Н. Т.; Клячкин, Л. Е.; Кудрявцев, А. А.; Маляренко, А. М.; Оганесян, Г. А.; Полоскин, Д. С. |
Влияние электрического поля на интенсивность и спектр излучения квантовых ям InGaN/GaN [Текст] / Н. И. Бочкарева [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1541-1548 : ил. - Библиогр.: с. 1547-1548 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- КЯ -- InGaN/GaN -- спектры излучений -- электрические поля -- фотолюминесценция -- ФЛ -- электролюминесценция -- p-n переходы -- напряжение -- прямое напряжение -- туннелирование -- квантовый выход -- фототоки -- инжекция -- электрическая инжекция -- оптическая инжекция -- квантовая эффективность Аннотация: Проведены сравнительные исследования фотолюминесценции из квантовых ям при приложении прямого напряжения и электролюминесценции в структурах p-GaN/InGaN/n-GaN. Показано, что при приложении прямого напряжения наблюдается характерный красный сдвиг пика спектра, а также уширение линии фотолюминесценции и одновременное возгорание фотолюминесценции, связанные с уменьшением поля в области объемного заряда p-n-перехода и подавлением туннельной утечки носителей заряда из хвостов плотности состояний активного слоя InGaN. Анализ полученных результатов показал существенное влияние туннелирования на квантовый выход и позволил оценить внутреннюю квантовую эффективность структур. Показано, что неравновесное заполнение хвостов плотности состояний квантовых ям InGaN/GaN зависит от способа инжекции и контролируется захватом носителей, инжектированных в квантовую яму, при оптической инжекции и туннелированием носителей "под" квантовой ямой при электрической инжекции. Доп.точки доступа: Бочкарева, Н. И.; Богатов, А. Л.; Горбунов, Р. И.; Латышев, Ф. Е.; Зубрилов, А. С.; Цюк, А. И.; Клочков, А. В.; Леликов, Ю. С.; Ребане, Ю. Т.; Шретер, Ю. Г. |
Взаимодействие электронов с локализованными в квантовой яме оптическими фононами [Текст] / Ю. Пожела [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 12. - С. 1634-1640 : ил. - Библиогр.: с. 1639 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- КЯ -- рассеяние электронов -- скорость рассеяния электронов -- СР электронов -- полярные оптические фононы -- ПО фононы -- фононные ямы -- ФЯ -- интерфейсные фононы -- ИФ -- электрон-фононное взаимодействие -- гетероструктуры -- In[x]Al[1-x]As -- In[y]Ga[1-y]As -- электрические поля -- сильные электрические поля -- насыщение электронов -- скорость насыщения Аннотация: Рассматривается скорость рассеяния электронов в квантовой яме на локализованных полярных оптических и интерфейсных фононах. Определена зависимость силы электрон-фононного взаимодействия от частоты оптических фононов в материалах гетероструктуры, образующих электронную и фононные квантовые ямы. Показано, что путем изменения состава полупроводников, образующих квантовую яму и ее барьеры, можно изменять скорости рассеяния электронов на оптических фононах в несколько раз. Вычислены скорости рассеяния электронов на полярных оптических фононах в зависимости от долей In[x] и In[y] в составе полупроводников, образующих квантовые ямы In[x]Al[1-x]As/In[y]Ga[1-y]As. Экспериментально определены зависимости подвижности и дрейфовой скорости насыщения электронов в сильных электрических полях в квантовых ямах In[y]Ga[1-y]As от состава введенных в квантовые ямы In[x]Al[1-x]As-барьеров. Подвижность электронов растет, а дрейфовая скорость насыщения уменьшается с увеличением доли In[x] в составе барьеров. Доп.точки доступа: Пожела, Ю.; Пожела, К.; Юцене, В.; Сужеделис, А.; Школьник, А. С.; Михрин, С. С.; Михрин, В. С. |
Остаточная фотопроводимость в гетероструктурах InAs/AlSb с двойными квантовыми ямами [Текст] / В. И. Гавриленко [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 642-648 : ил. - Библиогр.: с. 648 (18 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- InAs/AlSb -- остаточная фотопроводимость -- ОФП -- квантовые ямы -- КЯ -- фотопроводимость -- двойные квантовые ямы -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- Шубникова - де-Гааза осцилляции -- электроны -- длина волны -- электрические поля -- ионизованные доноры -- осцилляции Шубникова - де-Гааза Аннотация: Исследованы эффекты остаточной фотопроводимости в гетероструктурах InAs/AlSb с покрывающим слоем GaSb с двумерным электронным газом в двойных квантовых ямах InAs при T=4. 2 K. Из фурье-анализа осцилляций Шубникова-де-Гааза определены концентрации электронов в каждой из квантовых ям при различных длинах волн подсветки и прямым образом продемонстрирована сильная несимметричность структуры, вызванная встроенным электрическим полем. Выполнены самосогласованные расчеты энергетического профиля двойной квантовой ямы и определены значения концентраций ионизованных доноров с обеих сторон от ям, что позволило конкретизировать предложенный ранее механизм биполярной остаточной фотопроводимости в таких структурах. Доп.точки доступа: Гавриленко, В. И.; Иконников, А. В.; Криштопенко, С. С.; Ластовкин, А. А.; Маремьянин, К. В.; Садофьев, Ю. Г.; Спирин, К. Е. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Монолитный белый светодиод с активной областью на основе квантовых ям InGaN, разделенных короткопериодными InGaN/GaN-сверхрешетками [Текст] / А. Ф. Цацульников [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 6. - С. 837-840. : ил. - Библиогр.: с. 840 (6 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- КЯ -- светодиоды -- монолитные светодиоды -- InGaN -- сверхрешетки -- барьерные слои -- оптические свойства Аннотация: Описан новый подход к созданию эффективных монолитных источников белого света, основанный на использовании в активной области светодиодных структур короткопериодной InGaN/GaN-сверхрешетки в качестве барьерного слоя между квантовыми ямами InGaN, излучающими в синей и желто-зеленой областях спектра. Исследованы оптические свойства таких структур и показано, что использование такой сверхрешетки позволяет реализовать эффективное излучение из активной области. Доп.точки доступа: Цацульников, А. Ф.; Лундин, В. В.; Сахаров, А. В.; Заварин, Е. Е.; Усов, С. О.; Николаев, А. Е.; Крыжановская, Н. В.; Синицын, М. А.; Сизов, В. С.; Закгейм, А. Л.; Мизеров, М. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Исследование дефектов в гетероструктурах с квантовыми ямами GaPAsN и GaPN в матрице GaP [Текст] / О. И. Румянцев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 7. - С. 923-927. : ил. - Библиогр.: с. 927 (12 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- КЯ -- GaPAsN -- GaPN -- гетероструктуры -- дефекты -- вольт-емкостные измерения -- металлоорганическая газофазная эпитаксия -- метод металлоорганической газофазной эпитаксии -- нестационарная спектроскопия глубоких уровней -- НСГУ -- подложки -- кристаллические решетки -- твердые растворы Аннотация: Методами вольт-емкостного профилирования, емкостной и токовой нестационарной спектроскопии глубоких уровней проведены исследования гетероструктур с квантовыми ямами GaP/GaP[1-x]N[x] и GaP/GaP[1-x-y]As[x]N[y], выращенных методом металлорганической газофазной эпитаксии. В гетероструктурах с квантовыми ямами GaP/GaP[1-x]N[x] обнаружены собственные дефекты с глубокими уровнями 0. 17 и 0. 08 эВ. Показано, что значительное уменьшение концентрации этих дефектов происходит при замене тройного твердого раствора GaP[1-x]N[x], формирующего область квантовой ямы, на четверной раствор GaP[1-x-y]As[x]N[y]. Обсуждается природа возникающих дефектов и механизмы уменьшения их концентрации. Доп.точки доступа: Румянцев, О. И.; Брунков, П. Н.; Пирогов, Е. В.; Егоров, А. Ю. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Транспорт электронов в квантовой яме In[0. 52]Al[0. 48]As/In[0. 53]Ga[0. 47]As/In[0. 52]Al[0. 48]As с delta-легированным Si барьером в сильных электрических полях [Текст] / И. С. Васильевский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 7. - С. 928-933. : ил. - Библиогр.: с. 933 (17 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- КЯ -- электроны -- сильные электрические поля -- легирование Si -- тонкие барьеры -- полярные оптические фононы -- ПО фононы -- интерфейсные фононы -- ИФ -- электронная проводимость -- дрейфовая скорость электронов -- двумерные каналы Аннотация: Исследована электронная проводимость двумерного канала квантовой ямы In[0. 52]Al[0. 48]As/In[0. 53]Ga[0. 47]As/In[0. 52]Al[0. 48]As с delta-легированным Si барьером. Показано, что введение в квантовую яму тонких барьеров InAs снижает скорость рассеяния электронов на захваченных полярных оптических и поверхностных (интерфейсных) фононах и повышает подвижность электронов. Экспериментально установлено, что за насыщение тока проводимости в канале In[0. 53]Ga[0. 47]As в сильных электрических полях ответственны не только сублинейная зависимость дрейфовой скорости электронов от электрического поля, но и изменение концентрации электронов n[s] с ростом приложенного к каналу напряжения. Эффект зависимости ns от приложенного к каналу напряжения обусловлен наличием параллельного квантовой яме In[0. 53]Ga[0. 47]As слоя зарядов ионизованных доноров в области delta-легированного Si барьера In[0. 52]Al[0. 48]As. Доп.точки доступа: Васильевский, И. С.; Галиев, Г. Б.; Матвеев, Ю. А.; Климов, Е. А.; Пожела, Ю.; Пожела, К.; Сужеделис, А.; Пашкевич, Ч.; Юцене, В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Выращивание молекулярно-пучковой эпитаксией и характеризация квантовых каскадных лазеров на длину волны 5 мкм [Текст] / В. В. Мамутин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 7. - С. 995-1001. : ил. - Библиогр.: с. 1001 (12 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- квантовые каскадные лазеры -- ККЛ -- квантовые ямы -- КЯ -- длина волны -- сверхрешетки -- инжекция -- вертикальные переходы -- лазеры -- активные области -- время жизни -- излучение -- генерация -- температура Аннотация: Продемонстрированы квантовые каскадные лазеры, полученные молекулярно-пучковой эпитаксией, излучающие на длине волны 5. 0 мкм при 77 K и 5. 2 мкм при 300 K, основанные на четырехъямной схеме активной области с вертикальными переходами и с напряженно-компенсированными сверхрешетками с высокой эффективностью инжекции и коротким временем жизни основного состояния. Типичные пороги генерации при 300 K были в пределах 4-10 кА/см{2}. Максимальная мощность излучения достигала ~1 Вт, максимальная температура генерации ~450 K, максимальная характеристическая температура составляла T0~ 200 K. Использование модифицированного процесса постростовой обработки позволяло воспроизводимо получать высококачественные приборы. Доп.точки доступа: Мамутин, В. В.; Устинов, В. М.; Boetthcher, J.; Kuenzel, H. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Туннельно-инжекционные структуры InGaAs с наномостиками: перенос возбуждения и кинетика люминесценции [Текст] / В. Г. Талалаев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1084-1092. : ил. - Библиогр.: с. 1091 (12 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): туннельно-инжекционные наноструктуры -- ТИНС -- квантовые ямы -- КЯ -- квантовые точки -- КТ -- оптическая микроскопия -- метод оптической микроскопии -- электронная микроскопия -- метод электронной микроскопии -- эмиттеры -- модель Вентцеля - Крамерса - Бриллюэна -- Вентцеля - Крамерса - Бриллюэна модель -- наномостики -- люминесценция -- кинетика люминесценции -- фотолюминесценция -- ФЛ -- туннелирование электрического тока -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- метод просвечивающей электронной микроскопии Аннотация: Методами оптической спектроскопии и электронной микроскопии исследованы туннельно-инжекционные наноструктуры, активная область которых состояла из верхнего слоя квантовой ямы In[0. 15]Ga[0. 85]As в качестве инжектора носителей и нижнего слоя квантовых точек In[0. 6]Ga[0. 4]As в качестве эмиттера света, разделенных слоем барьера GaAs. В зависимости времени туннелирования от толщины барьера обнаружены отклонения от полуклассической модели Вентцеля-Крамерса-Бриллюэна. Сокращение времени переноса до единиц пикосекунд при толщине барьера менее 6 нм объясняется формированием между вершинами квантовых точек и слоем квантовой ямы наномостиков InGaAs, в том числе с собственным дырочным состоянием. Учтено влияние наведенного туннелированием электрического поля на время переноса носителей в туннельно-инжекционной наноструктуре. Доп.точки доступа: Талалаев, В. Г.; Сеничев, А. В.; Новиков, Б. В.; Tomm, J. W.; Elsaesser, T.; Захаров, Н. Д.; Werner, P.; Gosele, U.; Самсоненко, Ю. Б.; Цырлин, Г. Э. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Исследование механизмов фото- и электролюминесценции в квантово-размерных гетероструктурах InSb/InAs [Текст] / Я. В. Терентьев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1098-1103. : ил. - Библиогр.: с. 1103 (9 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- InSb/InAs -- фотолюминесценция -- ФЛ -- электролюминесценция -- ЭЛ -- кваново-размерные гетероструктуры -- квантовые ямы -- КЯ -- квантовые точки -- КТ -- монослои -- МС -- сверхрешетки -- СР -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- излучательная рекомбинация -- акцепторные примесные центры -- комнатная температура -- светоизлучающие приборы Аннотация: Проведено систематическое исследование фото- и электролюминесценции в гетероструктурах InSb/InAs со сверхтонкими вставками InSb, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Измерения выполнены в диапазоне температур от 2 до 300 K на большой выборке образцов различной конструкции и с различными способами выращивания как матрицы InAs, так и ультратонких вставок InSb. Главная цель работы заключалась в идентификации основных каналов излучательной рекомбинации в этих гетероструктурах. Показано, что оптические переходы, связанные с акцепторными примесными центрами в матрице InAs, являются важным механизмом, снижающим эффективность люминесценции вставок InSb при комнатной температуре. Полученные результаты имеют важное значение для выработки оптимальных режимов роста и дизайна активной области светоизлучающих приборов на основе квантово-размерных гетероструктур InSb/InAs, излучающих в диапазоне 3-5 мкм. Доп.точки доступа: Терентьев, Я. В.; Мухин, М. С.; Соловьев, В. А.; Семенов, А. Н.; Мельцер, Б. Я.; Усикова, А. А.; Иванов, С. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Излучение и фотопроводимость в квантовых ямах GaAs/AlGaAs n-типа в терагерцовой области спектра: роль резонансных состояний [Текст] / Д. А. Фирсов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1443-1446. : ил. - Библиогр.: с. 1445-1446 (7 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): резонансные состояния -- квантовые ямы -- КЯ -- терагерцовое излучение -- спектры терагерцового излучения -- фотопроводимость -- излучение -- электрические поля -- примесные состояния -- энергетические спектры -- квантование -- оптические переходы -- электроны -- GaAs/AlGaAs Аннотация: В структурах с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs исследованы спектры эмиссии терагерцового излучения в продольном электрическом поле и спектры латеральной фотопроводимости при облучении терагерцовым излучением. Показано, что в спектрах присутствуют особенности, вызванные переходами электронов с участием резонансных состояний примеси, связанных со второй подзоной размерного квантования. Проведенные расчеты энергетического спектра примесных состояний и матричных элементов оптических переходов с учетом различных положений примеси относительно центра квантовой ямы подтверждают сделанные предположения. Доп.точки доступа: Фирсов, Д. А.; Шалыгин, В. А.; Паневин, В. Ю.; Мелентьев, Г. А.; Софронов, А. Н.; Воробьев, Л. Е.; Андрианов, А. В.; Захарьин, А. О.; Михрин, В. С.; Васильев, А. П.; Жуков, А. Е.; Гавриленко, Л. В.; Гавриленко, В. И.; Антонов, А. В.; Алешин, В. Я. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Разогрев носителей заряда в квантовых ямах при оптической и токовой инжекции электронно-дырочных пар [Текст] / Л. Е. Воробьев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1451-1454. : ил. - Библиогр.: с. 1454 (4 назв. )
Рубрики: Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- КЯ -- GaAs/AlGaAs -- фотолюминесценция -- ФЛ -- носители заряда -- электронная температура -- оптическая накачка -- токовая инжекция -- инжекция -- электронно-дырочные пары -- электрические поля -- спектры фотолюминесценции -- излучение -- спонтанное излучение Аннотация: Исследован разогрев носителей заряда в квантовых ямах GaAs/AlGaAs при оптической межзонной накачке в режиме спонтанного излучения. Определена электронная температура как функция интенсивности накачки. Исследовано влияние электрического поля на спектр фотолюминесценции. По спектрам электролюминесценции определено изменение концентрации носителей заряда с током накачки в режимах спонтанного и стимулированного излучения в квантовых ямах InGaAsSb/InAlGaAsSb. Проведены оценки увеличения температуры горячих носителей заряда, вызывающего рост концентрации с током накачки. Доп.точки доступа: Воробьев, Л. Е.; Винниченко, М. Я.; Фирсов, Д. А.; Зерова, В. Л.; Паневин, В. Ю.; Софронов, А. Н.; Тхумронгсилапа, П.; Устинов, В. М.; Жуков, А. Е.; Васильев, А. П.; Shterengas, L.; Kipshidze, G.; Hosoda, T.; Belenky, G. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Управление длиной волны излучения квантовых ям InGaAs/GaAs и лазерных структур на их основе с помощью протонного облучения [Текст] / С. А. Ахлестина [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1494-1497. : ил. - Библиогр.: с. 1497 (8 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- InGaAs/GaAs -- квантовые ямы -- КЯ -- лазерные структуры -- длина волны -- протонное облучение -- облучение протонами -- термический отжиг -- температура отжига -- лазерное излучение -- имплантация ионов -- границы раздела -- ионы Аннотация: Исследованы особенности управления длиной волны излучения лазерных гетероструктур с напряженными квантовыми ямами InGaAs/GaAs посредством облучения протонами средних энергий (до 150 кэВ). Установлено, что облучение ионами H{+} и последующий термический отжиг при температуре 700{o}C позволяют уменьшить длину волны излучения квантовых ям. С ростом дозы ионов от 10{13} до 10{16} см{-2} величина изменения длины волны увеличивается до 20 нм. При этом начиная с дозы 10{15} см{-2} наблюдается значительное уменьшение интенсивности излучения. Определены оптимальные дозы ионов H{+} (6 x 10{14} см{-2}) и температура отжига (700{o}C) для модифицирования лазерных структур InGaAs/GaAs/InGaP и показано, что в этом случае можно получить сдвиг ~8-10 нм длины волны лазерного излучения с малыми потерями интенсивности при сохранении качества поверхности лазерных структур. Наблюдаемый "синий" сдвиг обусловлен стимулированными имплантацией процессами перемешивания атомов Ga и In на границах раздела InGaAs/GaAs. Доп.точки доступа: Ахлестина, С. А.; Васильев, В. К.; Вихрова, О. В.; Данилов, Ю. А.; Звонков, Б. Н.; Некоркин, С. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Циклотронный резонанс дырок в гетероструктурах InGaAs/GaAs с квантовыми ямами в квантующих магнитных полях [Текст] / А. В. Иконников [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1539-1542. : ил. - Библиогр.: с. 1541 (5 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- InGaAs/GaAs -- циклотронный резонанс -- ЦР -- квантовые ямы -- КЯ -- квантовые каскадные лазеры -- ККЛ -- магнитные поля -- уровни Ландау -- Ландау уровни -- спиновая релаксация -- время спиновой релаксации -- дырки (физика) Аннотация: Исследованы спектры циклотронного резонанса дырок в селективно-легированных гетероструктурах InGaAs/GaAs с квантовыми ямами в импульсных магнитных полях до 50 Тл при 4. 2 K. Подтвержден обнаруженный ранее эффект инвертированного (по сравнению с результатами одночастичного расчета уровней Ландау) соотношения интегральных интенсивностей двух расщепившихся компонент линии циклотронного резонанса, связываемый с эффектами обменного взаимодействия дырок. Обнаружено, что на восходящей и нисходящей ветвях импульса магнитного поля соотношения интенсивностей компонент линии циклотронного резонанса сильно различаются, что может быть связано с большим временем спиновой релаксации дырок между двумя нижними уровнями Ландау, составляющим десятки миллисекунд. Доп.точки доступа: Иконников, А. В.; Спирин, К. Е.; Гавриленко, В. И.; Козлов, Д. В.; Драченко, О.; Schneider, H.; Helm, M. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Латеральный транспорт и дальнее инфракрасное излучение электронов в гетероструктурах In[x]Ga[1-x]As/GaAs с двойными туннельно-связанными квантовыми ямами в сильном электрическом поле [Текст] / Н. В. Байдусь [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1543-1546. : ил. - Библиогр.: с. 1546 (11 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- квантовые ямы -- КЯ -- дальнее инфракрасное излучение -- ДИК -- туннельно-связанные квантовые ямы -- ТСКЯ -- легирование ям -- электроны -- латеральные электрические поля -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ Аннотация: Показано, что дальнее инфракрасное излучение электронов в селективно-легированных гетероструктурах с двойными туннельно-связанными квантовыми ямами в сильных латеральных электрических полях существенно зависит от степени легирования ям. При большой концентрации примеси в узкой яме, более (1-2) x 10{11} см{-2}, излучение обусловлено только непрямыми внутриподзонными переходами электронов. При меньшей концентрации наряду с непрямыми переходами вклад в излучение дают и прямые межподзонные переходы, которые становятся возможными в сильных электрических полях вследствие пространственного переноса электронов между квантовыми ямами. Доп.точки доступа: Байдусь, Н. В.; Белевский, П. А.; Бирюков, А. А.; Вайнберг, В. В.; Винославский, М. Н.; Иконников, А. В.; Звонков, Б. Н.; Пилипчук, А. С.; Порошин, В. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Циклотронный резонанс в гетероструктурах с квантовыми ямами InSb/AlInSb [Текст] / Ю. Б. Васильев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1559-1562. : ил. - Библиогр.: с. 1562 (10 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): циклотронный резонанс -- ЦР -- гетероструктуры -- квантовые ямы -- КЯ -- InSb/AlInSb -- двумерные электроны -- электроны -- магнитные поля -- поглощение электронов -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- модель Кейна -- Кейна модель -- спин-орбитальное взаимодействие Аннотация: Проведены исследования поглощения двумерных электронов в квантовых ямах на основе InSb в квантующих магнитных полях в терагерцовой области спектра. В качестве источника излучения использовался циклотронный лазер на p-Ge. Из спектров циклотронного резонанса определена эффективная масса носителей на уровне Ферми, равная 0. 0219[m0] (m0 масса свободного электрона). Показано, что спектр электронов описывается моделью Кейна в широком диапазоне магнитных полей. В слабых магнитных полях наблюдается аномально сильное расщепление линии циклотронного резонанса, не связанное с непараболичностью зоны проводимости InSb, которое может быть объяснено эффектом спин-орбитального взаимодействия. Доп.точки доступа: Васильев, Ю. Б.; Gouider, F.; Nachtwei, G.; Buckle, P. D. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Исследование локальной плотности состояний в самоформирующихся островках GeSi/Si (001) методом комбинированной сканирующей туннельной/атомно-силовой микроскопии [Текст] / П. А. Бородин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 414-418. : ил. - Библиогр.: с. 418 (20 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): сканирующая туннельная микроскопия -- СТМ -- атомно-силовая микроскопия -- АСМ -- СТС -- локальная плотность состояний -- ЛПС -- наноостровки -- туннельные спектры -- GeSi/Si (001) -- квантовые точки -- КТ -- квантовые ямы -- КЯ -- токовые изображения -- пространственное распределение -- энергетическое распределение -- поверхностные островки -- гетероструктуры Аннотация: Методом комбинированной сканирующей туннельной/атомно-силовой микроскопии впервые исследована локальная плотность состояний в самоформирующихся наноостровках GeSi/Si (001). Получены токовые изображения и туннельные спектры индивидуальных островков GeSi/Si (001), отражающие соответственно пространственное и энергетическое распределение локальной плотности состояний в островках GeSi. Данные туннельной спектроскопии показывают, что поверхностные островки Ge[0. 3]Si[0. 7]/Si (001) проявляют свойства гетероструктур I типа. Доп.точки доступа: Бородин, П. А.; Бухараев, А. А.; Филатов, Д. О.; Исаков, М. А.; Шенгуров, В. Г.; Чалков, В. Ю.; Денисов, С. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |