Захарян, Кирилл Владимирович. Формирование себестоимости розничного банковского продукта [Текст] / К. В. Захарян // Известия Санкт-Петербургского университета экономики и финансов. - 2009. - N 1. - С. 131-134. - Библиогр.: с. 134 (2 назв. )
Рубрики: Экономика--Россия Кредитно-денежная система Кл.слова (ненормированные): банковские продукты -- банковские услуги -- банкоматы -- себестоимость продукта -- рабочие места -- категория рабочих мест -- КРМ -- себестоимость КРМ Аннотация: О процессе формирования себестоимости банковского продукта, о структуре категорий рабочих мест. |
Ермилов, И. В. Высоковольтные конденсаторы постоянного и переменного тока [Текст] / И. В. Ермилов // Электроэнергетика. - 2009. - N 5. - С. 68-70 : табл.
Рубрики: Энергетика Электрические аппараты в целом Конденсаторы--Россия Кл.слова (ненормированные): компенсаторы реактивной мощности -- КРМ -- электрофизические установки -- установки оборонного значения -- конденсаторные заводы -- бумажные диэлектрики -- высоковольтные конденсаторы Аннотация: Для создания современного электротехнического оборудования широко применяются высоковольтные конденсаторы постоянного и переменного тока. В статье рассматриваются основные проблемы обеспечения промышленности, научного и оборонного комплексов России конденсаторов нового поколения. |
Савина, Наталья Викторовна (кандидат технических наук; декан). Методика оптимальной компенсации реактивной мощности в сетях распределительных компаний в условиях неопределенности [Текст] = Optimal reactive power compensation methods in networks of distibution companies in condition of uncertainty / Савина Н. В., Казакул А. А. // Вестник Ивановского государственного энергетического университета. - 2010. - Вып. 3. - С. 42-46. : ил., табл. - Библиогр.: с. 46 (3 назв. )
Рубрики: Энергетика Линии электропередачи и электрические сети Кл.слова (ненормированные): распределительные электрические сети -- компенсация реактивной мощности -- КРМ -- компенсирующие устройства Аннотация: Предлагается методика компенсации реактивной мощности, позволяющая в условиях неполноты и недостоверности исходной информации получать наибольший экономический эффект для распределительных сетевых компаний. Доп.точки доступа: Казакул, Алексей Александрович (аспирант; ассистент) Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Конфокальная рамановская микроскопия самоформирующихся островков GeSi/Si (001) [Текст] / А. И. Машин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1552-1558. : ил. - Библиогр.: с. 1558 (20 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- ГС -- конфокальная рамановская микроскопия -- КРМ -- метод конфокальной рамановской микроскопии -- упругие напряжения -- пространственные распределения -- островки (физика) -- GeSi/Si (001) -- сублимационная молекулярно-лучевая эпитаксия -- СМЛЭ -- метод сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии -- комбинационное рассеяние света -- КРС -- карты распределения элементов -- деформации -- упругие деформации -- температура роста Аннотация: Метод конфокальной рамановской микроскопии впервые применен для исследования пространственного распределения элементного состава и упругих напряжений в cамоформирующихся островках Ge[x]Si[1-x]/Si (001), выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде GeH[4]. В спектрах комбинационного рассеяния света, измеренных в области размером <100 нм на поверхности образца, идентифицированы линии, связанные с колебательными модами Si-Si, Ge-Ge и Si-Ge. Полученные карты распределения сдвигов указанных линий по поверхности образца были пересчитаны в карты распределения атомной доли Ge x и упругой деформации varepsilon, усредненных по толщине слоя островков. Изучена зависимость x и varepsilon от температуры роста и номинальной толщины осажденного слоя Ge. Доп.точки доступа: Машин, А. И.; Нежданов, А. В.; Филатов, Д. О.; Исаков, М. А.; Шенгуров, В. Г.; Чалков, В. Ю.; Денисов, С. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |