Взаимодействие электронов с локализованными в квантовой яме оптическими фононами [Текст] / Ю. Пожела [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 12. - С. 1634-1640 : ил. - Библиогр.: с. 1639 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Проводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
квантовые ямы -- КЯ -- рассеяние электронов -- скорость рассеяния электронов -- СР электронов -- полярные оптические фононы -- ПО фононы -- фононные ямы -- ФЯ -- интерфейсные фононы -- ИФ -- электрон-фононное взаимодействие -- гетероструктуры -- In[x]Al[1-x]As -- In[y]Ga[1-y]As -- электрические поля -- сильные электрические поля -- насыщение электронов -- скорость насыщения
Аннотация: Рассматривается скорость рассеяния электронов в квантовой яме на локализованных полярных оптических и интерфейсных фононах. Определена зависимость силы электрон-фононного взаимодействия от частоты оптических фононов в материалах гетероструктуры, образующих электронную и фононные квантовые ямы. Показано, что путем изменения состава полупроводников, образующих квантовую яму и ее барьеры, можно изменять скорости рассеяния электронов на оптических фононах в несколько раз. Вычислены скорости рассеяния электронов на полярных оптических фононах в зависимости от долей In[x] и In[y] в составе полупроводников, образующих квантовые ямы In[x]Al[1-x]As/In[y]Ga[1-y]As. Экспериментально определены зависимости подвижности и дрейфовой скорости насыщения электронов в сильных электрических полях в квантовых ямах In[y]Ga[1-y]As от состава введенных в квантовые ямы In[x]Al[1-x]As-барьеров. Подвижность электронов растет, а дрейфовая скорость насыщения уменьшается с увеличением доли In[x] в составе барьеров.


Доп.точки доступа:
Пожела, Ю.; Пожела, К.; Юцене, В.; Сужеделис, А.; Школьник, А. С.; Михрин, С. С.; Михрин, В. С.




   
    Транспорт электронов в квантовой яме In[0. 52]Al[0. 48]As/In[0. 53]Ga[0. 47]As/In[0. 52]Al[0. 48]As с delta-легированным Si барьером в сильных электрических полях [Текст] / И. С. Васильевский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 7. - С. 928-933. : ил. - Библиогр.: с. 933 (17 назв. )
УДК
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
квантовые ямы -- КЯ -- электроны -- сильные электрические поля -- легирование Si -- тонкие барьеры -- полярные оптические фононы -- ПО фононы -- интерфейсные фононы -- ИФ -- электронная проводимость -- дрейфовая скорость электронов -- двумерные каналы
Аннотация: Исследована электронная проводимость двумерного канала квантовой ямы In[0. 52]Al[0. 48]As/In[0. 53]Ga[0. 47]As/In[0. 52]Al[0. 48]As с delta-легированным Si барьером. Показано, что введение в квантовую яму тонких барьеров InAs снижает скорость рассеяния электронов на захваченных полярных оптических и поверхностных (интерфейсных) фононах и повышает подвижность электронов. Экспериментально установлено, что за насыщение тока проводимости в канале In[0. 53]Ga[0. 47]As в сильных электрических полях ответственны не только сублинейная зависимость дрейфовой скорости электронов от электрического поля, но и изменение концентрации электронов n[s] с ростом приложенного к каналу напряжения. Эффект зависимости ns от приложенного к каналу напряжения обусловлен наличием параллельного квантовой яме In[0. 53]Ga[0. 47]As слоя зарядов ионизованных доноров в области delta-легированного Si барьера In[0. 52]Al[0. 48]As.


Доп.точки доступа:
Васильевский, И. С.; Галиев, Г. Б.; Матвеев, Ю. А.; Климов, Е. А.; Пожела, Ю.; Пожела, К.; Сужеделис, А.; Пашкевич, Ч.; Юцене, В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)




    Нечаева, Светлана Владимировна (кандидат исторических наук).
    Этноконфессиональные отношения на Южном Урале: в контексте современных социокультурных процессов [Текст] / С. В. Нечаева // Социум и власть. - 2014. - № 6. - С. 48-55. - Библиогр. в сносках . - ISSN 1996-0522
УДК
ББК 60.59 + 60.52
Рубрики: Социология
   Региональная социология--Россия--Челябинская область, 2011 г.; 2014 г.

   Социология общества--Россия--Челябинская область, 2011 г.; 2014 г.

Кл.слова (ненормированные):
национальная безопасность -- национальные конфликты -- религиозные конфессии -- религиозные организации -- социокультурные портреты -- этническая структура -- этноконфессиональные отношения
Аннотация: Дан анализ процессов, происходящих в Челябинской области в этноконфессиональных отношениях. Приведены результаты социологических опросов населения Челябинской области, проведенных по методике Центра изучения социокультурных изменений ИФ РАН "Социокультурный портрет региона" в 2011 и 2014 гг.


Доп.точки доступа:
Центр изучения социокультурных изменений ИФ РАН
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)